關(guān)聯(lián)申請(qǐng)的相互參照

本申請(qǐng)基于2015年2月10日提出的日本專利申請(qǐng)第2015－24321號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，這里引用其記載內(nèi)容。

本發(fā)明涉及第1基板和第2基板被接合且在第1基板與第2基板之間配置有傳感部的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

以往，作為這種半導(dǎo)體裝置，提出了具有檢測(cè)加速度的傳感部的結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。具體而言，在該半導(dǎo)體裝置中，在第1基板與第2基板之間配置有檢測(cè)加速度的傳感部。此外，在第1基板形成有與傳感部電連接的第1焊盤部，在第2基板的與第1焊盤部對(duì)置的部分形成有第2焊盤部。并且，這些第1焊盤部與第2焊盤部被接合而被電連接。另外，第1焊盤部及第2焊盤部由以鋁為主成分的材料構(gòu)成。

但是，在這樣的半導(dǎo)體裝置中，由于第1、第2焊盤部由以鋁為主成分的材料構(gòu)成，所以在第1、第2焊盤部的表面形成的氧化膜(自然氧化膜)非常堅(jiān)固。并且，在將第1焊盤部與第2焊盤部接合時(shí)，為了將第1、第2焊盤部電連接而必須在除去了形成于第1、第2焊盤部的氧化膜的狀態(tài)下進(jìn)行接合，但為了將該氧化膜除去，在將第1、第2焊盤部接合前及接合時(shí)必須使溫度非常高，或使接合時(shí)的載荷非常大。因此，通過設(shè)為這樣的狀態(tài)，傳感部的特性有可能變化。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2013－50320號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制傳感部的特性變化的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一技術(shù)方案，是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，上述半導(dǎo)體裝置具備：第1基板，具有一面；第2基板，具有一面，以該一面與上述第1基板的一面對(duì)置的狀態(tài)而與上述第1基板接合；傳感部，配置在上述第1基板與上述第2基板之間；第1焊盤部，形成在上述第1基板的一面，與上述傳感部電連接；以及第2焊盤部，形成在上述第2基板的一面，與上述第1焊盤部電連接；上述半導(dǎo)體裝置的制造方法具備以下工序：準(zhǔn)備上述第1基板；在上述第1基板的一面形成ti層成為最表面的金屬膜，通過將該金屬膜布圖而形成上述第1焊盤部；準(zhǔn)備上述第2基板；在上述第2基板的一面形成ti層成為最表面的金屬膜，通過將該金屬膜布圖而形成上述第2焊盤部；通過將上述第1、第2基板進(jìn)行真空退火，除去在上述第1焊盤部及上述第2焊盤部的上述ti層上形成的氧化膜；將上述第1焊盤部與上述第2焊盤部接合。

由此，由于以使ti層成為最表面的方式形成第1、第2焊盤部，所以通過進(jìn)行真空退火，與形成在al等的表面的氧化膜相比，氧化膜中的氧更容易進(jìn)入到ti層內(nèi)，此外由于氧化膜較脆弱(容易被分解)，所以能夠容易地將形成在ti層的表面的氧化膜除去。因而，能夠抑制將氧化膜除去時(shí)的工序影響到傳感部，能夠抑制傳感部的特性變化。

根據(jù)本發(fā)明的第二技術(shù)方案，半導(dǎo)體裝置具備：第1基板，具有一面；第2基板，具有一面，以該一面與上述第1基板的一面對(duì)置的狀態(tài)而與上述第1基板接合；傳感部，配置在上述第1基板與上述第2基板之間；第1焊盤部，形成在上述第1基板的一面，與上述傳感部電連接；以及第2焊盤部，形成在上述第2基板的一面，與上述第1焊盤部電連接。此外，上述第1焊盤部、上述第2焊盤部為表面含有ti的層，該包含ti的層彼此被接合。

由此，由于第1、第2焊盤部由表面含有ti的層構(gòu)成，所以在將氧化膜容易地除去后通過接合而構(gòu)成。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)抑制了傳感部的特性變化的半導(dǎo)體裝置。

