本發(fā)明涉及一種防水部件、防水部件的制造方法、壓力傳感器及電子模塊。
背景技術(shù)：
：一直以來，作為具有防水性能的壓力傳感器而已知一種專利文獻1中所記載的結(jié)構(gòu)。專利文獻1的壓力傳感器具有：封裝件；被收納于封裝件內(nèi)的壓力傳感器；以對壓力傳感器進行覆蓋的方式而被填充于封裝件內(nèi)的凝膠，封裝件外的壓力會經(jīng)由凝膠而傳遞至壓力傳感器。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，由于能夠通過凝膠來防止水分向壓力傳感器的附著，因此能夠發(fā)揮防水性能。然而，在如專利文獻1那樣的結(jié)構(gòu)中，在不使氣泡產(chǎn)生的條件下將凝膠緊密地充填于封裝件內(nèi)是非常困難的，并且也是需要專業(yè)技術(shù)的。當(dāng)在凝膠內(nèi)產(chǎn)生氣泡(空隙)時，存在封裝件外的壓力與被傳輸至壓力傳感器的壓力產(chǎn)生偏差，從而壓力檢測精度下降的問題。專利文獻1：日本特開2015-143634號公報技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠容易地賦予防水性能的防水部件、防水部件的制造方法、壓力傳感器及電子模塊。這樣的目的通過如下的本發(fā)明而達成。本發(fā)明的防水部件的特征在于，具有：層壓體，其具備第一層以及被配置在所述第一層的一側(cè)的第二層；貫穿孔，其被設(shè)置在所述層壓體上，并阻止液體的通過且容許氣體的通過，所述貫穿孔具有第一貫穿孔和第二貫穿孔，所述第一貫穿孔貫穿所述第一層，所述第二貫穿孔貫穿所述第二層且與所述第一貫穿孔連通，所述第二貫穿孔的寬度與所述第一貫穿孔的寬度相比較小。通過使用這種結(jié)構(gòu)的防水部件，從而能夠容易地賦予防水性能。在本發(fā)明的防水部件中，優(yōu)選為，所述第二貫穿孔的寬度隨著趨向從所述第一層側(cè)離開的方向而逐漸減小。由此，第二貫穿孔的形成變得容易，并且能夠獲得寬度足夠小的第二貫穿孔。在本發(fā)明的防水部件中，優(yōu)選為，所述第二貫穿孔的寬度的漸減率隨著趨向從所述第一層側(cè)離開的方向而逐漸減小。由此，第二貫穿孔的形成變得容易，并且能夠獲得寬度足夠小的第二貫穿孔。在本發(fā)明的防水部件中，優(yōu)選為，所述第二層的與所述第一層相反的一側(cè)的面上的所述第二貫穿孔的寬度在0.1μm以上且10μm以下。由此，能夠使第二貫穿孔的寬度足夠小，從而能夠獲得更高的防水性能。在本發(fā)明的防水部件中，優(yōu)選為，所述層壓體具有第三層，所述第三層被配置在所述第一層的與所述第二層相反的一側(cè)，所述第三層具有與所述貫穿孔相比寬度較大的第一開口。由此，能夠提高防水部件的機械強度。此外，防水部件的制造變得容易。在本發(fā)明的防水部件中，優(yōu)選為，所述層壓體具有第四層，所述第四層被配置在所述第一層與所述第三層之間，并且在所述第一貫穿孔與所述第一開口之間形成間隙，所述第四層具有與所述貫穿孔相比寬度較大的第二開口，所述貫穿孔與所述第一開口經(jīng)由所述第二開口而連通。由此，防水部件的制造變得容易。本發(fā)明的防水部件的制造方法的特征在于，包括：準備設(shè)置有第一貫穿孔的第一層的工序；通過氣相生長法而在所述第一層的一個面上對具有與所述第一貫穿孔連通的第二貫穿孔的第二層進行成膜的工序，所述第二貫穿孔的寬度與所述第一貫穿孔的寬度相比較小。由此，能夠容易地制造出防水部件。