1.一種半導(dǎo)體探測(cè)器，包括：
探測(cè)器晶體，包括晶體主體、陽(yáng)極和陰極；
場(chǎng)增強(qiáng)電極，用于向探測(cè)器晶體施加電壓；
絕緣材料，設(shè)置于所述場(chǎng)增強(qiáng)電極和所述探測(cè)器晶體表面之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述絕緣材料覆蓋所述場(chǎng)增強(qiáng)電極一側(cè)的整個(gè)探測(cè)器晶體管表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述探測(cè)器晶體是碲鋅鎘晶體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，還包括場(chǎng)增強(qiáng)電極電路板，所述增強(qiáng)電極電路板具有與探測(cè)器晶體表面接觸的底部連接層和與所述底部連接層相對(duì)的頂層，其中所述頂層連接半導(dǎo)體探測(cè)器的高壓輸入，所述底部連接層與所述探測(cè)器晶體的探測(cè)器表面之間存在絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述場(chǎng)增強(qiáng)電極電路板還包括多個(gè)過(guò)孔，所述頂層和所述底部連接層通過(guò)所述過(guò)孔相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述頂層通過(guò)焊接貼片或者直接焊接與外部高壓源相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中在所述頂層中設(shè)置濾波電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述濾波電路采用無(wú)源濾波。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述濾波電路設(shè)置于所述場(chǎng)增強(qiáng)電極電路板的頂層的邊緣。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述場(chǎng)增強(qiáng)電極電路板是柔性電路板。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中在所述柔性電路板中設(shè)置濾波電路。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體探測(cè)器，其中所述頂層中還設(shè)置有分壓電路，所述分壓電路與獨(dú)立電源一起向所述增強(qiáng)場(chǎng)電極電路板供電。