附圖說明

關(guān)于本發(fā)明的上述目的及其他目的、特征及優(yōu)點(diǎn)，一邊參照附圖一邊通過下述詳細(xì)的記述會(huì)變得明確。

圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖2是圖1中的區(qū)域a的放大圖。

圖3(a)至圖3(c)是表示圖1所示的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖4(a)至圖4(c)是表示接著圖3的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。

圖5是本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖6是圖5中的區(qū)域b的放大圖。

圖7是本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

圖8是本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

圖9是本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

圖10是本發(fā)明的第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

圖11是本發(fā)明的第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

圖12是本發(fā)明的第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的部分放大圖。

具體實(shí)施方式

以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，在以下的各實(shí)施方式中，對(duì)于相同或等同的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)而進(jìn)行說明。

(第1實(shí)施方式)

參照附圖對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖1所示，本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置將第1基板10與第2基板20層疊而構(gòu)成。

第1基板10在本實(shí)施方式中被設(shè)為在支承基板11上隔著絕緣膜12配置有半導(dǎo)體層13的soi(silicononinsulator)基板，一面10a由半導(dǎo)體層13中的與絕緣膜12側(cè)相反側(cè)的一面構(gòu)成。另外，支承基板11及半導(dǎo)體層13由硅基板等構(gòu)成，絕緣膜12由sio2或sin等構(gòu)成。

并且，在半導(dǎo)體層13，通過實(shí)施周知的微機(jī)械加工而形成槽部14，通過該槽部14形成傳感部15。傳感部15沒有特別限定，是由擴(kuò)散電阻等構(gòu)成的壓力傳感器、由在半導(dǎo)體層13中劃分形成的梁構(gòu)造體構(gòu)成的加速度傳感器或角速度傳感器等。

此外，在支承基板11及絕緣膜12，在本實(shí)施方式中，在與傳感部15對(duì)置的部分形成有凹部16，傳感部15為在凹部16上懸浮的狀態(tài)。

在第1基板10的一面10a(半導(dǎo)體層13的表面)，形成有第1焊盤部17及框狀的第1封固部18。具體而言，第1焊盤部17被與傳感部15電連接，在圖1中僅圖示了1個(gè)，但實(shí)際上根據(jù)用途而形成有多個(gè)。第1封固部18被設(shè)為將傳感部15包圍的框狀，焊盤部17配置在由第1封固部18包圍的區(qū)域內(nèi)。

這里，本實(shí)施方式的第1焊盤部17如圖2所示，被設(shè)為在al層40a上層疊有ti層40b的結(jié)構(gòu)。此外，第1封固部18沒有特別圖示，但與第1焊盤部17同樣地，被設(shè)為在al層40a上層疊有ti層40b的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施方式中的al層40a，除了純粹的al以外，還包括al－cu、al－si－cu、al－si等化合物。

第2基板20如圖1所示，具有貼合基板21和絕緣膜22，絕緣膜22形成在貼合基板21中的與第1基板10對(duì)置的一面21a，第2基板20的一面20a由絕緣膜22中的與貼合基板21側(cè)相反側(cè)的一面構(gòu)成。另外，貼合基板21由硅基板等構(gòu)成，絕緣膜22由sio2或sin等構(gòu)成。此外，第2基板20的另一面20b由貼合基板21中的與一面21a相反側(cè)的另一面21b構(gòu)成。

在貼合基板21的一面21a，在與傳感部15對(duì)置的部分形成有凹部23。在本實(shí)施方式中，絕緣膜22還形成在凹部23的壁面，但也可以不形成在凹部23的壁面。

并且，在第2基板20的一面20a，在與第1焊盤部17對(duì)置的部分形成有第2焊盤部24，并且，在與第1封固部18對(duì)置的部分形成有與該第1封固部18對(duì)應(yīng)的形狀(框狀)的第2封固部25。

