本發(fā)明涉及硅片技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種硅切片穿孔判定的方法。
背景技術(shù)：
光伏發(fā)電主要是通過(guò)光生伏特效應(yīng)原理將光能轉(zhuǎn)化為電能的新技術(shù)。光伏技術(shù)是人類進(jìn)一步利用太陽(yáng)能資源的一種新思路，它的發(fā)展極大的方便了人類的生活。光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)，硅單晶材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)，材料加工又是基礎(chǔ)之基礎(chǔ)。硅片的制作主要是通過(guò)sic(碳化硅)游離磨料的線切割來(lái)實(shí)現(xiàn)的，硅錠切片作為光伏技術(shù)中最基本的工序，它對(duì)以后的工序(外延、氧化、擴(kuò)散、腐蝕、鈍化、光刻等)有至關(guān)重要的作用。在硅片加工的過(guò)程中，必須達(dá)到以后工序所要求的平坦度、平行度、彎曲度、翹曲度，必須最大限度地減少雜質(zhì)微粒，為以后工序的進(jìn)行打下基礎(chǔ)。因此，sic游離磨料線切割技術(shù)在光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中占有舉足輕重的作用。
線切割技術(shù)是新興的硅晶片的加工工藝，在硅片加工領(lǐng)域逐漸取代內(nèi)切圓切割。它適用于加工大直徑、超薄片、大批量硅晶片的生產(chǎn)。多線切割過(guò)程中金屬線左右方向迅速移動(dòng)，硅錠則配合金屬線移動(dòng)速度由上至下緩慢移動(dòng)。游離磨料直徑為5～30μm，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)的鋼絲帶動(dòng)下，以滾動(dòng)、嵌入和刮擦的形式作用在硅晶棒上，完成切割。多線切割機(jī)為單線往復(fù)式切割，包括其特有的垂直平衡滑動(dòng)系統(tǒng)、弧形搖擺切割系統(tǒng)，砂漿噴嘴半浸入系統(tǒng)和線輪半同步遞減可變速系統(tǒng)等，保證了硅片加工過(guò)程的穩(wěn)定性。在實(shí)際生產(chǎn)中，由于斷線，停機(jī)等都會(huì)造成一個(gè)目視可見(jiàn)的色差帶。由于當(dāng)前分選機(jī)判定方法是依據(jù)相鄰像素的rgb值差異來(lái)判定是否有缺陷的，所以一個(gè)黑色的色差帶大部分情況會(huì)造成機(jī)器的誤判。只能針對(duì)特定色差的硅片進(jìn)行判定，現(xiàn)實(shí)操作中不可能針對(duì)每一種硅片去停機(jī)調(diào)用對(duì)應(yīng)的參數(shù)。不再通過(guò)相鄰rgb值的比較來(lái)判定是否有缺陷，而是通過(guò)缺陷的面積來(lái)判定可以規(guī)避掉色差的誤判，因?yàn)?，色差是大面積的而穿孔是點(diǎn)狀的。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種硅切片穿孔判定的方法，該硅切片穿孔判定的方法具體步驟如下：
s1：硅切片的圖像拍攝，對(duì)硅切片的切割面進(jìn)行圖像的拍攝，采用三維激光掃描儀進(jìn)行掃描拍攝，然后將拍攝信息傳遞給處理器進(jìn)行處理；
s2：圖像上像素塊的劃定，圖像是由小像素點(diǎn)組成，16個(gè)相鄰的像素點(diǎn)組成一個(gè)像素塊，處理器通過(guò)分析每個(gè)像素塊的平均rgb值來(lái)判定每個(gè)像素塊是否有存在缺陷并輸出至顯示器顯示出來(lái)；
s3：基于像素塊的平均rgb值的判定方式，
1）圖像上像素塊劃定后的rgb值的計(jì)算，統(tǒng)計(jì)每個(gè)像素塊的rgb值，
2）硅片平均rgb值的計(jì)算，對(duì)上一步中統(tǒng)計(jì)的每個(gè)像素塊的rgb值計(jì)算獲得平均值即為硅片平均rgb值，
3）在處理器中設(shè)定差異值的范圍，當(dāng)像素塊上的rgb值與硅片平均rgb值差值大于設(shè)定的差異值即可判斷為硅片穿孔；