在本發(fā)明的防水部件的制造方法中，優(yōu)選為，所述氣相生長法于在所述第一貫穿孔的形成有所述第二層的一側(cè)的相反側(cè)形成了空隙的狀態(tài)下被實施。由此，能夠容易地形成第二貫穿孔。本發(fā)明的壓力傳感器的特征在于，具有：基板，其具有隔膜；壓力基準室，其位于所述隔膜的一側(cè)；本發(fā)明的防水部件，其被配置在所述隔膜的另一側(cè)，所述隔膜與所述防水部件之間以液密的方式被密封。由此，能夠通過容易的結(jié)構(gòu)而獲得具有防水功能的壓力傳感器。本發(fā)明的電子模塊的特征在于，具有：封裝件，其具有：具有凹部的基座；和以對所述凹部的開口進行封堵的方式而被接合在所述基座上的本發(fā)明的防水部件；電子部件，其被收納于所述封裝件的所述凹部內(nèi)。由此，能夠通過容易的結(jié)構(gòu)而獲得具有防水功能的電子模塊。附圖說明圖1為本發(fā)明的第一實施方式所涉及的防水部件的剖視圖。圖2為圖1所示的防水部件的俯視圖。圖3為圖1所示的防水部件的放大剖視圖。圖4為表示圖1所示的防水部件的改變例的放大剖視圖。圖5為表示圖1所示的防水部件的改變例的放大剖視圖。圖6為用于對確定貫穿孔的直徑的方法進行說明的模式圖。圖7為圖1所示的防水部件的制造方法的流程圖。圖8為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖9為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖10為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖11為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖12為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖13為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖14為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖15為表示第二氧化硅層的厚度與第二貫穿孔的直徑之間的關(guān)系的圖表。圖16為本發(fā)明的第二實施方式所涉及的壓力傳感器的剖視圖。圖17為表示圖16所示的壓力傳感器所具有的傳感器部的俯視圖。圖18為表示包含圖17所示的傳感器部的橋接電路的圖。圖19為本發(fā)明的第三實施方式所涉及的電子模塊的剖視圖。圖20為表示高度計的一個示例的立體圖。圖21為表示電子設(shè)備的一個示例的主視圖。圖22為表示移動體的一個示例的立體圖。具體實施方式以下，基于附圖所示的實施方式來對防水部件、防水部件的制造方法、壓力傳感器及電子模塊詳細地進行說明。第一實施方式首先，對本發(fā)明的第一實施方式所涉及的防水部件進行說明。圖1為本發(fā)明的第一實施方式所涉及的防水部件的剖視圖。圖2為圖1所示的防水部件的俯視圖。圖3為圖1所示的防水部件的放大剖視圖。圖4以及圖5分別為表示圖1所示的防水部件的改變例的放大剖視圖。圖6為用于對確定貫穿孔的直徑的方法進行說明的模式圖。圖7為圖1所示的防水部件的制造方法的流程圖。圖8至圖14分別為用于對圖1所示的防水部件的制造方法進行說明的剖視圖。圖15為表示第二氧化硅層的厚度與第二貫穿孔的直徑之間的關(guān)系的圖表。另外，在以下的說明中，為了便于說明而將圖1中的上側(cè)稱為“上”，將下側(cè)稱為“下”。圖1所示的防水部件1具有：層壓有四個層的層壓體2；被形成在層壓體2上的貫穿孔3以及開口4。