這里，第2焊盤部24如圖2所示，被設(shè)為在al層41a上層疊有ti層41b的結(jié)構(gòu)。此外，第2封固部25沒有特別圖示，但與第2焊盤部17同樣地，被設(shè)為在al層41a上層疊有ti層41b的結(jié)構(gòu)。另外，本實(shí)施方式中的al層41a，與上述al層40a同樣地，除了純粹的al以外，還包括al－cu、al－si－cu、al－si等化合物。

進(jìn)而，在第2基板20，形成有將第2基板20在第1、第2基板10、20的層疊方向上貫通而到達(dá)第2焊盤部24的貫通孔26，在該貫通孔26中隔著絕緣膜27而形成有貫通電極28。此外，在第2基板20的另一面20b(貼合基板21的另一面21b)形成有絕緣膜29，在絕緣膜29上形成有經(jīng)由未圖示的鍵合線(bondingwire)而與貫通電極28及外部電路電連接的端子部30。另外，在本實(shí)施方式中，貫通電極28及端子部30由al構(gòu)成，絕緣膜29由teos構(gòu)成。

并且，這樣的第2基板20被與第1基板10接合而實(shí)現(xiàn)一體化。具體而言，第1、第2基板10、20通過將第1焊盤部17與第2焊盤部24、第1封固部18與第2封固部25金屬接合而實(shí)現(xiàn)一體化。更詳細(xì)地講，將第1焊盤部17的ti層40b與第2焊盤部24的ti層41b金屬接合，并將第1封固部18的ti層40b與第2封固部25的ti層41b金屬接合，從而實(shí)現(xiàn)一體化。并且，由第1、第2基板10、20、第1、第2封固部18、25之間所包圍的空間構(gòu)成氣密室50，傳感部15被封固在該氣密室50中。另外，在本實(shí)施方式中，氣密室為真空壓力。

以上是本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)。接著，對(duì)上述半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。

首先，如圖3(a)所示，準(zhǔn)備形成有上述傳感部15、第1焊盤部17、第1封固部18的第1基板10。關(guān)于這樣的第1基板10，例如，首先準(zhǔn)備支承基板11，在支承基板11上通過cvd(chemicalvapordeposition)法或熱氧化等而形成絕緣膜12。接著，在進(jìn)行濕式蝕刻等而形成了上述凹部16后，將絕緣膜12與半導(dǎo)體層13接合而形成第1基板10。另外，雖然沒有特別限定，但絕緣膜12與半導(dǎo)體層13的接合通過向接合面照射ar離子束、在使該接合面活化后進(jìn)行接合的所謂直接接合而接合。

然后，在第1基板10的一面10a通過cvd法等形成金屬膜，通過反應(yīng)性離子蝕刻等將該金屬膜布圖，由此形成第1焊盤部17及第1封固部18。本實(shí)施方式的第1焊盤部17及第1封固部18如上述那樣被設(shè)為在al層40a上層疊有ti層40b的層疊構(gòu)造，所以在將al層40a成膜后將ti層40b成膜而構(gòu)成ti層40b為最表面的金屬膜，通過將該金屬膜布圖而形成第1焊盤部17及第1封固部18。然后，通過將半導(dǎo)體層13通過反應(yīng)性離子蝕刻等進(jìn)行蝕刻，形成槽部14而形成傳感部15。由此，準(zhǔn)備形成了上述傳感部15、第1焊盤部17、第1封固部18的第1基板10。

接著，如圖3(b)所示，在與上述圖3(a)不同的工序中，準(zhǔn)備形成有第2焊盤部24及第2封固部25的第2基板20。例如，關(guān)于這樣的第2基板20，首先準(zhǔn)備貼合基板21，在貼合基板21的一面21a通過干式蝕刻等形成凹部23。接著，在貼合基板21的一面20a通過cvd法或熱氧化等形成絕緣膜22。然后，通過cvd法等形成金屬膜，通過反應(yīng)性離子蝕刻等將該金屬膜布圖，由此形成第2焊盤部24及第2封固部25。本實(shí)施方式的第2焊盤部24及第2封固部25由于如上述那樣被設(shè)為在al層41a上層疊有ti層41b的層疊構(gòu)造，所以在將al層41a成膜后將ti層41b成膜而構(gòu)成ti層41b為最表面的金屬膜，通過將該金屬膜布圖而形成第2焊盤部24及第2封固部25。

