本實(shí)用新型屬于醫(yī)療器械設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種高效能閃爍晶體陣列。

背景技術(shù)：

多數(shù)高能射線探測(cè)器應(yīng)用過(guò)程中使用閃爍晶體陣列作為能量接收端,受到能量激發(fā)的閃爍晶體放出熒光,由光電倍增管(PMT)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電子信號(hào)后輸出。高能射線探測(cè)器的效率受閃爍晶體陣列的光輸出及能量分辨率影響，具有較高光輸出(light output)的閃爍晶體陣列可以縮短探測(cè)器所需的偵測(cè)時(shí)間，并提高準(zhǔn)確率。閃爍晶體的生長(zhǎng)已經(jīng)十分成熟，閃爍晶體陣列的性能很難依靠提升材料的品質(zhì)而有所成長(zhǎng)，需藉由陣列組裝工藝來(lái)提升閃爍晶體陣列的性能。

通常情況下，使用高反射率反射膜作為閃爍晶體陣列的反射層，陣列的組裝過(guò)程中會(huì)在每根晶條之間以UV膠將反射膜與閃爍晶體晶條接合，確定陣列的排序及位置無(wú)誤后再進(jìn)行固定，現(xiàn)階段使用UV膠的方法為“完全涂膠”，指晶條與反射膜之間涂滿UV膠并且壓緊后無(wú)空隙存在，但過(guò)多的UV膠導(dǎo)致閃爍晶體陣列的放光效率降低，且溢出的UV膠布滿陣列端面，導(dǎo)致后續(xù)加工困難，若減少UV膠的使用量也會(huì)導(dǎo)致陣列強(qiáng)度不足易散開(kāi)的問(wèn)題，導(dǎo)致晶體陣列的放光效率下降及產(chǎn)生漏光的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中閃爍晶體陣列中晶條若UV膠過(guò)多則影響放光效率或污染陣列端面，而UV膠過(guò)少則使陣列強(qiáng)度不足，受壓等情況下易發(fā)生損壞、放光效率降低、產(chǎn)生漏光現(xiàn)象等缺陷，本實(shí)用新型提供一種放光效率高、強(qiáng)度大、不會(huì)污染陣列端面的高效能閃爍晶體陣列。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案如下：一種高效能閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層，所述閃爍晶體晶條為1條以上，所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間；所述高反射率反射層包括反射膜、光學(xué)UV膠層和涂膠接合處，其中，涂膠結(jié)合處位于反射膜兩側(cè)的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50％，光學(xué)UV膠層位于在反射膜上。

做為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段2/10-3.5/9及下段2/10-3.5/9位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30-50％，光學(xué)UV膠層位于在涂膠接合處及涂膠接合處至端面邊沿的范圍內(nèi)。

做為本實(shí)用新型的更優(yōu)選技術(shù)方案，涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的40-50％，光學(xué)UV膠層位于在涂膠接合處范圍內(nèi)，均勻的貼合于涂膠接合處上。

做為本實(shí)用新型的最優(yōu)選技術(shù)方案，涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的50％。

做為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案，位于反射膜兩側(cè)的涂膠結(jié)合處位置相對(duì)，大小相同。

所述晶條為N×M條，N≥2，M≥2，組合成陣列，大多情況下，N＝M。

還包括高反射率外包層，高反射率外包層位于陣列外，包裹陣列的5個(gè)面，未被包裹的陣列的面為由閃爍晶體晶條端面組成的平面。

當(dāng)然，做為本實(shí)用新型的替換，涂膠接合處也可以在閃爍晶體晶條上，光學(xué)UV膠層基本位于涂膠接合處范圍內(nèi)，光學(xué)UV膠層的形狀可以不規(guī)則，也可以規(guī)則。但是這是一種變劣的技術(shù)方案，因?yàn)殚W爍晶體晶條對(duì)潔凈度的需求非常高，若在閃爍晶體晶條上設(shè)置涂膠接合處進(jìn)行光學(xué)UV膠層的鋪設(shè)，很容易污染閃爍晶體晶條，使得產(chǎn)品質(zhì)量下降。

