欧美在线观看视频网站,亚洲熟妇色自偷自拍另类,啪啪伊人网,中文字幕第13亚洲另类,中文成人久久久久影院免费观看 ,精品人妻人人做人人爽,亚洲a视频

高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列的制作方法

文檔序號:12800536閱讀:554來源:國知局
高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列的制作方法與工藝

本實(shí)用新型屬于醫(yī)療器械設(shè)備領(lǐng)域,具體涉及一種高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列。



背景技術(shù):

輻射探測器的種類廣泛,這些探測器可以測量輻射射線和它們的性質(zhì),常用的有電離室、計數(shù)管和閃爍計數(shù)器、原子核乳膠、固體核徑跡探測器和半導(dǎo)體探測器等。其原理主要是利用輻射線與物質(zhì)相互作用時所產(chǎn)生的多種效應(yīng)。如應(yīng)用帶電粒子與物質(zhì)作用產(chǎn)生電離的原理制作的電離室、計數(shù)管,以及α徑跡探測器等;利用其熒光作用做成的閃爍計數(shù)器;利用電離和激發(fā)所引起的化學(xué)反應(yīng)過程制作原子核乳膠,固體核徑跡探測器等。其中閃爍計數(shù)器分辨時間短、效率高,還可根據(jù)電信號的大小測定粒子的能量,其應(yīng)用過程中多數(shù)使用閃爍晶體陣列作為能量接收端,受到能量激發(fā)的閃爍晶體放出熒光,由光電倍增管(PMT)將光信號轉(zhuǎn)換成可測量的電子信號后輸出。

通常情況下,閃爍晶體陣列作為接收端安裝在輻射探測器上必須直接將陣列的出光面接觸光電倍增管,且陣列是由加工過的閃爍晶體組裝而成,本身并不具備良好的物理強(qiáng)度,安裝或使用輻射探測設(shè)備的過程不可避免的造成陣列隨之震動,受到應(yīng)力容易使陣列散開或晶條破損,但現(xiàn)有閃爍晶體陣列只有在外側(cè)包覆一層鋁箔膠帶,作為保護(hù)層并無法阻隔晃動、震動等外力帶給陣列的影響,若陣列受到外力影響導(dǎo)致結(jié)構(gòu)松散將產(chǎn)生漏光的現(xiàn)象,破壞閃爍晶體陣列的收光與成像效果,進(jìn)而影響輻射探測器的功能。

如何設(shè)計一種高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列,是現(xiàn)有技術(shù)急需解決的技術(shù)難題。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

為了解決閃爍晶體陣列因受到外力影響導(dǎo)致結(jié)構(gòu)松散或晶體受損、陣列產(chǎn)生漏光、收光與成像效果不佳的問題,進(jìn)而影響輻射探測器的功能,本實(shí)用新型提供一種強(qiáng)度高、抗震性好、不會受損或漏光的高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:一種高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列,它包括閃爍晶體陣列與保護(hù)套,所述保護(hù)套為套狀,底面內(nèi)層大小與閃爍晶體陣列底面外層大小形狀相同尺寸一致,高度等于閃爍晶體陣列高度,嵌套在閃爍晶體陣列外,保留閃爍晶體陣列一端面作為出光面;所述保護(hù)套內(nèi)表面為均勻平滑的面,還包括高反射層,所述高反射層包裹在閃爍晶體陣列外,位于閃爍晶體陣列和保護(hù)套之間。

所述保護(hù)套底面與側(cè)面為一體結(jié)構(gòu)。

保護(hù)套在未安裝時,內(nèi)表面尺寸等于或略小于閃爍晶體陣列的外表面尺寸,在安裝時通過加熱使得內(nèi)表面尺寸膨脹,嵌套在閃爍晶體陣列外,溫度下降,保護(hù)套收縮,則保護(hù)套牢牢的箍住閃爍晶體陣列,使得閃爍晶體陣列耐壓性變強(qiáng),不易松散變形。保護(hù)套為硬質(zhì)復(fù)合材料,在一定程度內(nèi)加熱不會造成變形,不影響其表面的光滑度。

還包括保護(hù)層,所述保護(hù)層位于閃爍晶體陣列及保護(hù)套構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的四周及底面,所述保護(hù)層包括抗震層、雙面鋁箔膠帶,單面鋁箔膠帶,其中抗震層位于保護(hù)層的中間,抗震層兩側(cè)為單面鋁箔膠帶及雙面鋁箔膠帶,雙面鋁箔膠帶位于抗震層與保護(hù)套之間。

所述抗震層材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

所述閃爍晶體陣列包括閃爍晶體晶條、高反射率反射層,所述閃爍晶體晶條為1條以上,所述高反射率反射層位于閃爍晶體晶條與閃爍晶體晶條之間;所述高反射率反射層包括反射膜、光學(xué)UV膠層和涂膠接合處,其中,涂膠結(jié)合處位于反射膜兩側(cè)的上段1/10-4/9及下段1/10-4/9位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的20-50%,光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上。所述閃爍晶體陣列的端面指所有閃爍晶體晶條頂端組成的平面。

更進(jìn)一步的,涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的25-35%,光學(xué)UV膠層均勻分布在涂膠接合處上。

做為本實(shí)用新型的更優(yōu)選技術(shù)方案,涂膠結(jié)合處中心位于反射膜兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的30%。

做為本實(shí)用新型的優(yōu)選技術(shù)方案,位于反射膜兩側(cè)的涂膠結(jié)合處位置相對,大小相同。

所述閃爍晶體晶條為N×M條,N≥2,M≥2,組合成陣列,大多情況下,N=M。

所述閃爍晶體陣列的端面是指所有閃爍晶體晶條端面形成的平面。

本實(shí)用新型的有益效果在于:

