本發(fā)明涉及元器件測(cè)試領(lǐng)域，尤其涉及一種電容容值測(cè)量電路。

背景技術(shù)：

在電工技術(shù)中，電容是最常見的元器件之一，廣泛應(yīng)用于電路中的隔直通交、耦合、旁路、調(diào)諧回路等應(yīng)用場(chǎng)景。

在實(shí)際應(yīng)用中，可以采用多種方法來測(cè)量電容容值，例如，采用電橋法測(cè)量電容容值、采用容抗法測(cè)量電容容值。

在采用容抗法測(cè)量電容容值時(shí)，是將交流正弦波信號(hào)施加在被測(cè)電容上，之后進(jìn)行電容—電壓轉(zhuǎn)換，再通過帶通濾波器濾出干擾信號(hào)。然后，通過交流/直流(Alternating Current/Direct Current，AC/DC)轉(zhuǎn)換器得到正比于待測(cè)電容容值的有效值電壓，進(jìn)而通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog-to-Digital Converter，ADC)對(duì)轉(zhuǎn)換后得到的模數(shù)(A/D)采樣值來計(jì)算電容值。

然而，在采用容抗法測(cè)量電容容值時(shí)，由于電容存在內(nèi)阻，導(dǎo)致測(cè)量精度較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例解決的技術(shù)問題是如何提高電容容值測(cè)量的精度。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例提供一種電容容值測(cè)量電路，包括：控制器、待測(cè)電容，分別與所述控制器及所述待測(cè)電容耦接的電容充放電單元以及電壓采樣單元，其中：所述控制器，適于在一個(gè)測(cè)量周期中，輸出充電控制信號(hào)至所述電容充放電單元；并在輸出所述充電控制信號(hào)達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)時(shí)，輸出放電控制信號(hào)至所述電容充放電單元；獲取輸出所述充電控制信號(hào)時(shí)所述電壓采樣單元采集到的待測(cè)電容的電壓值作為所述待測(cè)電容開始充電時(shí)的電壓值，以及輸出所述放電控制信號(hào)時(shí)所述電壓采樣單元采集到的待測(cè)電容的電壓值作為所述待測(cè)電容開始放電時(shí)的電壓值，計(jì)算所述測(cè)量周期中，所述待測(cè)電容在所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量；根據(jù)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算所述待測(cè)電容容值；所述電容充放電單元，適于在所述充電控制信號(hào)的控制下，與所述待測(cè)電容形成充電回路，使所述待測(cè)電容充電；以及，在所述放電控制信號(hào)的控制下，與所述待測(cè)電容形成放電回路，使所述待測(cè)電容放電；所述電壓采樣單元，與所述待測(cè)電容耦接，適于在一個(gè)測(cè)量周期內(nèi)，采集所述待測(cè)電容的電壓值。

可選的，所述控制器，適于采用如下公式計(jì)算所述待測(cè)電容容值：其中，C為所述待測(cè)電容容值，C₀為預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值，V₂為所述標(biāo)準(zhǔn)電容對(duì)應(yīng)的開始放電時(shí)的電壓值，V₁為所述標(biāo)準(zhǔn)電容對(duì)應(yīng)的開始充電時(shí)的電壓值，(V₂-V₁)為所述標(biāo)準(zhǔn)電容容值對(duì)應(yīng)的電壓改變量，V₂'為所述待測(cè)電容對(duì)應(yīng)的開始放電時(shí)的電壓值，V₁'為所述待測(cè)電容對(duì)應(yīng)的開始充電時(shí)的電壓值，V₂'-V₁'為所述待測(cè)電容在所述預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量。

可選的，所述電容充放電單元包括：多路選擇開關(guān)、恒流源以及電壓源，其中：所述多路選擇開關(guān)，不動(dòng)端與待測(cè)電容的第一端耦接，動(dòng)端與恒流源及電壓源擇一連接，在所述充電控制信號(hào)的控制下，將所述恒流源與所述待測(cè)電容形成充電回路；以及，在所述放電控制信號(hào)的控制下，將所述電壓源與所述待測(cè)電容形成放電回路；所述待測(cè)電容的第二端與地耦接。