貫穿孔3具有阻止水(液體)的通過且容許氣體g的通過的程度的較小的直徑(寬度)。因此，例如，當(dāng)以覆蓋空腔狀的基座的方式而配置放水部件1時，能夠防止水(液體)向基座內(nèi)的浸入，且容許空氣(氣體)向基座內(nèi)外的移動。以下，對這樣的防水部件1詳細地進行說明。層壓體2具有：由從下側(cè)起依次層壓有第一硅層21(第三層)、第一氧化硅層22(第四層)以及第二硅層23(第一層)而成的soi(silicononinsulator：絕緣體上硅)基板20；被配置在soi基板20的上表面(第二硅層23的一側(cè)的面)上的第二氧化硅層24(第二層)。以此方式，通過使用將硅層與氧化硅層交替地進行層壓而得到的層壓體以作為層壓體2，從而層壓體2的結(jié)構(gòu)變得容易。此外，也如在后文所述的制造方法中所說明的那樣，由于貫穿孔3的形成使用蝕刻技術(shù)，因此通過使用對蝕刻選擇比較大的硅層與氧化硅層進行層壓所得到的層壓體2，從而能夠高精度地實施蝕刻。不過，作為層壓體2的結(jié)構(gòu)，并不限定于此，例如，第二硅層23只需如在后文所述的制造方法中所說明的那樣，具有在對第一氧化硅層22進行蝕刻時的蝕刻耐性即可，例如能夠使用al、cu、w、ti、tin等金屬材料。此外，對于第二氧化硅層24，也能夠使用al、cu、w、ti、tin等金屬材料。在上述四個層21、22、23、24中，第一硅(si)層21主要是用于提高防水部件1的機械強度且在第二硅層23的下側(cè)形成空間的層。此外，第一氧化硅(sio2)層22主要是用于在第一硅層21與第二硅層23之間形成間隙的層。此外，第二硅(si)層23主要是成為對第二氧化硅層24進行成膜的母材的層。此外，第二氧化硅(sio2)層24主要是用于將貫穿孔3的直徑縮小為能夠阻止水的通過且容許空氣的通過的程度的層。第二氧化硅層24的表面優(yōu)選為，例如，通過具有三氟甲基(-cf3)的氟化合物而實施憎水處理。以此方式，由于通過對第二氧化硅層24的表面進行憎水處理，從而能夠高精度地控制第二氧化硅層24的表面上的水的接觸角，因此易于確定貫穿孔3的直徑。另外，當(dāng)通過具有三氟甲基的氟化合物來進行憎水處理時，第二氧化硅層24的表面上的水的接觸角理論上成為120°左右。此外，作為四個層21、22、23、24的厚度，均未被特別地限定。作為第一硅層21的厚度，優(yōu)選在100μm以上且500μm以下的程度，更優(yōu)選在150μm以上且250μm以下的程度。此外，作為第一氧化硅層22的厚度，優(yōu)選在0.1μm以上且10μm以下的程度，更優(yōu)選在0.1μm以上且0.5μm以下的程度。此外，作為第二硅層23的厚度，優(yōu)選在1.0μm以上且10μm以下的程度，更優(yōu)選為1.0μm左右。此外，作為第二氧化硅層24的厚度，優(yōu)選在1.0μm以上且10μm以下的程度，更優(yōu)選在2.0μm以上且5.0μm以下的程度。通過采用這樣的厚度，從而能夠使各個層21、22、23、24更有效地發(fā)揮上述的效果。這樣的層壓體2如圖2所示，具有在俯視觀察時位于中央部處并且形成有貫穿孔3的第一區(qū)域s1和以包圍第一區(qū)域s1的方式而位于外緣部處并且未形成有貫穿孔3的框狀的第二區(qū)域s2。通過以此方式在外緣部處設(shè)置第二區(qū)域s2，從而能夠在第二區(qū)域s2處將防水部件1與其他部件進行接合，由此使防水部件1向其他部件的安裝變得容易。但是，第二區(qū)域s2可以省略，其配置也可以不同。以上，對層壓體2進行了說明。