另外，在圖3(a)及圖3(b)的工序中，優(yōu)選的是，在al層40a、41a上層疊ti層40b、41b的情況下，在將al層40a、41a成膜后，不暴露在大氣中而將ti層40b、41b成膜，以使得在al層40a、41a的表面不形成氧化膜。

然后，如圖3(c)所示，通過將第1基板10及第2基板20在真空下加熱處理到180℃以上(真空退火)，來除去在ti層40b、41b的表面形成的氧化膜(自然氧化膜)。此時(shí)，在ti層40b、41b的表面形成的氧化膜，與形成在al等的表面上的氧化膜相比，氧化膜中的氧容易進(jìn)入到ti層40b、41b內(nèi)，此外氧化膜較脆弱(容易被分解)，所以能夠通過真空退火容易地除去。另外，根據(jù)傳感部15的結(jié)構(gòu)，也可以加熱處理到400℃以上。

然后，如圖4(a)所示，將第1基板10與第2基板20接合。具體而言，使用適當(dāng)?shù)匦纬傻膶?duì)準(zhǔn)標(biāo)記，通過紅外顯微鏡等進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，將第1基板10的第1焊盤部17與第2基板20的第1焊盤部24、第1基板10的第1封固部18與第2基板20的第2封固部25保持固相狀態(tài)不變地進(jìn)行金屬接合。詳細(xì)地講，將第1、第2焊盤部17、24的ti層40b、41b彼此進(jìn)行金屬接合，將第1、第2封固部18、25的ti層40b、41b彼此進(jìn)行金屬接合。由此，在第1基板10與第2基板20之間構(gòu)成氣密室50，并且傳感部15被封固在氣密室50中。

另外，在該工序中，由于在圖3(c)的工序中已經(jīng)除去了形成在ti層40b、41b的表面上的氧化膜，所以不需要在接合時(shí)向第1、第2基板10、20施加很大的載荷。

接著，如圖4(b)所示，在第2基板20，形成在第1、第2基板10、20的層疊方向上貫通而到達(dá)第2焊盤部24的貫通孔26。接著，在該貫通孔26的壁面將teos等的絕緣膜27成膜。此時(shí)，由形成在第2基板20的另一面20b(貼合基板21的另一面21b)的絕緣膜構(gòu)成絕緣膜29。即，絕緣膜27和絕緣膜29在相同的工序中形成。然后，除去在貫通孔26的底部形成的絕緣膜27，使第2焊盤部24在貫通孔26內(nèi)露出。

接著，如圖4(c)所示，在貫通孔26中通過濺射法或蒸鍍法等配置金屬膜而形成貫通電極28，并且將絕緣膜29上的金屬膜布圖而形成端子部30，由此制造出本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。

另外，在上述中，對(duì)1個(gè)半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行了說明，但也可以準(zhǔn)備晶片狀的第1、第2基板10、20，在將它們接合后進(jìn)行切割而按芯片單位分割。

如以上說明，在本實(shí)施方式中，在al層40a上層疊ti層41b而構(gòu)成第1焊盤部17及第1封固部18，在al層41a上層疊ti層41b而構(gòu)成第2焊盤部24及第2封固部25。因此，在將第1焊盤部17與第2焊盤部24、第1封固部18與第2封固部25接合之前，通過進(jìn)行真空退火，與形成在al等的表面上的氧化膜相比，氧化膜中的氧容易進(jìn)入到ti層40b、41b內(nèi)，此外氧化膜較脆弱(容易被分解)，所以能夠容易地將形成在ti層40b、41b的表面上的氧化膜除去。因而，能夠抑制將氧化膜除去時(shí)的工序?qū)鞲胁?5帶來影響，能夠抑制傳感部15的特性變化。