可選的，所述電容充放電單元還包括：第一限流電阻，耦接在所述待測(cè)電容的第一端與所述電容充放電單元的輸出端之間。

可選的，所述電容容值測(cè)量電路包括：比較器；所述比較器的第一輸入端輸入預(yù)設(shè)的電容放電完成電壓閾值對(duì)應(yīng)的電壓，第二輸入端與所述待測(cè)電容的第一端耦接，輸出端與所述控制器的輸入端耦接；所述控制器，輸入端適于接收所述待測(cè)電容容值是否達(dá)到所述放電完成電壓閾值的信號(hào)。

可選的，所述電容容值測(cè)量電路還包括：第二限流電阻，耦接在所述待測(cè)電容的第一端與所述比較器的第二輸入端之間。

可選的，所述電壓采樣單元為模數(shù)轉(zhuǎn)換器，輸入端與所述待測(cè)電容的第一端耦接，適于將采集所述待測(cè)電容的電壓值轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。

可選的，所述模數(shù)轉(zhuǎn)換器為24位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，且包括至少18位有效位。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

根據(jù)待測(cè)電容在充電開始時(shí)的電壓值以及在放電開始時(shí)的電壓值，計(jì)算待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量。根據(jù)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，即可計(jì)算待測(cè)電容容值。也即：在測(cè)量電容容值時(shí)，將待測(cè)電容容值與待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量相對(duì)應(yīng)，而不是將待測(cè)電容容值與電壓對(duì)應(yīng)，從而可以避免因電容存在內(nèi)阻而導(dǎo)致測(cè)量精度較低的情況出現(xiàn)，故能夠提高電容容值測(cè)量的精度。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的一種電容容值測(cè)量電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的一種電容充放電單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中的另一種電容容值測(cè)量電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

在現(xiàn)有技術(shù)中，可以采用電橋法或者容抗法測(cè)量電容容值。電橋法根據(jù)電橋平衡原理測(cè)量電容容值，測(cè)試精度較高，但是電路較為復(fù)雜，成本高，體積大。

采用容抗法測(cè)量電容容值時(shí)，是將交流正弦波信號(hào)施加在被測(cè)電容上，之后進(jìn)行電容—電壓轉(zhuǎn)換，再通過帶通濾波器濾除干擾信號(hào)。然后，通過AC/DC轉(zhuǎn)換器得到正比于待測(cè)電容容值的有效值電壓，進(jìn)而通過ADC轉(zhuǎn)換后得到的A/D采樣值來計(jì)算電容值。然而，在采用容抗法測(cè)量電容容值時(shí)，由于電容存在內(nèi)阻，導(dǎo)致測(cè)量精度較低。

在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)待測(cè)電容在充電開始時(shí)的電壓值以及在放電開始時(shí)的電壓值，計(jì)算待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量。根據(jù)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，即可計(jì)算待測(cè)電容容值。也即：在測(cè)量電容容值時(shí)，將待測(cè)電容容值與待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量相對(duì)應(yīng)，而不是將待測(cè)電容容值與電壓對(duì)應(yīng)，從而可以避免因電容存在內(nèi)阻而導(dǎo)致測(cè)量精度較低的情況出現(xiàn)，故能夠提高電容容值測(cè)量的精度。此外，本發(fā)明實(shí)施例中提供的電容容值測(cè)量電路結(jié)構(gòu)較電橋法更為簡(jiǎn)單，成本較低。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。

參照?qǐng)D1，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種電容容值測(cè)量電路，包括：控制器11、待測(cè)電容12、電容充放電單元13以及電壓采樣單元14。

