1.一種三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)，其特征在于，所述的傳感器主要包括玻碳電極(1)、玻碳電極(1)表面的聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)、負(fù)載于聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)上的具高電催化活性的三維花狀結(jié)構(gòu)的鈷納米片薄膜(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)的制備方法，其特征在于，具體制備步驟如下：
1)、由溶劑N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶解的高濃度含苯并咪唑的聚芳醚酮溶液，采用微量注射器和簡(jiǎn)單滴涂法，在玻碳電極(1)表面修飾一層聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)；
2)、利用聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)上的苯并咪唑基與鈷離子之間較強(qiáng)的配合作用力，先將硫酸鈷前驅(qū)溶液中的鈷離子預(yù)富集到聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)上，然后再原位電化學(xué)還原，在聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)的修飾電極上負(fù)載具三維花狀結(jié)構(gòu)的鈷納米片薄膜(3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)的制備方法，其特征在于，所述的具三維花狀結(jié)構(gòu)的鈷納米片薄膜(3)均勻分布于聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)的制備方法，其特征在于，所述的聚芳醚酮-苯并咪唑(PAEK-BI)高分子聚合物模板和載體膜(2)是將25mg/L的聚芳醚酮-苯并咪唑的DMF溶液滴涂在玻碳電極表面后自然晾干而得，形成的膜表面粗糙且具多孔三維結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)的制備方法，其特征在于，制備得到的還原態(tài)鈷經(jīng)在強(qiáng)堿性介質(zhì)NaOH溶液中電化學(xué)氧化后，得到鈷的兩種高價(jià)氧化物(CoOOH和CoO2)，該兩種高價(jià)鈷氧化物同時(shí)對(duì)葡萄糖有較高的電催化活性，從而擴(kuò)寬了三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器應(yīng)用時(shí)的電化學(xué)活性窗口。
6.一種如權(quán)利要求1所述的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器(4)應(yīng)用于葡萄糖的電化學(xué)催化氧化檢測(cè)，其特征在于，所述的傳感器電化學(xué)測(cè)定電位窗口范圍寬，對(duì)葡萄糖有穩(wěn)定、重現(xiàn)和快速靈敏的電流響應(yīng)，所述的傳感器制備過(guò)程的可重復(fù)程度高，聚芳醚酮高分子聚合物膜的預(yù)富集Co2模板作用和負(fù)載納米鈷的載膜作用，保證了發(fā)明的三維花狀鈷納米片葡萄糖電化學(xué)傳感器在測(cè)定葡萄糖時(shí)的穩(wěn)定性。