與現(xiàn)有陣列制作方式相比，本實(shí)用新型的有益效果：

1.本實(shí)用新型與傳統(tǒng)方式比較，減少光學(xué)UV膠層量和控制光學(xué)UV膠層分布位置可以減少放光損耗，在相同晶體材料、光學(xué)UV膠的條件下能提高30％的光輸出(light output)。

2.本實(shí)用新型適當(dāng)減少光學(xué)UV膠的使用量和控制其位置，并使其達(dá)到最佳的平衡，避免UV膠在組裝過(guò)程中溢出殘留于陣列表面，減低組裝過(guò)程中的難度。

3.本實(shí)用新型控制UV膠的接合位置，使陣列具有良好的固化強(qiáng)度，經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，與全面積涂膠強(qiáng)度差別不大，完全能適應(yīng)3倍當(dāng)前工作環(huán)境壓力的條件，經(jīng)循環(huán)壓力檢測(cè)，沒(méi)發(fā)生脫落、損壞。

4.本實(shí)用新型控制涂膠位置，降低了因中部位置涂膠而產(chǎn)生的放光損耗，經(jīng)試驗(yàn)驗(yàn)證，在相同晶體材料、光學(xué)UV膠、涂膠面積相同的情況下，在上下兩端不涂膠，只在中部涂膠，則強(qiáng)度降低，放光損耗也比在兩端涂膠大。

5.本實(shí)用新型產(chǎn)品光輸出強(qiáng)，牢固性強(qiáng)，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)科學(xué)合理、降低了組裝難度，適宜推廣應(yīng)用。

附圖說(shuō)明

圖1為實(shí)施例1高效能閃爍晶體陣列結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為實(shí)施例1晶條和高反射率反射層拆分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為實(shí)施例1晶條和高反射率反射層組合結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為實(shí)施例2晶條和高反射率反射層組合結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式。

實(shí)施例1：

參見(jiàn)圖1-3本實(shí)施例高效能閃爍晶體陣列結(jié)構(gòu)示意圖，其中圖3是選取了高效能閃爍晶體陣列中部的3條閃爍晶體晶條和高反射率反射層的組合：

一種高效能閃爍晶體陣列，它包括閃爍晶體晶條3、高反射率反射層4，所述閃爍晶體晶條為25條，形成5×5的陣列1，還包括高反射率外包層2，高反射率外包層2位于陣列1外，包裹陣列1的5個(gè)面，未被包裹的陣列1的面為由閃爍晶體晶條端面8組成的平面。

所述高反射率反射層4位于閃爍晶體晶條3與晶條之間；所述高反射率反射層4包括反射膜5、光學(xué)UV膠層6和涂膠接合處7，其中，位于反射膜5兩側(cè)的涂膠結(jié)合處7位置相對(duì)大小相同，涂膠結(jié)合處7中心位于反射膜5兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的30％左右，光學(xué)UV膠層6均勻分布在涂膠接合處7上。

上述各圖僅為示意圖，僅供參考和理解，具體比例和位置以實(shí)施例說(shuō)明為準(zhǔn)。

實(shí)施例2：

參見(jiàn)圖4，其中圖4是選取了本實(shí)施例高效能閃爍晶體陣列中部的3條閃爍晶體晶條和高反射率反射層的組合：涂膠結(jié)合處7位于反射膜5兩側(cè)的上段3/22-6/22及下段3/22-6/22位置，涂膠結(jié)合處7中心位于上段及下段的3.5/22位置上，涂膠結(jié)合處7的上下兩段上的兩區(qū)域共占反射膜總面積的27％。其余同實(shí)施例1。上述各圖僅為示意圖，具體比例和位置以實(shí)施例說(shuō)明為準(zhǔn)。

實(shí)施例3：

涂膠結(jié)合處7中心位于反射膜5兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置，兩區(qū)域共占反射膜總面積的50％，其余同實(shí)施例1。

當(dāng)然，以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。