接下來，對被形成在層壓體2上的貫穿孔3以及開口4詳細地進行說明。貫穿孔3以在俯視觀察時，大致均等地分散于第一區(qū)域s1的整個區(qū)域內(nèi)的方式而形成有多個。但是，作為貫穿孔3的配置，并未被特別地限定，也可以以在第一區(qū)域s1內(nèi)具有疏密的方式而進行配置(即，也可以在第一區(qū)域s1內(nèi)存在有貫穿孔3的設(shè)置密度較高的部分和較低的部分)。此外，作為貫穿孔3的數(shù)量也未被特別地限定，也可以為一個。這樣的貫穿孔3如圖3所示那樣貫穿第二硅層23以及第二氧化硅層24而被形成。此外，貫穿孔3具有貫穿第二硅層23的第一貫穿孔31和貫穿第二氧化硅層24的第二貫穿孔32。第一貫穿孔31具有圓形的橫截面形狀，其直徑(寬度)r1在深度方向上幾乎為固定。因此，也可以說第一貫穿孔31具有大致圓柱狀的內(nèi)部空間。不過，作為第一貫穿孔31的形狀，并未被特別地限定，例如，橫截面形狀也可以為四邊形、三角形、橢圓形、不規(guī)則形狀等，此外，也可以為直徑沿著深度方向而逐漸減小或逐漸增大的錐形形狀。雖然作為第一貫穿孔31的直徑r1未被特別地限定，但優(yōu)選在0.5μm以上且20μm以下的程度，更優(yōu)選在0.8μm以上且1.2μm以下的程度，進一步優(yōu)選為1.0μm左右。通過將直徑r1設(shè)為這樣的尺寸，從而也如在后文所述的制造方法中所說明的那樣，第二貫穿孔32的形成變得容易。第二貫穿孔32具有圓形的橫截面形狀，其直徑(寬度)隨著趨向上側(cè)(從第二硅層23離開的方向)而逐漸減小。此外，第二貫穿孔32的直徑的漸減率隨著趨向上側(cè)而逐漸減小。即，內(nèi)周面的傾斜隨著趨向上側(cè)而變陡，并且在上端部處內(nèi)周面成為大致垂直地直立的狀態(tài)。因此，第二貫穿孔32具有直徑隨著趨向上側(cè)而逐漸減小的直徑漸減部32a和被連接于直徑漸減部32a的上側(cè)并且直徑隨著趨向上側(cè)而為大致固定的直徑固定部32b，從而也可以說第二貫穿孔32具有漏斗狀的內(nèi)部空間。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，由于能夠使第二貫穿孔32的直徑隨著從下側(cè)趨向上側(cè)而逐漸減小，因此能夠高精度地控制層壓體2的上表面上的直徑(最小直徑)。不過，作為第二貫穿孔32的形狀，并未被特別地限定，例如，橫截面形狀也可以為四邊形、三角形、橢圓形、不規(guī)則形狀等。此外，也可以不具有直徑固定部32b。此外，如圖4所示，直徑漸減部32a中的直徑的漸減率也可以隨著趨向上側(cè)而成為大致固定。此外，如圖5所示，也可以不具有直徑固定部32b，而且直徑漸減部32a具有直徑的漸減率隨著趨向上側(cè)而為大致固定的第一直徑漸減部32a’，和被連接于第一直徑漸減部32a’的上側(cè)，并且直徑的漸減率隨著趨向上側(cè)而為大致固定且與第一直徑漸減部32a’的漸減率相比較小的第二直徑漸減部32a”。第二貫穿孔32的最小的直徑(即，第二氧化硅層24的表面(層壓體2的上表面)側(cè)的開口的直徑)r2與第一貫穿孔31的直徑r1相比較小。以此方式，通過滿足r2＜r1的關(guān)系，從而能夠使r2的值足夠小，由此能夠獲得可阻止水的通過且容許氣體g的通過的貫穿孔3。雖然作為這樣的直徑r2，未被特別地限定，但例如優(yōu)選在0.1μm以上且10μm以下。由此，成為能夠更切實地阻止水的通過的貫穿孔3。此外，作為直徑r2，優(yōu)選為小至能夠?qū)崿F(xiàn)10氣壓防水(即，即使在水中下潛了100m的狀態(tài)下也能夠阻止水的通過)的程度。