在具體實(shí)施中，控制器11與電容充放電單元13、電壓采樣單元14均耦接，待測(cè)電容12與電容充放電單元13、電壓采樣單元14均耦接。

在測(cè)量待測(cè)電容12的容值時(shí)，在一個(gè)測(cè)量周期中，控制器11可以先輸出充電控制信號(hào)至電容充放電單元13。電容充放電單元13在接收到充電控制信號(hào)后，與待測(cè)電容12形成充電回路，從而為待測(cè)電容12進(jìn)行充電。

在一個(gè)測(cè)量周期中，控制器11在輸出充電控制信號(hào)的時(shí)長(zhǎng)達(dá)到預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)時(shí)，輸出放電控制信號(hào)至電容充放電單元13。電容充放電單元13在接收到放電控制信號(hào)后，與待測(cè)電容12形成放電回路，從而使得待測(cè)電容12放電。

例如，在一個(gè)測(cè)量周期中，預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)為100ms，則在測(cè)量周期開始時(shí)刻t0，控制器11輸出充電控制信號(hào)至電容充放電單元13。電容充放電單元13在接收到充電控制信號(hào)后，為待測(cè)電容12進(jìn)行充電。在t1時(shí)刻，控制器11輸出放電控制信號(hào)至電容充放電單元13，其中，t1＝(t0+100)ms。電容充放電電源在接收到放電控制信號(hào)后，與待測(cè)電容12形成放電回路，從而使得待測(cè)電容12放電。

在具體實(shí)施中，電壓采樣單元14與待測(cè)電容12耦接。在一個(gè)測(cè)量周期中，電壓采樣單元14可以實(shí)時(shí)采集待測(cè)電容12兩端的電壓值，也即電壓采樣單元14在一個(gè)測(cè)量周期中采集到的電壓值為多個(gè)。

在一個(gè)測(cè)量周期結(jié)束后，控制器11可以從電壓采樣單元14中獲取所采集的電壓值，并從中獲取輸出充電控制信號(hào)時(shí)待測(cè)電容12的電壓值，也即待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值；以及從中獲取輸出放電控制信號(hào)時(shí)待測(cè)電容12的電壓值，也即待測(cè)電容12開始放電時(shí)的電壓值。

在實(shí)際應(yīng)用中，在一個(gè)測(cè)量周期中，電壓采樣單元14所采集的電壓值可能為多個(gè)?？刂破?1可以根據(jù)輸出充電控制信號(hào)的時(shí)刻和輸出放電控制信號(hào)的時(shí)刻，從多個(gè)電壓值中獲取待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值和開始放電時(shí)的電壓值。

例如，電壓采樣單元14在每采集一個(gè)電壓值時(shí)，均保存采集到的電壓值對(duì)應(yīng)的時(shí)刻?？刂破?1在從電壓采樣單元14中獲取電壓采樣單元14采集到的多個(gè)電壓值時(shí)，查找與輸出充電控制信號(hào)的時(shí)刻對(duì)應(yīng)的電壓值作為待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值，查找與輸出放電控制信號(hào)的時(shí)刻對(duì)應(yīng)的電壓值作為待測(cè)電容12開始放電時(shí)的電壓值。

在具體實(shí)施中，在一個(gè)測(cè)量周期中，控制器11也可以實(shí)時(shí)地從電壓采樣單元14中獲取所采集到的電壓值。此時(shí)，控制器11在輸出充電控制信號(hào)時(shí)從電壓采樣單元14中獲取到的電壓值即為待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值，控制器11在輸出放電控制信號(hào)時(shí)從電壓采樣單元14中獲取到的電壓值即為待測(cè)電容12開始放電時(shí)的電壓值。

控制器11在獲取到一個(gè)測(cè)量周期內(nèi)的待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值以及開始放電時(shí)的電壓值時(shí)，即可計(jì)算在該測(cè)量周期內(nèi)，待測(cè)電容12在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量。在具體實(shí)施中，將待測(cè)電容12開始放電時(shí)的電壓值與待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值相減，得到的差值即為一個(gè)該測(cè)量周期內(nèi)待測(cè)電容12的電壓改變量。

