1.一種熱釋電傳感電路，其特征在于，包括：第一熱釋電探測(cè)元、第二熱釋電探測(cè)元、前置放大器、后置放大模塊；所述第一熱釋電探測(cè)元的正極和所述第二熱釋電探測(cè)元的負(fù)極均與所述前置放大器的第一端耦合，所述前置放大器的第二端與所述后置放大模塊的輸入端耦合，所述第二熱釋電傳感器與第一熱釋電傳感器極性相反、特性一致，其中，所述第二熱釋電傳感器不響應(yīng)紅外光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，所述前置放大器由場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，所述場(chǎng)效應(yīng)管的柵極分別與所述第一熱釋電探測(cè)元的正極和所述第二熱釋電探測(cè)元的負(fù)極耦合，所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極與所述后置放大模塊的第一輸入端耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，還包括源極電阻，所述源極電阻與所述場(chǎng)效應(yīng)管的源極耦合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，所述源極電阻的阻值范圍小于等于100KΩ，或小于等于47KΩ。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，還包括第一電阻，所述第一電阻的一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的柵極耦合，所述第一電阻的另一端、所述第一熱釋電探測(cè)元的負(fù)極以及第二熱釋電探測(cè)元的正極均接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，所述第一電阻的阻值范圍為大于等于8GΩ且小于或等于10GΩ。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，所述后置放大模塊為運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的第一輸入端與場(chǎng)效應(yīng)管的源極耦合，所述運(yùn)算放大器的第二輸入端與所述運(yùn)算放大器的輸出端耦合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，還包括濾波電路，所述濾波電路與所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極耦合。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的熱釋電傳感電路，其特征在于，所述濾波電路包括：第一電容和第二電阻，所述第二電阻的一端與所述運(yùn)算放大器的正電源端耦合，所述第二電阻的另一端通過(guò)所述第一電容接地，所述第二電阻的另一端與所述場(chǎng)效應(yīng)管的漏極耦合。
10.一種信號(hào)轉(zhuǎn)換處理方法，其特征在于，所述方法應(yīng)用于如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的熱釋電傳感電路，所述方法包括：
所述第一熱釋電探測(cè)元探測(cè)調(diào)制輻射光的輻射通量；
所述第一熱釋電探測(cè)元將所述調(diào)制輻射光的輻射通量轉(zhuǎn)化為溫度變化；
所述第一熱釋電探測(cè)元將溫度變化處理轉(zhuǎn)換為電荷密度變化；
所述第一熱釋電探測(cè)元將所述電荷密度變化傳輸給所述前置放大器，以使所述前置放大器將所述電荷密度變化轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)和后置放大模塊對(duì)該電壓信號(hào)進(jìn)行放大。