s4：判定面積的設(shè)定，判定面積即為所要判定的像素塊個(gè)數(shù)，為了避免硅片色差的誤判定，可以設(shè)定范圍值a-b之間，當(dāng)出現(xiàn)差異值異常的像素塊個(gè)數(shù)在a-b之間即可認(rèn)定為穿孔，在此范圍以外不予考慮。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過(guò)激光掃描儀來(lái)獲取硅切片的圖像信息并通過(guò)處理器自動(dòng)判定硅片穿孔，誤差小，精度高，自動(dòng)化程度高，判斷速度快，實(shí)用性強(qiáng)。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明像素塊劃定示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
實(shí)施例1
一種硅切片穿孔判定的方法，該硅切片穿孔判定的方法具體步驟如下：
s1：硅切片的圖像拍攝，對(duì)硅切片的切割面進(jìn)行圖像的拍攝，采用三維激光掃描儀進(jìn)行掃描拍攝，然后將拍攝信息傳遞給處理器進(jìn)行處理；
s2：圖像上像素塊的劃定，圖像是由小像素點(diǎn)組成，16個(gè)相鄰的像素點(diǎn)組成一個(gè)像素塊，處理器通過(guò)分析每個(gè)像素塊的平均rgb值來(lái)判定每個(gè)像素塊是否有存在缺陷并輸出至顯示器顯示出來(lái)；
s3：基于像素塊的平均rgb值的判定方式，
1）圖像上像素塊劃定后的rgb值的計(jì)算，統(tǒng)計(jì)每個(gè)像素塊的rgb值，
2）硅片平均rgb值的計(jì)算，對(duì)上一步中統(tǒng)計(jì)的每個(gè)像素塊的rgb值計(jì)算獲得平均值即為硅片平均rgb值，
3）在處理器中設(shè)定差異值的范圍，當(dāng)像素塊上的rgb值與硅片平均rgb值差值大于設(shè)定的差異值即可判斷為硅片穿孔；
s4：判定面積的設(shè)定，判定面積即為所要判定的像素塊個(gè)數(shù)，為了避免硅片色差的誤判定，可以設(shè)定范圍值a-b之間，當(dāng)出現(xiàn)差異值異常的像素塊個(gè)數(shù)在a-b之間即可認(rèn)定為穿孔，在此范圍以外不予考慮
實(shí)施例2
一種硅切片穿孔判定的方法，該硅切片穿孔判定的方法具體步驟如下：
s1：硅切片的圖像拍攝，對(duì)硅切片的切割面進(jìn)行圖像的拍攝，采用三維激光掃描儀進(jìn)行掃描拍攝，然后將拍攝信息傳遞給處理器進(jìn)行處理；
s2：圖像上像素塊的劃定，圖像是由小像素點(diǎn)組成，16個(gè)相鄰的像素點(diǎn)組成一個(gè)像素塊，處理器通過(guò)分析每個(gè)像素塊的平均rgb值來(lái)判定每個(gè)像素塊是否有存在缺陷并輸出至顯示器顯示出來(lái)；
s3：基于像素塊的平均rgb值的判定方式，
1）圖像上像素塊劃定后的rgb值的計(jì)算，統(tǒng)計(jì)每個(gè)像素塊的rgb值，且可設(shè)定像素塊的編號(hào)為1-24，共24個(gè)像素塊，
2）硅片平均rgb值的計(jì)算，對(duì)上一步中統(tǒng)計(jì)的每個(gè)像素塊的rgb值計(jì)算獲得平均值即為硅片平均rgb值，假定硅片平均rgb值為150，
3）在處理器中設(shè)定差異值的范圍，當(dāng)像素塊上的rgb值與硅片平均rgb值差值大于設(shè)定的差異值即可判斷為硅片穿孔，例如設(shè)定的“像素塊0”=146，“像素塊1”=145，“像素塊2”=144，“像素塊3”=100，“像素塊4”=98，“像素塊15”=98，則可初步判定像素塊“3”、“4”、“15”為穿孔；
s4：判定面積的設(shè)定，判定面積即為所要判定的像素塊個(gè)數(shù)，為了避免硅片色差的誤判定，可以設(shè)定范圍值3-20之間，當(dāng)出現(xiàn)差異值異常的像素塊個(gè)數(shù)在3-20之間即可認(rèn)定硅片為穿孔，在此范圍以外不予考慮。
本發(fā)明通過(guò)激光掃描儀來(lái)獲取硅切片的圖像信息并通過(guò)處理器自動(dòng)判定硅片穿孔，誤差小，精度高，自動(dòng)化程度高，判斷速度快，實(shí)用性強(qiáng)。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。