由此，例如能夠發(fā)揮即使是自由潛水等也能夠承受得住的防水性能，從而成為在便利性方面較為優(yōu)異的防水部件1。如前文所述，由于第二氧化硅層24的表面的水的接觸角為120°左右，因此為了實現(xiàn)10氣壓防水，需要將直徑r2的最小值設(shè)為0.144μm以下的程度。如果對直徑r2的確定方法簡單地進行說明，則如圖6所示，當(dāng)設(shè)定d＝直徑、p＝壓力、σ＝表面張力、θ＝接觸角時，由于滿足d＝(-4σcosθ)/p的關(guān)系，因此當(dāng)將水的表面張力(σ≒72dyn/cm：20℃)、壓力(p＝10atm)、接觸角(θ＝120°)代入到該式中時，能夠求得d＝0.144μm。另外，作為參考，將對于數(shù)個接觸角θ而能夠?qū)崿F(xiàn)10氣壓防水的d的值示出在以下的表1中。【表1】θ(°)d(μm)1000.051100.0991200.1441300.1851400.2211500.2491600.2711700.2841800.288如圖1以及圖3所示，開口4具有被形成在第一硅層21上的第一開口41和被形成在第一氧化硅層22上的第二開口42。第一開口41以在第一區(qū)域s1內(nèi)大致均等地分散的方式而形成有多個，各個第一開口41的直徑(寬度)r3與第一貫穿孔31的直徑r1相比較大。另外，作為第一開口41，例如也可以由與第一區(qū)域s1的幾乎整個區(qū)域重疊的一個開口構(gòu)成。不過，如本實施方式這樣采用了多個第一開口41的方式在能夠提高第一硅層21的機械強度的方面較為有利。另一方面，第二開口42由與第一區(qū)域s1的幾乎整個區(qū)域重疊的一個開口構(gòu)成，第一開口41與第一貫穿孔31經(jīng)由第二開口42而連通。由于通過這樣的開口4而在第一貫穿孔31的下側(cè)(與第二氧化硅層24相反的一側(cè))形成有空隙，因此也如在后文所述的制造方法中所說明的那樣，能夠高精度地制造出防水部件1。以上，對防水部件1的結(jié)構(gòu)進行了說明。另外，雖然在本實施方式中，層壓體2具有4個層21、22、23、24，但作為層壓體2的結(jié)構(gòu)，只需至少具有第二硅層23以及第二氧化硅層24即可。即，也可以省略第一硅層21以及第一氧化硅層22。接下來，對防水部件1的制造方法進行說明。如圖7所示，防水部件1的制造方法包括準備soi基板20的準備工序、在soi基板20的上表面上對第二氧化硅層24進行成膜的成膜工序和對第二氧化硅層24的表面進行憎水處理的憎水處理工序。以下，對于這樣的制造方法詳細地進行說明。準備工序首先，如圖8所示，準備由從下側(cè)起依次層壓有第一硅層21、第一氧化硅層22以及第二硅層23而成的soi基板20。接下來，通過在soi基板20的下表面(第一硅層21的表面)上對掩膜進行成膜，并且隔著該掩膜而對第一硅層21進行蝕刻，從而如圖9所示，在第一硅層21上形成第一開口41。此時，第一氧化硅層22作為蝕刻的停止層而發(fā)揮功能。接下來，通過在soi基板20的上表面(第二硅層23的表面)上對掩膜進行成膜，并且隔著該掩膜而對第二硅層23進行蝕刻，從而如圖10所示，在第二硅層23上形成第一貫穿孔31。此時，第一氧化硅層22作為蝕刻的停止層而發(fā)揮功能。接下來，通過經(jīng)由第一開口41以及第一貫穿孔31而對第一氧化硅層22進行蝕刻，從而如圖11所示，形成第二開口42。由此，獲得形成有第一開口41以及第一貫穿孔31的soi基板20。另外，雖然作為上述蝕刻，并未被特別地限定，但例如優(yōu)選為，對第一硅層21以及第二硅層23使用干蝕刻，對第一氧化硅層22使用濕蝕刻。