1.一種能實現(xiàn)多層電路板微波性能自校準方法,其特征在于包括：
步驟1：電路板上一共設(shè)計n組信號通道，分別命名為A1至An；記通道Ai上的傳輸線水平過渡個數(shù)為Ni，水平過渡衰減為B，垂直過渡個數(shù)為Mi，垂直過渡衰減為T，拐角過渡個數(shù)Pi，拐角損耗為R，通道的傳輸線長度為Li，單位傳輸線損耗為D，由測試夾具引入的損耗為E，各通道的總的插入損耗為Ki；i大于等于5；所述通道Ai的總插入損耗Ki可以表示為：
Ki＝Ni×B+Mi×T+Pi×R+Li×D+E (1)
所述通道的總插入損耗Ki可以通過矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試該通道的“插入損耗得到，所述水平過渡個數(shù)Ni、垂直過渡個數(shù)Mi、拐角過渡個數(shù)Pi以及傳輸線長度Li是設(shè)計時的已知參數(shù)；
步驟2：設(shè)計參考信號通道A1，該通道的水平過渡個數(shù)為N1，垂直過渡個數(shù)為M1，拐角過渡個數(shù)P1，通道的傳輸線長度為L1，通道1的插入損耗為K1，則得到第一個方程為：
K1＝N1×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (2)
步驟3：根據(jù)公式(1)設(shè)計n-1信號通道A2到An對應(yīng)求解總插入損耗的n-1個方程，以通道A1為基礎(chǔ)，設(shè)計A2～An的n-1個方程，使通道Ai得到總插入損耗Ki時，四個參數(shù)的系數(shù)至少有一個比通道A1的總插入損耗K1中對應(yīng)的四個參數(shù)的系數(shù)有變化；同時滿足A2到An中，四個參數(shù)的系數(shù)對應(yīng)A1時的系數(shù)有過至少1次的變化；四個參數(shù)指的是B、T、R、D；i＝2～n；
步驟4：利用所述方程(1)至方程(n)，計算可得到得到B，T，R，D值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能實現(xiàn)多層電路板微波性能自校準方法,其特征在于所述步驟3中當n＝5時，設(shè)計信號通道A2，使通道A2比通道A1多兩個水平過渡結(jié)構(gòu)，其余參數(shù)與通道A1保持一致，則得到第二個方程：
K2＝(N1+2)×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (3)
第三步，設(shè)計信號通道A3，使通道A3比通道A1多兩個垂直過渡結(jié)構(gòu)，則得到第三個方程：
K3＝N1×B+(M1+2)×T+P1×R+L1×D+E (4)
第四步，設(shè)計信號通道A4，使通道A4比通道A1多四個拐角過渡結(jié)構(gòu)，傳輸線長度多出ΔL1，則得到第四個方程：
K4＝N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL1)×D+E (5)
第五步，設(shè)計信號通道A5，使通道A5比通道A1多四個拐角過渡結(jié)構(gòu)，傳輸線長度多出ΔL2，則得到第五個方程：
K5＝N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL2)×D+E (6)
利用所述方程(2)至方程(5)，計算可得到：
傳輸線水平過渡衰減為B為：
B＝(K2-K1)/2 (7)
傳輸線垂直過渡衰減為T為：
T＝(K3-K1)/2 (8)
傳輸線拐角損耗為R為：
R＝＝(K4-K1-ΔL1×D)/4 (9)
傳輸線單位傳輸線損耗為D為：
D＝(K5-K1)/(ΔL2-ΔL1) (10)。
3.一種能實現(xiàn)多層電路板微波性能自校準裝置,其特征在于包括：
總插入損耗計算模塊，用于通過電路板上一共設(shè)計n組信號通道，分別命名為A1至An；記通道Ai上的傳輸線水平過渡個數(shù)為Ni，水平過渡衰減為B，垂直過渡個數(shù)為Mi，垂直過渡衰減為T，拐角過渡個數(shù)Pi，拐角損耗為R，通道的傳輸線長度為Li，單位傳輸線損耗為D，由測試夾具引入的損耗為E，各通道的總的插入損耗為Ki；i大于等于5；所述通道Ai的總插入損耗Ki可以表示為：
Ki＝Ni×B+Mi×T+Pi×R+Li×D+E (1)
所述通道的總插入損耗Ki可以通過矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測試該通道的S21得到，所述水平過渡個數(shù)Ni、垂直過渡個數(shù)Mi、拐角過渡個數(shù)Pi以及傳輸線長度Li是設(shè)計時的已知參數(shù)；
參考信號通道模塊，用于設(shè)計參考信號通道A1，該通道的水平過渡個數(shù)為N1，垂直過渡個數(shù)為M1，拐角過渡個數(shù)P1，通道的傳輸線長度為L1，通道1的插入損耗為K1，則得到第一個方程為：
K1＝N1×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (2)
參數(shù)計算模塊，用于根據(jù)公式(1)設(shè)計n-1信號通道A2到An對應(yīng)求解總插入損耗的n-1個方程，以通道A1為基礎(chǔ)，設(shè)計A2～An的n-1個方程，使通道Ai得到總插入損耗Ki時，四個參數(shù)的系數(shù)至少有一個比通道A1的總插入損耗K1中對應(yīng)的四個參數(shù)的系數(shù)有變化；同時滿足A2到An中，四個參數(shù)的系數(shù)對應(yīng)A1時的系數(shù)有過至少1次的變化；利用所述方程(1)至方程(n)，計算可得到得到B，T，R，D值；；四個參數(shù)指的是B、T、R、D；i＝2～n。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種能實現(xiàn)多層電路板微波性能自校準裝置,其特征在于所述參數(shù)計算模塊中當n＝5時，設(shè)計信號通道A2，使通道A2比通道A1多兩個水平過渡結(jié)構(gòu)，其余參數(shù)與通道A1保持一致，則得到第二個方程：
K2＝(N1+2)×B+M1×T+P1×R+L1×D+E (3)
第三步，設(shè)計信號通道A3，使通道A3比通道A1多兩個垂直過渡結(jié)構(gòu)，則得到第三個方程：
K3＝N1×B+(M1+2)×T+P1×R+L1×D+E (4)
第四步，設(shè)計信號通道A4，使通道A4比通道A1多四個拐角過渡結(jié)構(gòu)，傳輸線長度多出ΔL1，則得到第四個方程：
K4＝N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL1)×D+E (5)
第五步，設(shè)計信號通道A5，使通道A5比通道A1多四個拐角過渡結(jié)構(gòu)，傳輸線長度多出ΔL2，則得到第五個方程：
K5＝N1×B+M1×T+(P1+4)×R+(L1+ΔL2)×D+E (6)
利用所述方程(2)至方程(5)，計算可得到：
傳輸線水平過渡衰減為B為：
B＝(K2-K1)/2 (7)
傳輸線垂直過渡衰減為T為：
T＝(K3-K1)/2 (8)
傳輸線拐角損耗為R為：
R＝＝(K4-K1-ΔL1×D)/4 (9)
傳輸線單位傳輸線損耗為D為：
D＝(K5-K1)/(ΔL2-ΔL1) (10)。