此外，雖然在第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25的表面形成了ti層40b、41b，但端子部30與以往同樣由al構(gòu)成。因此，將外部電路與端子部30連接的引線鍵合能夠與以往同樣地進(jìn)行。

進(jìn)而，也可以考慮使用au構(gòu)成第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25，以使第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25難以氧化，但如本實(shí)施方式那樣使用ti層40b、41b而使氧化膜容易除去能夠抑制成本的增加。

此外，在本實(shí)施方式中，在將第1、第2基板10、20接合時(shí)，由于將第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25保持固相狀態(tài)不變地接合，所以與使第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25成為液相狀態(tài)而接合的情況相比，能夠抑制第1基板10的一面10a與第2基板20的一面20a之間的間隔的控制變得復(fù)雜。

另外，在上述中，對(duì)在al層40a、41a上形成有ti層40b、41b的例子進(jìn)行了說明，但配置在ti層40b、41b下的金屬層可以適當(dāng)變更。

(第2實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式而言，在氣密室50形成有捕獲層(getteringlayer)，其他與第1實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖5所示，在形成于凹部23的底面的絕緣膜22上，形成有吸附活性氣體的捕獲層31。與第2焊盤部24及第2封固部25同樣地，如圖6所示，捕獲層31被設(shè)為在al層42a上層疊有ti層42b的層疊構(gòu)造。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在圖3(b)的工序中準(zhǔn)備具有捕獲層31的第2基板20來制造。具體而言，在本實(shí)施方式中，由于捕獲層31被設(shè)為與第2焊盤部24及第2封固部25同樣的結(jié)構(gòu)，所以捕獲層31通過與形成第2焊盤部24及第2封固部25的工序相同的工序形成。即，在圖3(b)的工序中將金屬膜成膜后，在將第2焊盤部24及第2封固部25布圖時(shí)同時(shí)形成。即，第2焊盤部24及第2封固部25的al層41a及ti層41b、和捕獲層31的al層42a及ti層42b是通過相同的工序形成的。

由此，由于在氣密室50內(nèi)形成有捕獲層31，所以能夠維持氣密室50的真空度。

(第3實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第2實(shí)施方式而言，變更了捕獲層31的結(jié)構(gòu)，其他與第2實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖7所示，al層42a為表面被粗糙化處理的凹凸形狀。并且，在粗糙化處理后的al層42a上形成有ti層42b。另外，圖7是與圖5中的區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的部分的放大圖。此外，在本實(shí)施方式中，al層42a相當(dāng)于本發(fā)明的基底層。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在圖3(b)的工序中將al層42a(al層41a)成膜后、對(duì)構(gòu)成捕獲層31的部分(本發(fā)明的基底層)進(jìn)行反濺射處理或進(jìn)行噴砂處理而進(jìn)行了粗糙化處理后、將ti層42b(ti層41b)成膜而形成。

由此，能夠增加作為捕獲件發(fā)揮功能的ti層42b的表面積，所以能夠增加發(fā)揮吸附(捕獲)效果的區(qū)域。因而，能夠進(jìn)一步維持氣密室50的真空度。

(第4實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第2實(shí)施方式而言，變更了捕獲層31的結(jié)構(gòu)，其他與第2實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖8所示，在凹部23的底面形成有多個(gè)溝槽43，絕緣膜22還形成于溝槽43的壁面。另外，圖8是與圖5中的區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的部分的放大圖，是凹部23的底面附近的放大圖。關(guān)于溝槽43，在本實(shí)施方式中，從開口部側(cè)朝向底面?zhèn)葘?duì)置的側(cè)面的間隔(溝槽43的寬度)大致是固定的。并且，捕獲層31以留出溝槽43的內(nèi)部的空間43a的方式沿著溝槽43的壁面形成。即，捕獲層31形成為，不將溝槽43填埋。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在圖3(b)的工序中形成凹部23之后形成溝槽43來制造。