1.本實(shí)用新型保護(hù)套的存在從結(jié)構(gòu)上對閃爍晶體陣列起到了固定、限位、抗震、增加強(qiáng)度、增加抗壓力等作用,從而更進(jìn)一步的減少光學(xué)UV膠層量和控制光學(xué)UV膠層分布位置,更進(jìn)一步減少光輸出的損耗,在相同晶體材料、光學(xué)UV膠的條件下能提高的光輸出,而保護(hù)層和保護(hù)套的存在,更進(jìn)一步的可以降低光學(xué)UV膠層的用量,使得光輸出效率得到更進(jìn)一步的提高。經(jīng)試驗(yàn),在同等耐受強(qiáng)度的情況下,在相同晶體材料、光學(xué)UV膠的條件下,能提高的光輸出達(dá)33%。不易產(chǎn)生漏光問題,提高陣列運(yùn)作時的穩(wěn)定性。

2.本實(shí)用新型閃爍晶體陣列保護(hù)套外添加保護(hù)層包覆材料給本產(chǎn)品帶來更佳的保護(hù)效果,增強(qiáng)了抗震性能。

3.本實(shí)用新型因結(jié)構(gòu)本身非常牢固,可適當(dāng)減少光學(xué)UV膠的使用量和控制其位置,并使其達(dá)到最佳的平衡,避免UV膠在組裝過程中殘留于陣列表面,減低組裝過程中的難度。

附圖說明

圖1是實(shí)施例1俯視結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是實(shí)施例2俯視結(jié)構(gòu)示意圖;

圖3是實(shí)施例2部分剖開結(jié)構(gòu)示意圖;

圖4是實(shí)施例3分解結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型的實(shí)施方式。

實(shí)施例1:

參見圖1:一種高強(qiáng)度抗震型閃爍晶體陣列,它包括閃爍晶體陣列1與保護(hù)套2,所述保護(hù)套2為套狀,底面內(nèi)層大小與閃爍晶體陣列底面外層大小形狀相同尺寸一致,高度等于閃爍晶體陣列1高度,嵌套在閃爍晶體陣列1外,保留閃爍晶體陣列1一端面8作為出光面;所述保護(hù)套2內(nèi)表面為均勻平滑的面,還包括高反射層3,所述高反射層3包裹在閃爍晶體陣列1外,位于閃爍晶體陣列1和保護(hù)套2之間。

所述閃爍晶體陣列的端面是指所有閃爍晶體晶條端面形成的平面,尤其是指閃爍晶體晶條出光端形成的平面。

所述保護(hù)套2底面與側(cè)面為一體結(jié)構(gòu),本實(shí)施例中保護(hù)套2為方筒形套狀結(jié)構(gòu)。

保護(hù)套2在未安裝時,內(nèi)表面尺寸等于或略小于閃爍晶體陣列1的外表面尺寸,在安裝時通過加熱使得內(nèi)表面尺寸膨脹,嵌套在閃爍晶體陣列外,溫度下降,保護(hù)套2收縮,則保護(hù)套2牢牢的箍住閃爍晶體陣列1,使得閃爍晶體陣列1穩(wěn)定性更好,耐壓性變強(qiáng),抗震強(qiáng)度變強(qiáng),不易松散變形。保護(hù)套為硬質(zhì)復(fù)合材料,在一定程度內(nèi)加熱不會造成變形,不影響其表面的光滑度。

實(shí)施例2:

基于實(shí)施例1的技術(shù),還包括保護(hù)層12,所述保護(hù)層12位于閃爍晶體陣列及保護(hù)套2構(gòu)成的結(jié)構(gòu)的四周及底面,所述保護(hù)層12包括抗震層10、雙面鋁箔膠帶9,單面鋁箔膠帶11,其中抗震層10位于保護(hù)層12的中間,抗震層10兩側(cè)為單面鋁箔膠帶11及雙面鋁箔膠帶9,雙面鋁箔膠11帶位于抗震層10與保護(hù)套2之間。

所述抗震層材料選自EPE珍珠棉、硅膠、橡膠、高分子塑料中的任意一種。

實(shí)施例3:

基于實(shí)施例1或2的技術(shù),更進(jìn)一步說明閃爍晶體陣列的結(jié)構(gòu):閃爍晶體陣列1包括閃爍晶體晶條3、高反射率反射層4,所述閃爍晶體晶條為100條,形成10×10的陣列1,所述高反射率反射層4位于閃爍晶體晶條3與晶條之間;所述高反射率反射層4包括反射膜5、光學(xué)UV膠層6和涂膠接合處7,其中,涂膠結(jié)合處7中心位于反射膜5兩側(cè)的上段1/3及下段1/3位置,兩區(qū)域共占反射膜總面積的30%,光學(xué)UV膠層6均勻分布在涂膠接合處7上。位于反射膜5兩側(cè)的涂膠結(jié)合處7位置相對,大小相同。

當(dāng)然,以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

當(dāng)前第1頁1 2 3 
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
1
礼泉县| 上饶市| 潞西市| 新干县| 平顺县| 马龙县| 永州市| 双辽市| 侯马市| 洪泽县| 怀柔区| 南通市| 禹城市| 涟源市| 梅州市| 清丰县| 江永县| 金塔县| 巴塘县| 通榆县| 白城市| 苍山县| 兰州市| 永丰县| 蓬溪县| 乐清市| 正定县| 图片| 华坪县| 永泰县| 平塘县| 高邑县| 杭锦后旗| 冀州市| 正阳县| 建德市| 石棉县| 阿拉善右旗| 上思县| 旌德县| 福安市|