成膜工序接下來，通過濺射法(氣相生長法)而在soi基板20的上表面(第二硅層23的表面)上對氧化硅層進行成膜，從而如圖12所示，獲得形成有第二貫穿孔32的第二氧化硅層24。由此，獲得形成有貫穿孔3以及開口4的層壓體2。另外，在本工序中，例如，優(yōu)選為，作為靶而使用硅(si)，并在導(dǎo)入反應(yīng)性氣體(o2)的同時實施反應(yīng)濺射。此處，如對本工序詳細地進行說明，則如圖13所示，在使第二氧化硅層24生長時，最初，雖然欲對第一貫穿孔31進行封堵，從而第二貫穿孔32的直徑急劇地變窄，但如圖14所示，從第二氧化硅層24超過某一厚度時起，第二貫穿孔32的直徑便幾乎不再變小，此后，直徑為大致固定的狀態(tài)持續(xù)。這是因為，在第一貫穿孔31的下側(cè)形成有由開口4所形成的空間，穿過了第二貫穿孔32以及第一貫穿孔31的sio2分子會散逸到該空間，從而抑制了第二貫穿孔32被封堵的情況。以此方式，通過于在第一貫穿孔31的與對第二氧化硅層24進行成膜的面相反的一側(cè)形成有空隙的狀態(tài)下實施上述的濺射，從而能夠容易且更加切實地形成直徑足夠小的第二貫穿孔32。另外，在發(fā)明人所實施的實驗中，在第一貫穿孔31的直徑r1為1.0μm時，也如圖15的圖表所示那樣，從厚度超過3.0μm時起，第二貫穿孔32的直徑變得不再發(fā)生變化，并且該直徑為0.1μm左右。以此方式，根據(jù)上述的第二貫穿孔32的形成方法，能夠更加切實地制造出可實現(xiàn)10氣壓防水的防水部件1。此外，能夠抑制第二氧化硅層24的厚度，從而能夠?qū)⒎浪考?設(shè)為更薄。憎水處理工序接下來，通過利用具有三氟甲基(-cf3)的氟化合物來對第二氧化硅層24的表面進行憎水處理，從而獲得防水部件1。根據(jù)這樣的制造方法，能夠容易地制造出防水部件1。第二實施方式接下來，對本發(fā)明的第二實施方式所涉及的壓力傳感器進行說明。圖16為本發(fā)明的第二實施方式所涉及的壓力傳感器的剖視圖。圖17為表示圖16所示的壓力傳感器所具有的傳感器部的俯視圖。圖18為表示包含圖17所示的傳感器部的橋接電路的圖。另外，在以下，為了便于說明，將圖16中的上側(cè)稱為“上”，將下側(cè)稱為“下”。圖16所示的壓力傳感器10具有：基板6；被設(shè)置在基板6中的傳感器部7；被設(shè)置在基板6的上表面上的周圍結(jié)構(gòu)體8；由基板6以及周圍結(jié)構(gòu)體8劃分形成的空洞部s；被設(shè)置在基板6的下表面上的防水部件1。以下，對上述各個部件依次進行說明?；迦鐖D16所示，基板6通過在作為soi基板(硅層611、氧化硅層612、硅層613的層壓基板)的半導(dǎo)體基板61上依次層壓由硅氧化膜(sio2膜)構(gòu)成的第一絕緣膜62、由硅氮化膜(sin膜)構(gòu)成的第二絕緣膜63、多晶硅膜64而構(gòu)成。不過，作為半導(dǎo)體基板61，并不限定于soi基板，例如，也能夠使用硅基板。此外，對于第一絕緣膜62或第二絕緣膜63，只要能夠發(fā)揮蝕刻耐性和絕緣性，則其材料并不被特別地限定。此外，第一絕緣膜62、第二絕緣膜63、多晶硅膜64只需根據(jù)需要而設(shè)置即可，也可以省略。此外，在半導(dǎo)體基板61中設(shè)置有與周圍的部分相比為薄壁，并且通過受壓而發(fā)生撓曲變形的隔膜65。該隔膜65通過設(shè)置向半導(dǎo)體基板61的下表面開放的有底的凹部66從而被形成在凹部66的底部上，并且隔膜65的下表面(凹部66的底面)成為受壓面651。