控制器11在獲取到一個(gè)測(cè)量周期內(nèi)的待測(cè)電容12的電壓改變量時(shí)，可以根據(jù)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，計(jì)算待測(cè)電容12容值。

下面對(duì)計(jì)算待測(cè)電容12容值的原理進(jìn)行說明。

由電容充電電流公式：I＝dQ/dt可知，△Q＝I*△t，其中，△Q為待測(cè)電容12的電荷改變量，I為待測(cè)電容12的充電電流且I為常量，△t為待測(cè)電容12的充電時(shí)長(zhǎng)。

又△Q＝C*△t，因此，I*△t＝C*△V，其中，△V為待測(cè)電容12的電壓改變量，C為待測(cè)電容12容值。

對(duì)等式I*△t＝C*△V進(jìn)行變形，得到如下公式：

設(shè)定充電時(shí)長(zhǎng)Δt為常量，根據(jù)電壓采樣單元14在測(cè)量周期中所采集到的待測(cè)電容12開始充電時(shí)的電壓值V₁'、待測(cè)電容12開始放電時(shí)的電壓值V₂'，計(jì)算得到待測(cè)電容12在充電時(shí)長(zhǎng)Δt內(nèi)的電壓改變量△V＝V₂'-V₁'。

將△V＝V₂'-V₁'代入式(1)，得到待測(cè)電容12的容值為：

其中，I和Δt均為常量。

為獲取精確的電容容值，可以預(yù)先對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電容進(jìn)行多次測(cè)量，來獲取標(biāo)準(zhǔn)電容的電壓改變量與電容容量的對(duì)應(yīng)關(guān)系。

同理，根據(jù)式(2)，針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電容，可以得到標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的關(guān)系：

式(3)中，C₀為預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值，V₂為標(biāo)準(zhǔn)電容對(duì)應(yīng)的開始放電時(shí)的電壓值，V₁為標(biāo)準(zhǔn)電容對(duì)應(yīng)的開始充電時(shí)的電壓值，(V₂-V₁)為標(biāo)準(zhǔn)電容容值對(duì)應(yīng)的電壓改變量。

將式(2)與式(3)進(jìn)行除法運(yùn)算，得到待測(cè)電容12容值為：

也就是說，根據(jù)預(yù)先標(biāo)定的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，以及待測(cè)電容12的電壓改變量，即可獲取待測(cè)電容12容值。

在實(shí)際應(yīng)用中，選取電容容值為100nF的標(biāo)準(zhǔn)電容，多次測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)電容在固定時(shí)長(zhǎng)Δt內(nèi)對(duì)應(yīng)的電壓改變量，求其平均值，進(jìn)而可以建立標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的映射關(guān)系。可以理解的是，還可以采用其他的方法來預(yù)先獲取標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的映射關(guān)系。

在獲取到標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的映射關(guān)系之后，可以將上述映射關(guān)系存儲(chǔ)在控制器11中的存儲(chǔ)區(qū)域，或者將上述映射關(guān)系存儲(chǔ)在其他存儲(chǔ)器中，其他存儲(chǔ)器與控制器11耦接且能夠被控制器11讀取。

可以理解的是，在具體實(shí)施中，為提高電容容值測(cè)量的精度，控制器11可以獲取多個(gè)測(cè)量周期對(duì)應(yīng)的待測(cè)電容12的容值，進(jìn)而求其平均值作為確定的待測(cè)電容12的容值。

在具體實(shí)施中，控制器11也可以獲取多個(gè)測(cè)量周期對(duì)應(yīng)的待測(cè)電容12在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量，求取多個(gè)測(cè)量周期對(duì)應(yīng)的電壓改變量的平均值，進(jìn)而根據(jù)預(yù)設(shè)的電壓改變量所對(duì)應(yīng)的電容值以及電壓改變量的平均值，計(jì)算待測(cè)電容12的容值。