由此，與上述第3實(shí)施方式同樣，能夠增加作為捕獲件發(fā)揮功能的ti層42b的表面積，所以能夠進(jìn)一步維持氣密室50的真空度。

另外，在本實(shí)施方式中，溝槽43也可以被設(shè)為從開口部側(cè)朝向底部側(cè)而對(duì)置的側(cè)面的間隔逐漸變窄的錐形狀。

(第5實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式而言變更了第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25的結(jié)構(gòu)，其他與第1實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖9所示，第1、第2焊盤部17、24僅由ti層40b、41b構(gòu)成，沒有配置al層40a、41a。同樣，第1、第2封固部18、25雖然沒有特別圖示，但僅由ti層40b、41b構(gòu)成，沒有配置al層40a、41a。另外，圖9是與圖1中的區(qū)域a相對(duì)應(yīng)的部分的放大圖。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在圖3(a)及圖3(b)的工序中僅層疊ti層40b、41b而構(gòu)成。

由此，在將第1焊盤部17與第2焊盤部24、第1封固部18與第2封固部25接合時(shí)，由于第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25僅由ti層40b、41b構(gòu)成，所以不會(huì)有al擴(kuò)散到ti層40b、41b中而發(fā)生孔隙的情況。因此，能夠抑制接合強(qiáng)度的下降。

另外，在本實(shí)施方式中，對(duì)僅由ti層40b、41b構(gòu)成第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25的例子進(jìn)行了說明，但在配置al層40a、41a的情況下，也可以通過在該al層40a、41a上配置tiw層來抑制al的擴(kuò)散。

(第6實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第6實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式而言配置有間隔件，其他與第1實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖10所示，在第1基板10的一面10a，以被第1封固部18覆蓋的方式配置有間隔件32。此外，雖然沒有特別圖示，但在第1基板10的一面10a，以被第1焊盤部17覆蓋的方式配置有間隔件32。另外，圖10是與圖1中的區(qū)域c相對(duì)應(yīng)的部分的放大圖。此外，間隔件32例如由氧化膜等絕緣膜構(gòu)成，被第1封固部18封固的間隔件32被設(shè)為與第1封固部18的形狀對(duì)應(yīng)的框狀構(gòu)造。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在圖3(a)的工序中在形成第1焊盤部17及第1封固部18之前形成間隔件32、以覆蓋該間隔件32的方式形成第1焊盤部17及第1封固部18來制造。

由此，由于通過間隔件32能夠?qū)⒌?基板10的一面10a與第2基板20的一面20a之間的間隔保持為間隔件32的高度以上，所以能夠提高接合時(shí)的制造條件的自由度。另外，所謂間隔件32的高度，是間隔件32的相對(duì)于第1基板10的一面10a的法線方向上的長(zhǎng)度。

(第7實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第7實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式而言變更了第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25的大小，其他與第1實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

在本實(shí)施方式中，如圖11所示，使第2封固部25的大小比第1封固部18的大小大。此外，雖然沒有特別圖示，但第2焊盤部24的大小比第1焊盤部17的大小大。另外，這里的大小，是從相對(duì)于第1、第2基板10、20的一面10a、20a的法線方向觀察時(shí)的平面形狀的大小。

這樣的半導(dǎo)體裝置通過在上述圖3(a)及圖3(b)的工序中將形成第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25時(shí)的布圖形狀適當(dāng)變更來制造。

由此，由于第1焊盤部17與第2焊盤部24、第1封固部18與第2封固部25的大小不同，所以能夠提高將第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25接合時(shí)相對(duì)于校準(zhǔn)偏差的穩(wěn)定性。

(第8實(shí)施方式)

對(duì)本發(fā)明的第8實(shí)施方式進(jìn)行說明。本實(shí)施方式相對(duì)于第1實(shí)施方式而言使氣密室50成為氮?dú)夥眨渌c第1實(shí)施方式同樣，所以這里省略說明。

