1.一種局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：包括控制單元（1）、信號發(fā)生單元（2）和信號發(fā)射單元（3），所述信號發(fā)生單元（2）包括雷達信號發(fā)生模塊（21）、手機通訊信號發(fā)生模塊（22）和可控信號發(fā)生模塊（23），所述雷達信號發(fā)生模塊（21）、手機通訊信號發(fā)生模塊（22）和可控信號發(fā)生模塊（23）的控制端分別與控制單元（1）相連，所述雷達信號發(fā)生模塊（21）、手機通訊信號發(fā)生模塊（22）和可控信號發(fā)生模塊（23）的信號輸出端分別與信號發(fā)射單元（3）相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述信號發(fā)射單元（3）包括分路器（31）和輻射天線（32），所述雷達信號發(fā)生模塊（21）、手機通訊信號發(fā)生模塊（22）和可控信號發(fā)生模塊（23）的信號輸出端分別通過分路器（31）與輻射天線（32）相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述雷達信號發(fā)生模塊（21）包括第一電源模塊（211）、第一通訊模塊（212）、第一微處理器（213）、雷達信號芯片（214）、第一D/A轉(zhuǎn)換電路（215）、第一運算放大器（216）、第一接口電路（217）、第一內(nèi)存模塊（218）和晶振（219），所述第一電源模塊（211）的輸出端分別與第一通訊模塊（212）、第一微處理器（213）、雷達信號芯片（214）、第一D/A轉(zhuǎn)換電路（215）、第一運算放大器（216）、第一接口電路（217）、第一內(nèi)存模塊（218）、晶振（219）相連，所述第一微處理器（213）通過第一通訊模塊（212）和控制單元（1）相連，所述第一微處理器（213）的信號輸出端依次和雷達信號芯片（214）、第一D/A轉(zhuǎn)換電路（215）、第一運算放大器（216）、第一接口電路（217）相連，所述第一接口電路（217）的輸出端和信號發(fā)射單元（3）相連，所述第一內(nèi)存模塊（218）、晶振（219）與第一微處理器（213）相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述第一通訊模塊（212）為光電轉(zhuǎn)換器。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述第一接口電路（217）為N型接口電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述手機通訊信號發(fā)生模塊（22）包括第二電源模塊（221）、第二通訊模塊（222）、手機核心電路板（223）、第二D/A轉(zhuǎn)換電路（224）和第二接口電路（225），所述第二電源模塊（221）分別與第二通訊模塊（222）、手機核心電路板（223）、第二D/A轉(zhuǎn)換電路（224）、第二接口電路（225）相連，所述手機核心電路板（223）通過第二通訊模塊（222）和控制單元（1）相連，所述手機核心電路板（223）的信號輸出端依次和第二D/A轉(zhuǎn)換電路（224）、第二接口電路（225）相連，所述第二接口電路（225）的輸出端和信號發(fā)射單元（3）相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述可控信號發(fā)生模塊（23）包括可控信號發(fā)生器（231）和功率放大器（232），所述可控信號發(fā)生器（231）的控制端和控制單元（1）相連，所述可控信號發(fā)生器（231）的信號輸出端和功率放大器（232）相連，所述功率放大器（232）的輸出端和信號發(fā)射單元（3）相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述可控信號發(fā)生器（231）包括第三通訊模塊（233）、第二微處理器（234）、第三D/A轉(zhuǎn)換電路（235）、第二運算放大器（236）、混頻器（237）、第三運算放大器（238）、第三電源模塊（239）和外圍電路，所述第二微處理器（234）通過第三通訊模塊（233）和控制單元（1）相連，所述第二微處理器（234）的信號輸出端通過第三D/A轉(zhuǎn)換電路（235）分別和第二運算放大器（236）、混頻器（237）的一個輸入端相連，所述混頻器（237）的另一個輸入端為調(diào)制頻率輸入端，所述混頻器（237）的輸出端和第三運算放大器（238）相連，所述第二運算放大器（236）、第三運算放大器（238）的輸出端分別和信號發(fā)射單元（3）相連，所述外圍電路和第二微處理器（234）相連，所述第三電源模塊（239）分別與第三通訊模塊（233）、第二微處理器（234）、第三D/A轉(zhuǎn)換電路（235）、第二運算放大器（236）、混頻器（237）、第三運算放大器（238）、外圍電路相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的局部放電典型干擾模擬裝置，其特征在于：所述外圍電路包括只讀存儲器模塊、時鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴展存儲卡模塊和第二內(nèi)存模塊，所述只讀存儲器模塊、時鐘模塊、顯示模塊、按鍵電路、擴展存儲卡模塊、第二內(nèi)存模塊分別和第二微處理器（234）相連。