由此可見，在本發(fā)明實(shí)施例中，根據(jù)待測(cè)電容在充電開始時(shí)的電壓值以及在放電開始時(shí)的電壓值，計(jì)算待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量。根據(jù)預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)電容容值與電壓改變量的對(duì)應(yīng)關(guān)系，即可計(jì)算待測(cè)電容容值。也即：在測(cè)量電容容值時(shí)，將待測(cè)電容容值與待測(cè)電容在預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)內(nèi)的電壓改變量相對(duì)應(yīng)，而不是將待測(cè)電容容值與電壓對(duì)應(yīng)，從而可以避免因電容存在內(nèi)阻而導(dǎo)致測(cè)量精度較低的情況出現(xiàn)，故能夠提高電容容值測(cè)量的精度。

在具體實(shí)施中，電容充放電單元13可以包括：多路選擇開關(guān)、恒流源以及電壓源。多路選擇開關(guān)，包括不動(dòng)端和兩個(gè)動(dòng)端。多路選擇開關(guān)的不動(dòng)端與待測(cè)電容的第一端耦接，動(dòng)端與恒流源或電壓源擇一連接。

參照?qǐng)D2，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的一種電容充放電單元13的結(jié)構(gòu)示意圖，下面結(jié)合圖1進(jìn)行說明。

當(dāng)電容充放電單元13接收到控制器11發(fā)送的充電控制信號(hào)時(shí)，多路選擇開關(guān)S在充電控制信號(hào)的控制下，動(dòng)端與恒流源連接，將恒流源與待測(cè)電容12形成充電回路，從而通過恒流源為待測(cè)電容12充電。

當(dāng)電容充放電單元13接收到控制器11發(fā)送的放電控制信號(hào)時(shí)，多路選擇開關(guān)S在放電控制信號(hào)的控制下，動(dòng)端與電壓源VSS連接，將電壓源VSS與待測(cè)電容12形成放電回路，從而使得待測(cè)電容12放電。

在具體實(shí)施中，電容容值測(cè)量電路還包括比較器。比較器的第一輸入端輸入預(yù)設(shè)的電容放電完成電壓閾值對(duì)應(yīng)的電壓，第二輸入端與待測(cè)電容12的第一端耦接，輸出端與控制器11的輸入端耦接?？刂破?1的輸入端，適于接收待測(cè)電容12的容值是否達(dá)到放電完成電壓閾值的信號(hào)。當(dāng)控制器11檢測(cè)到輸入端接收到待測(cè)電容12的容值達(dá)到放電完成電壓閾值的信號(hào)時(shí)，即可生成充電控制信號(hào)并輸出至電容充放電單元13。

參照?qǐng)D3，給出了本發(fā)明實(shí)施例中的另一種電容容值測(cè)量電路，結(jié)合圖1、圖2進(jìn)行說明。

比較器15的第一輸入端的輸入電壓為VDD_L，VDD_L為預(yù)設(shè)的電容充電完成電壓閾值對(duì)應(yīng)的電壓。比較器15的第二輸入端與待測(cè)電容12的第一端耦接，待測(cè)電容12的第二端與地耦接，故比較器15的第二輸入端輸入的是待測(cè)電容12的電壓。比較器15的輸出端與控制器11的輸入端耦接。

當(dāng)比較器15的第一輸入端的輸入電壓大于第二輸入端的輸入電壓時(shí)，比較器15的輸出端輸出高電平信號(hào)；反之，當(dāng)比較器15的第一輸入端的輸入電壓小于或等于第二輸入端的輸入電壓時(shí)，比較器15的輸出端輸出低電平信號(hào)。

當(dāng)待測(cè)電容12處于充電狀態(tài)時(shí)，待測(cè)電容12的電壓大于電容放電完成電壓閾值，因此，比較器15的輸出端輸出低電平信號(hào)。當(dāng)待測(cè)電容12處于放電狀態(tài)時(shí)，隨著放電時(shí)長(zhǎng)的增加，待測(cè)電容12的電壓逐漸降低。當(dāng)待測(cè)電容12的電壓達(dá)到或低于電容放電完成電壓閾值時(shí)，比較器15的輸出端輸出的信號(hào)從低電平跳變到高電平。