此外，在半導(dǎo)體基板61上及其上方制作有與傳感器部7電連接的未圖示的半導(dǎo)體電路(電路)。該半導(dǎo)體電路中包含根據(jù)需要而形成的mos(metal-oxidesemiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管等有源元件、電容器、電感器、電阻、二極管以及配線等電路要素。但是，這樣的半導(dǎo)體電路也可以省略。傳感器部如圖17所示，傳感器部7具有被設(shè)置在隔膜65上的4個壓電電阻元件71、72、73、74。此外，壓電電阻元件71、72、73、74經(jīng)由配線等而相互電連接，從而構(gòu)成圖18所示的橋接電路70(惠斯登橋接電路)并與半導(dǎo)體電路連接。在橋接電路70上連接有供給驅(qū)動電壓avdc的驅(qū)動電路(未圖示)。而且，橋接電路70輸出與基于隔膜65的撓曲而產(chǎn)生的壓電電阻元件71、72、73、74的電阻值變化相對應(yīng)的信號(電壓)。因此，能夠基于該輸出的信號而對隔膜65所受到的壓力進行檢測。壓電電阻元件71、72、73、74例如分別通過向半導(dǎo)體基板61(硅層613)上摻雜(擴散或注入)磷、硼等雜質(zhì)而被構(gòu)成。此外，對這些壓電電阻元件71～74進行連接的配線例如通過以與壓電電阻元件71～74相比較高的濃度向半導(dǎo)體基板61(硅層613)摻雜(擴散或注入)磷、硼等雜質(zhì)而被構(gòu)成?？斩床咳鐖D16所示，空洞部s通過被基板6與周圍結(jié)構(gòu)體8包圍而被劃分形成。這樣的空洞部s為密閉的空間，并且作為成為壓力傳感器10所檢測的壓力的基準值的壓力基準室而發(fā)揮功能。此外，空洞部s位于隔膜65的與受壓面651相反的一側(cè)，并且與隔膜65重疊配置。另外，空洞部s優(yōu)選為真空狀態(tài)(例如，10pa以下的程度)。由此，能夠?qū)毫鞲衅?0作為以真空為基準而對壓力進行檢測的所謂的“絕對壓力傳感器”來使用，從而成為便利性較高的壓力傳感器10。不過，空洞部s只要被保持為固定的壓力，則也可以不為真空狀態(tài)。周圍結(jié)構(gòu)體如圖16所示，與基板6一起劃分形成空洞部s的周圍結(jié)構(gòu)體8具有：層間絕緣膜81；被配置在層間絕緣膜81上的配線層82；被配置在配線層82以及層間絕緣膜81上的層間絕緣膜83；被配置在層間絕緣膜83上的配線層84；被配置在配線層84以及層間絕緣膜83上的表面保護膜85；被配置在配線層84以及表面保護膜85上的密封層86。配線層82具有以包圍空洞部s的方式而被配置的框狀的配線部821和構(gòu)成所述半導(dǎo)體電路的配線的電路用配線部829。同樣地，配線層84具有以包圍空洞部s的方式而被配置的框狀的配線部841和構(gòu)成所述半導(dǎo)體電路的配線的電路用配線部849。而且，所述半導(dǎo)體電路通過電路用配線部829、849而被引出至周圍結(jié)構(gòu)體8的上表面上。此外，配線層84具有位于空洞部s的上方(頂側(cè))的覆蓋層844。而且，在覆蓋層844上設(shè)置有連通空洞部s的內(nèi)外的多個貫穿孔(細孔)845。此外，在覆蓋層844上配置有密封層86，貫穿孔845通過該密封層86而被密封。表面保護膜85具有從水分、灰塵、損傷等中保護周圍結(jié)構(gòu)體8的功能。這樣的表面保護膜以不封堵覆蓋層844的貫穿孔845的方式而被配置在層間絕緣膜83以及配線層84上。