本發(fā)明屬于輸電線(xiàn)路外絕緣試驗(yàn)研究領(lǐng)域，特涉及絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法。

背景技術(shù)：

室溫硫化硅橡膠(room temperature vulcanized silicone rubber，簡(jiǎn)稱(chēng)RTV)具有優(yōu)異的憎水性和憎水遷移性，能顯著提高瓷和玻璃絕緣子的污閃電壓。目前絕緣子RTV涂層在我國(guó)輸電線(xiàn)路和電氣設(shè)備上運(yùn)用廣泛，但由于RTV屬于有機(jī)材料，在復(fù)雜的大氣、電磁場(chǎng)環(huán)境下容易發(fā)生老化，性能會(huì)劣化，可能不能再發(fā)揮其應(yīng)有的提高外絕緣污閃電壓的作用，進(jìn)而直接威脅電力系統(tǒng)的安全運(yùn)行。因此，模擬RTV老化的試驗(yàn)研究具有重要意義。

模擬RTV涂層老化的研究很多，包括采用電暈、紫外輻射、酸雨等對(duì)RTV涂層進(jìn)行老化，并取得了具有重要理論意義和工程價(jià)值的研究成果。但在實(shí)際運(yùn)行的RTV涂層中，還存在RTV起皮、脫落現(xiàn)象，局部RTV的殘缺對(duì)于RTV涂層提高絕緣子耐污閃能力的影響應(yīng)當(dāng)引起重視。

如中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利《絕緣子表面老化RTV涂層評(píng)估方法》（申請(qǐng)?zhí)?201610179799 .4）公開(kāi)了一種絕緣子表面老化RTV涂層評(píng)估方法，該評(píng)估方法包括：確定絕緣子表面RTV涂層缺陷位置和泄露距離；根據(jù)絕緣子表面RTV涂層缺陷位置和泄露距離確定RTV局部缺損對(duì)污閃特性影響系數(shù)；利用噴水法測(cè)量絕緣子串每個(gè)絕緣子上下表面的憎水性，根據(jù)上下表面憎水性確定絕緣串表面老化RTV的憎水性；根據(jù)RTV局部缺損對(duì)污閃特性影響系數(shù)和絕緣串表面老化RTV的憎水性確定絕緣子表面RTV老化程度。本發(fā)明綜合考慮了RTV脫落面積、位置的影響以及老化RTV憎水性，評(píng)估更加全面和準(zhǔn)確。但是在該發(fā)明中，涂層缺陷位置和泄露距離難以確認(rèn)，其計(jì)算和測(cè)量的難度較大，進(jìn)而影響其評(píng)估的準(zhǔn)確性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種用于模擬絕緣子表面RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法。本發(fā)明首先在絕緣子表面采用噴槍均勻涂覆RTV涂料，靜置48h至72h。然后在表面選取模擬脫落點(diǎn)，采用小刀輕輕地將脫落點(diǎn)涂覆的RTV涂層表面劃出小圓，并將該RTV小圓片去除，使該部位陶瓷(或玻璃)材質(zhì)暴露在外，通過(guò)控制小圓的面積以及小圓之間間隔，模擬不同的脫落程度。最后將經(jīng)以上處理完成的絕緣子在人工霧室中進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)。本發(fā)明能夠模擬在網(wǎng)運(yùn)行的絕緣子的老化程度與污耐壓程度，準(zhǔn)確的判斷其耐壓水平和壽命，及時(shí)更換已經(jīng)達(dá)到壽命極限的絕緣子，防止污閃現(xiàn)象的發(fā)生。

本發(fā)明的技術(shù)解決方案是：一種絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟一：在絕緣子表面RTV噴涂：將絕緣子表面清理潔凈，在絕緣子表面采用噴槍均勻涂覆RTV涂料，并置于潔凈的常溫環(huán)境下靜置48h至72h；

步驟二：脫落點(diǎn)選取：分為絕緣子上表面脫落點(diǎn)的選取和絕緣子下表面脫落點(diǎn)的選?。?/p>

絕緣子上表面脫落點(diǎn)的選取方法為：采用輔助圓的方法取點(diǎn)，將絕緣子正放，在絕緣子下沿選定一個(gè)基準(zhǔn)脫落點(diǎn)，無(wú)伸縮細(xì)繩一端固定于基準(zhǔn)脫落點(diǎn)，另一端在絕緣子表面劃虛擬圓，選取圓上正上、正左、正右三個(gè)點(diǎn)作為脫落點(diǎn)；然后再將新形成的脫落點(diǎn)作為基準(zhǔn)點(diǎn)，以相同半徑相同方法取其他脫落點(diǎn)；

絕緣子下表面脫落點(diǎn)的選取方法為：在絕緣子傘棱各內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面作垂直于鋼腳軸線(xiàn)的輔助圓，在圓上任意選取一個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)，用無(wú)伸縮細(xì)繩依次選取其他脫落點(diǎn)；

步驟三：脫落點(diǎn)去涂層，脫落點(diǎn)選取完成之后，在不破壞絕緣子材質(zhì)的前提下，采用小刀輕輕地在脫落點(diǎn)處將已經(jīng)完全固化的RTV涂層表面劃出小圓，并將該RTV涂層的小圓片去掉，使該部位的絕緣子材質(zhì)暴露在外；

步驟四：污閃試驗(yàn)，將經(jīng)以上處理完成的絕緣子在人工霧室中進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)。

根據(jù)如上所述的絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法，其特征在于：所述的污閃試驗(yàn)具體方法為：采用固體層法對(duì)絕緣子進(jìn)行涂污，待污層表面充分獲得憎水性后，將其置于人工霧室中，采用均勻升壓法，待絕緣子在霧室中充分受潮后，將施加電壓均勻升高直至閃絡(luò)，獲取其平均閃絡(luò)電壓。

