1.一種沙門氏菌傳感器，用于檢測沙門氏菌的濃度，其特征在于，所述沙門氏菌傳感器包括：電解池，設置在所述電解池內的電解液，設置在所述電解池內的有機電化學晶體管，及設置在所述電解池內的柵電極；
所述有機電化學晶體管包括：襯底，設置在所述襯底之上的源電極和漏電極，及涂覆在襯底之上連接源電極和漏電極的有機半導體薄膜層；
所述柵電極上修飾有光電活性半導體材料作為傳感器的敏感功能層；
修飾有光電活性半導體材料的柵電極上固定有用于與沙門氏菌結合的抗體。
2.根據權利要求1所述的沙門氏菌傳感器，其特征在于，所述光電活性半導體材料為有機半導體材料、無機半導體材料或二者的組合。
3.根據權利要求1所述的沙門氏菌傳感器，其特征在于，所述襯底是由玻璃、聚合物柔性材料或硅片制成。
4.根據權利要求1所述的沙門氏菌傳感器，其特征在于，所述源電極、漏電極及柵電極是由金屬材料、金屬氧化物半導體材料、合金材料構成。
5.根據權利要求1所述的沙門氏菌傳感器，其特征在于，所述有機半導體薄膜層由聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚咔唑或者聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚吡咯、聚噻吩、聚苯胺、聚咔唑的兩種或兩種以上的共聚物中的至少一種構成。
6.根據權利要求1所述的沙門氏菌傳感器，其特征在于，所述源電極和漏電極的厚度為50-500nm；所述有機半導體薄膜層的厚度為10-300nm。
7.一種如權利要求1-6任一項所述的沙門氏菌傳感器的制備方法，其特征在于，包括步驟：
A、徹底清洗襯底并干燥，在襯底上制備源電極和漏電極，在源電極和漏電極之間制備有機半導體薄膜層，得到有機電化學晶體管；
B、徹底清洗柵電極并干燥，在柵電極上修飾光電活性半導體材料作為傳感器的敏感功能層，在修飾有光電活性半導體材料的柵電極上固定用于與沙門氏菌結合的抗體，得到固定有抗體的修飾后的柵電極；
C、將有機電化學晶體管和固定有抗體的修飾后的柵電極放置于裝有電解液的電解池中，制得所述沙門氏菌傳感器。
8.根據權利要求7所述的沙門氏菌傳感器的制備方法，其特征在于，所述步驟A中，所述的源電極和漏電極是通過真空熱蒸鍍、磁控濺射或氣相沉積中的一種方法制備；制備有機半導體薄膜層的方法為旋涂或噴墨印刷。
9.一種基于權利要求1所述的沙門氏菌傳感器的沙門氏菌濃度的檢測方法，其特征在于，所述沙門氏菌濃度的檢測方法包括：
在光照條件下，通過柵電極上的抗體與沙門氏菌的結合，使柵電極上的光電流變化，引起有機電化學晶體管的溝道電流的變化，通過測量有機電化學晶體管溝道電流的變化來實現對不同濃度沙門氏菌的檢測。
10.根據權利要求9所述的沙門氏菌濃度的檢測方法，其特征在于，所述沙門氏菌濃度的檢測方法還包括：在沙門氏菌上修飾金納米顆粒。