本實(shí)用新型涉及輻射探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種用于放射源檢測(cè)機(jī)器人的閃爍探測(cè)裝置。

背景技術(shù)：

我國是核大國，放射性同位素與射線裝置應(yīng)用的量大面廣，涉及醫(yī)學(xué)、工業(yè)、農(nóng)業(yè)、科研和教學(xué)等各個(gè)領(lǐng)域。因此，核與輻射安全監(jiān)管面臨的任務(wù)繁重而且形勢(shì)嚴(yán)峻。

目前，為了提高核應(yīng)急響應(yīng)能力，更好地進(jìn)行應(yīng)急監(jiān)測(cè)及處置，確保核與輻射環(huán)境安全及輻射工作一線工程技術(shù)人員安全，放射源檢測(cè)機(jī)器人被廣泛應(yīng)用。

然而，目前的放射源檢測(cè)機(jī)器人仍然采用傳統(tǒng)的閃爍探測(cè)器，這些閃爍探測(cè)器一般由閃爍體和光電探測(cè)器組成。閃爍體接收射線，與其發(fā)生作用并將之轉(zhuǎn)化為閃爍光，光電探測(cè)器將接收到的閃爍光信號(hào)轉(zhuǎn)化為易被識(shí)別和處理的電信號(hào)。由于放射源檢測(cè)機(jī)器人經(jīng)常應(yīng)用于惡劣環(huán)境中，環(huán)境溫度對(duì)閃爍探測(cè)器造成很大影響，而傳統(tǒng)的閃爍探測(cè)器沒有考慮到溫度的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種用于放射源檢測(cè)機(jī)器人的閃爍探測(cè)裝置，能夠減少環(huán)境溫度對(duì)探測(cè)結(jié)果的影響。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種用于放射源檢測(cè)機(jī)器人的閃爍探測(cè)裝置，包括殼體、閃爍體、光導(dǎo)元件、半導(dǎo)體制冷器、冷端吸熱器以及熱端散熱器，所述殼體包括前蓋、避光筒和安裝筒，所述前蓋、避光筒和安裝筒依次連接形成封閉空腔，所述光導(dǎo)元件固定在安裝筒中，所述閃爍體固定在光導(dǎo)元件和前蓋之 間，所述閃爍體包括位于上層的多層陣列閃爍晶體和位于下層的多層連續(xù)閃爍晶體，所述陣列閃爍晶體由長條型閃爍晶體條沿其寬度和長度方向排列構(gòu)成，所述陣列閃爍晶體與連續(xù)閃爍晶體沿長條型閃爍晶體條的高度方向按順序耦合，所述安裝筒的尾端設(shè)置有高壓輸入端和信號(hào)輸出端，所述高壓輸入端和信號(hào)輸出端均與光導(dǎo)元件連接，所述避光筒的側(cè)壁上對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)安裝窗，所述半導(dǎo)體制冷器固定在安裝窗內(nèi)，所述半導(dǎo)體制冷器的冷端朝向避光筒內(nèi)，所述半導(dǎo)體制冷器的熱端朝向避光筒外，所述冷端吸熱器設(shè)置在避光筒內(nèi)側(cè)壁上且正對(duì)半導(dǎo)體制冷器的冷端，所述熱端散熱器設(shè)置在避光筒外側(cè)壁上且正對(duì)半導(dǎo)體制冷器的熱端。

優(yōu)選地，所述陣列閃爍晶體的層數(shù)和所述連續(xù)閃爍晶體的層數(shù)不超過八層。

優(yōu)選地，所述冷端吸熱器與半導(dǎo)體制冷器之間以及所述熱端散熱器與半導(dǎo)體制冷器之間填充有石墨片。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型的有益效果是：通過在閃爍探測(cè)器內(nèi)設(shè)置半導(dǎo)體制冷器、冷端吸熱器以及熱端散熱器，使得閃爍體的工作在低溫環(huán)境下，從而能夠減少環(huán)境溫度對(duì)探測(cè)結(jié)果的影響，可以提高閃爍體的發(fā)光效率，提高探測(cè)靈敏度。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例用于放射源檢測(cè)機(jī)器人的閃爍探測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1所示的閃爍探測(cè)裝置的閃爍體的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他 實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請(qǐng)一并參見圖1和圖2。本實(shí)用新型實(shí)施例的用于放射源檢測(cè)機(jī)器人的閃爍探測(cè)裝置包括殼體1、閃爍體2、光導(dǎo)元件3、半導(dǎo)體制冷器4、冷端吸熱器5以及熱端散熱器6。

殼體1包括前蓋11、避光筒12和安裝筒13，前蓋11、避光筒12和安裝筒13依次連接形成封閉空腔，光導(dǎo)元件3固定在安裝筒13中，閃爍體2固定在光導(dǎo)元件3和前蓋11之間，閃爍體2包括位于上層的多層陣列閃爍晶體21和位于下層的多層連續(xù)閃爍晶體22，陣列閃爍晶體21由長條型閃爍晶體條沿其寬度和長度方向排列構(gòu)成，陣列閃爍晶體21與連續(xù)閃爍晶體22沿長條型閃爍晶體條的高度方向按順序耦合。在圖2中，陣列閃爍晶體21的層數(shù)為一層，連續(xù)閃爍晶體22的層數(shù)為兩層。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以任意設(shè)置陣列閃爍晶體21的層數(shù)和連續(xù)閃爍晶體22的層數(shù)，只要陣列閃爍晶體21的層數(shù)和連續(xù)閃爍晶體22的層數(shù)不超過八層即可。

安裝筒13的尾端設(shè)置有高壓輸入端7和信號(hào)輸出端8，高壓輸入端7和信號(hào)輸出端8均與光導(dǎo)元件3連接。避光筒12的側(cè)壁上對(duì)稱設(shè)置有兩個(gè)安裝窗121，半導(dǎo)體制冷器4固定在安裝窗121內(nèi)，半導(dǎo)體制冷器4的冷端朝向避光筒12內(nèi)，半導(dǎo)體制冷器4的熱端朝向避光筒12外，冷端吸熱器5設(shè)置在避光筒12內(nèi)側(cè)壁上且正對(duì)半導(dǎo)體制冷器4的冷端，熱端散熱器6設(shè)置在避光筒12外側(cè)壁上且正對(duì)半導(dǎo)體制冷器4的熱端。在本實(shí)施例中，冷端吸熱器5與半導(dǎo)體制冷器4之間以及熱端散熱器6與半導(dǎo)體制冷器4之間填充有石墨片。

由于采用了半導(dǎo)體制冷器4，可以降低閃爍體探測(cè)器的工作溫度，而溫度越低閃爍體探測(cè)器的性能越好，閃爍體探測(cè)器的發(fā)光效率和信噪比都非常理想，從而減少環(huán)境溫度對(duì)探測(cè)結(jié)果的影響。

由于閃爍體2設(shè)有連續(xù)閃爍晶體22且連續(xù)閃爍晶體22位于陣列閃爍晶體21與光導(dǎo)元件3之間，連續(xù)閃爍晶體22有利于閃爍光光子的擴(kuò)散，通過對(duì)連續(xù)閃爍晶體厚度的優(yōu)化設(shè)計(jì)，可以使得被光導(dǎo)元件3所接受到的閃爍光攜帶更為豐富的能量沉積信息。配合相應(yīng)的信息提取算 法，充分利用這種豐富的能量沉積信息可以更為精確的獲得γ光子在閃爍晶體中的能量沉積信息。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。