根據(jù)如上所述的絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法，其特征在于：所述的步驟二中無(wú)伸縮細(xì)繩長(zhǎng)度范圍為3cm至5cm。

根據(jù)如上所述的絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法，其特征在于：所述步驟三中去掉涂層的小圓片直徑一般在0.5cm至1.5cm。

本發(fā)明的有益效果是：一是能夠模擬在網(wǎng)運(yùn)行的絕緣子的老化程度與污耐壓程度，可以更加準(zhǔn)確的判斷其耐壓水平和壽命，并及時(shí)更換已經(jīng)達(dá)到壽命極限的絕緣子，防止污閃現(xiàn)象的發(fā)生；二是便于準(zhǔn)確測(cè)量或計(jì)算涂層缺陷位置和泄露距離，可提高模擬測(cè)試的準(zhǔn)確性。

附圖說(shuō)明

圖1為涂覆RTV的絕緣子示意圖。整體結(jié)構(gòu)為絕緣子，暗灰色所示為RTV涂層。

圖2為絕緣子上表面模擬脫落點(diǎn)位置選取方法示意圖，白色原點(diǎn)為模擬脫落點(diǎn)，圓形虛線(xiàn)為脫落點(diǎn)選取過(guò)程中虛擬的輔助線(xiàn)。

圖3為絕緣子下表面模擬脫落點(diǎn)位置選取方法示意圖，為了更直接反應(yīng)下表面取點(diǎn)情況，此圖為剖面圖。白色原點(diǎn)為模擬脫落點(diǎn)，圓形虛線(xiàn)為脫落點(diǎn)選取過(guò)程中虛擬的輔助線(xiàn)。

圖4為在上表面處理后的涂覆RTV的絕緣子示意圖，暗灰色區(qū)域間白色小圓即為劃除小圓后暴露出的區(qū)域。

圖5為在下表面處理后的涂覆RTV的絕緣子示意圖。

圖6為污閃試驗(yàn)主要設(shè)備及布置圖。

圖7為整體流程圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的說(shuō)明。

如圖1至圖7所述，本發(fā)明的絕緣子模擬RTV涂層脫落的污閃試驗(yàn)方法具體包括如下步驟：

（1）絕緣子表面RTV噴涂：將絕緣子表面清理潔凈，在絕緣子表面采用噴槍均勻涂覆RTV涂料，并置于潔凈的常溫環(huán)境下靜置48h至72h，如圖1所示。

（2）脫落點(diǎn)選取：分為絕緣子上表面脫落點(diǎn)的選取和絕緣子下表面脫落點(diǎn)的選取。

對(duì)于上表面，如圖2所示，采用輔助圓的方法取點(diǎn)，將絕緣子正放，在絕緣子下沿選定一個(gè)基準(zhǔn)脫落點(diǎn)，用一定長(zhǎng)度的無(wú)伸縮細(xì)繩，如用3cm或5cm的無(wú)伸縮細(xì)繩，一端固定于該基準(zhǔn)點(diǎn)，另一端在絕緣子表面劃虛擬圓，選取圓上正上、正左、正右三個(gè)點(diǎn)作為脫落點(diǎn)。然后再將新形成的脫落點(diǎn)作為基準(zhǔn)點(diǎn)，以相同半徑相同方法取其他脫落點(diǎn)。

對(duì)于下表面，由于可操作取點(diǎn)空間有限，在絕緣子傘棱內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面采用以絕緣子鋼腳作為軸對(duì)稱(chēng)的脫落點(diǎn)分布，如圖3所示，在絕緣子傘棱各內(nèi)側(cè)面和外側(cè)面作垂直于鋼腳軸線(xiàn)的輔助圓，在圓上任意選取一個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)，用一定長(zhǎng)度的無(wú)伸縮細(xì)繩依次選取其他脫落點(diǎn)，如用3cm或5cm的無(wú)伸縮細(xì)繩。根據(jù)需要，通過(guò)改變細(xì)繩的長(zhǎng)度可以控制脫落點(diǎn)在絕緣子表面的分布。

本發(fā)明的脫落點(diǎn)分布均勻，較為符合實(shí)際脫落點(diǎn)的分布規(guī)則，使本發(fā)明污閃試驗(yàn)的結(jié)果較為客觀準(zhǔn)確。同時(shí)，本發(fā)明還可以通過(guò)改變細(xì)繩的長(zhǎng)度，模擬不同的涂層脫落對(duì)污閃結(jié)果的影響。

（3）脫落點(diǎn)去涂層：脫落點(diǎn)選取完成之后，在不破壞絕緣子陶瓷(或玻璃)材質(zhì)的前提下，采用小刀輕輕地在脫落點(diǎn)處將已經(jīng)完全固化的RTV涂層表面劃出小圓，并將該RTV涂層的小圓片去掉，使該部位陶瓷(或玻璃)材質(zhì)暴露在外，如圖4和圖5，去掉涂層的小圓片直徑一般在0.5cm至1.5cm。根據(jù)需要，通過(guò)改變小圓的面積也可以控制脫落點(diǎn)的脫落嚴(yán)重程度。

（4）污閃試驗(yàn)：將經(jīng)以上處理完成的絕緣子在人工霧室中進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)。采用固體層法對(duì)絕緣子進(jìn)行涂污，待污層表面充分獲得憎水性后，將其置于人工霧室中，采用均勻升壓法，待絕緣子在霧室中充分受潮后，將施加電壓均勻升高直至閃絡(luò)，獲取其平均閃絡(luò)電壓，如圖6所示。