控制器11檢測(cè)到輸入端輸入高電平信號(hào)時(shí)，即可判定待測(cè)電容12完成放電，此時(shí)，可以進(jìn)入下一個(gè)測(cè)量周期，重新生成充電控制指令并輸出至電容充放電單元13，執(zhí)行下一個(gè)測(cè)量周期的操作。

在具體實(shí)施中，電容放電完成電壓閾值可以根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景自行設(shè)定。例如，設(shè)定電容放電完成電壓閾值為1.3V。

在具體實(shí)施中，電壓采樣單元14可以為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，ADC的第一端與待測(cè)電容的第一端耦接，適于將采集到的待測(cè)電容的電壓值轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)。也就是說，控制器11在從ADC中讀取到的待測(cè)電容12的電壓值均為數(shù)字信號(hào)格式。

在采用ADC作為電壓采樣單元14時(shí)，為保證待測(cè)電容12的容值的測(cè)量精度，可以根據(jù)實(shí)際的精度需求，來設(shè)定ADC的位數(shù)。

在本發(fā)明一實(shí)施例中，待測(cè)電容12的容值的測(cè)量精度為1nF，則設(shè)定ADC為24位精度的ADC，且24位精度的ADC至少存在18位有效位。

可以理解的是，還可以采用其他的裝置作為電壓采樣單元14，只要能夠?qū)崿F(xiàn)實(shí)時(shí)采集待測(cè)電容12的電壓值即可。

在具體實(shí)施中，電容容值測(cè)量電路還可以包括第一限流電阻R1。第一限流電阻R1的第一端與待測(cè)電容12的第一端耦接，第二端與電容充放電單元13的輸出端耦接，可以避免待測(cè)電容12與電容充放電單元13之間出現(xiàn)短路。

在具體實(shí)施中，電容容值測(cè)量電路還可以包括第二限流電阻R2，第一端與待測(cè)電容12的第一端耦接，第二端與比較器15的第二輸入端耦接。通過設(shè)置第二限流電阻R2，可以避免待測(cè)電容12與比較器15之間出現(xiàn)短路。

在具體實(shí)施中，上述電容容值測(cè)量電路可以集成在一塊芯片中，也可以設(shè)置在同一塊電路板上，或者設(shè)置在不同的且存在電連接的電路板上。相比于電橋法測(cè)量電容容值，本發(fā)明實(shí)施例中提供的電容容值測(cè)量電路的電路結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單，體積較小，容易攜帶。

在具體實(shí)施中，本發(fā)明實(shí)施例中提供的電容容值測(cè)量電路，可以用于對(duì)大電容進(jìn)行充電，大電容可以為電容容值大于1μF的電容。在通過恒流源為電容進(jìn)行充電時(shí)，可以加快待測(cè)電容的充電速度，提高電容容值測(cè)量的效率。

下面通過舉例，對(duì)采用本發(fā)明上述實(shí)施例中提供的電容容值測(cè)量電路進(jìn)行電容容值測(cè)量的過程進(jìn)行詳細(xì)說明。

待測(cè)電容的理想容值為47μF。在一個(gè)測(cè)量周期內(nèi)，待測(cè)電容開始充電時(shí)的電壓值為V₁'＝0xF3C8B9(有符號(hào)數(shù))，待測(cè)電容開始放電時(shí)的電壓值為V₂'＝0x0DD0EF。標(biāo)準(zhǔn)電容容值為C₀＝100μF，標(biāo)準(zhǔn)電容開始充電時(shí)的電壓值為V₁＝0xF3C8C5，標(biāo)準(zhǔn)電容開始放電時(shí)的電壓值為V₂＝0xFFF670。

故，根據(jù)式(4)可以計(jì)算得到待測(cè)電容容值為C＝46.773μF。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。