本實(shí)施方式中，基本的結(jié)構(gòu)與上述第1實(shí)施方式是同樣的，但氣密室50內(nèi)為氮?dú)夥?。并且，?焊盤部17及第2焊盤部24如圖12所示，在表面形成有tin層40c、41c，該tin層40c、41c彼此被接合。

另外，關(guān)于第1、第2封固部18、25，雖然沒有特別圖示，但與第1、第2焊盤部17、24同樣，在表面形成有tin層40c、41c，該tin層40c、41c彼此被接合。并且，圖12是圖1中的區(qū)域a的放大圖。此外，由于tin層40c、41c具有導(dǎo)電性，所以通過將tin層40c、41c彼此接合，能實(shí)現(xiàn)第1焊盤部17與第2焊盤部24的電連接。

對(duì)于這樣的半導(dǎo)體裝置而言，在進(jìn)行了上述圖3(c)的工序后，將第1、第2基板10、20配置到n2氣氛下。此時(shí)，在ti層40b、41b的表面分別形成tin層40c、41c。并且，通過將tin層40c、41c彼此進(jìn)行金屬接合而制造本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。

這樣，還能夠?qū)⒈景l(fā)明應(yīng)用于氣密室50被設(shè)為氮?dú)夥盏陌雽?dǎo)體裝置。此外，在使氣密室50為氮?dú)夥盏那闆r下，雖然在ti層40b、41b的表面形成有tin層40c、41c，但由于tin層40c、41c具有導(dǎo)電性，所以通過將該tin層40c、41c彼此接合，與將tin層40c、41c除去的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)制造工序的簡(jiǎn)略化。

(其他實(shí)施方式)

本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)能夠適當(dāng)變更。

例如，在上述第1實(shí)施方式中，第1基板10也可以不是soi基板，而由水晶等構(gòu)成。

此外，在上述第1、第5、第6、第7實(shí)施方式中，也可以不形成氣密室50。

并且，在上述第2～第4實(shí)施方式中，捕獲層31也可以形成在第1基板10側(cè)。

此外，在上述第6實(shí)施方式中，說明了以被第1焊盤部17及第1封固部18覆蓋的方式配置間隔件32的例子，但間隔件32也可以不被第1焊盤部17及第1封固部18覆蓋。例如，間隔件32也可以形成在比第1封固部18靠外側(cè)而將第1封固部18包圍。此外，間隔件32也可以形成在第2基板20側(cè)。即，只要將第1基板10的一面10a與第2基板20的一面20a之間的間隔規(guī)定為間隔件32的高度以上，則間隔件32的形成部位能夠適當(dāng)變更。

進(jìn)而，也可以將上述各實(shí)施方式組合。例如，也可以將上述第2～第4實(shí)施方式組合到上述第5～第8實(shí)施方式中，使得具備捕獲層31。此外，也可以將上述第5實(shí)施方式組合到上述第6～第8實(shí)施方式中，使得將第1、第2焊盤部17、24及第1、第2封固部18、25僅用ti層40b、41b構(gòu)成。并且，也可以將上述第6實(shí)施方式組合到上述第7、第8實(shí)施方式中，使得具備間隔件32。此外，也可以將上述第7實(shí)施方式組合到上述第8實(shí)施方式中，使得第1焊盤部17與第2焊盤部24以及第1封固部18與第2封固部25的平面形狀的大小不同。進(jìn)而，也可以將組合了上述各實(shí)施方式的形態(tài)彼此再適當(dāng)組合。

本發(fā)明依據(jù)實(shí)施例進(jìn)行了記述，但應(yīng)理解的是本發(fā)明并不限定于該實(shí)施例或構(gòu)造。本發(fā)明也包含各種各樣的變形例或等價(jià)范圍內(nèi)的變形。除此以外，各種各樣的組合或形態(tài)、以及在它們中僅包含一個(gè)要素或包含其以上或以下的要素的其他組合或形態(tài)也包含在本發(fā)明的范疇或思想范圍中。