在這樣的周圍結(jié)構(gòu)體8中，作為層間絕緣膜81、83，能夠使用例如硅氧化膜(sio2膜)等絕緣膜。此外，作為配線層82、84，能夠使用例如鋁膜等金屬膜。此外，作為密封層86，能夠使用例如al、cu、w、ti、tin等金屬膜，硅氧化膜等。此外，作為表面保護膜85，能夠使用例如硅氧化膜、硅氮化膜、聚酰亞胺膜、環(huán)氧樹脂膜等。防水部件如圖16所示，防水部件1以使第二氧化硅層24成為下側(cè)(外側(cè))的方式而在第二區(qū)域s2處與基板6的下表面接合。此外，第一區(qū)域s1與凹部66重疊配置，并且凹部66的內(nèi)外經(jīng)由貫穿孔3以及開口4而連通。因此，能夠在不阻礙受壓面651的受壓的條件下，抑制水向受壓面651的附著，從而成為具有較高的壓力檢測精度的壓力傳感器10。第三實施方式接下來，對本發(fā)明的第三實施方式所涉及的電子模塊進行說明。圖19為本發(fā)明的第三實施方式所涉及的電子模塊的剖視圖。另外，在以下，為了便于說明，也將圖19中的上側(cè)稱為“上”，將下側(cè)稱為“下”。圖19所示的電子模塊100具有封裝件5和被收納于封裝件5內(nèi)的壓力傳感器(電子部件)10a以及ic(電子部件)9。封裝件封裝件5具有：具有向上表面開放的凹部511的箱狀的基座51；以封堵凹部511的開口的方式而被接合在基座51的上表面上的作為蓋體的防水部件1。此外，防水部件1以使第二氧化硅層24成為上側(cè)(外側(cè))的方式而在第二區(qū)域s2處與基座51的上表面接合。此外，第一區(qū)域s1與凹部511重疊配置，凹部511的內(nèi)外經(jīng)由貫穿孔3以及開口4而連通。雖然作為基座51的構(gòu)成材料，未被特別地限定，但可列舉出例如，氧化鋁、二氧化硅、二氧化鈦、氧化鋯等氧化物陶瓷，氮化硅、氮化鋁、氮化鈦等氮化物陶瓷之類的各種陶瓷，或聚乙烯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚碳酸酯、丙烯酸系樹脂、abs(acrylonitrilebutadienestyrene：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、環(huán)氧樹脂之類的各種樹脂材料等絕緣性材料，并且能夠使用它們中的一種或?qū)煞N以上組合使用。壓力傳感器壓力傳感器10a成為從前文所述的第二實施方式的結(jié)構(gòu)中省略了防水部件1的結(jié)構(gòu)。而且，這樣的壓力傳感器10a通過接合引線而以從凹部511的底部浮起的方式而被支承。以此方式，通過使壓力傳感器10a浮起，從而來自外部的應(yīng)力不易傳遞至壓力傳感器10a，由此能夠減少壓力檢測精度的下降。此外，壓力傳感器10a通過接合引線而與被設(shè)置在基座51上的未圖示的配線電連接。icic9被固定在凹部511的底面上，并且與壓力傳感器10a并排配置。此外，ic9通過接合引線而與被設(shè)置在基座51上的未圖示的配線電連接，并且經(jīng)由所述配線而與壓力傳感器10a或被配置在基座51的底面上的未圖示的外部連接端子電連接。在這樣的ic9中，包括例如用于向橋接電路70供給電壓的驅(qū)動電路、用于對來自橋接電路70的輸出進行溫度補償?shù)臏囟妊a償電路、求取由溫度補償電路的輸出所施加的壓力的壓力檢測電路、將來自壓力檢測電路的輸出轉(zhuǎn)換為預(yù)定的輸出形式(cmos、lv-pecl、lvds等)并輸出的輸出電路等。另外，驅(qū)動電路、溫度補償電路、壓力檢測電路、輸出電路等中的一部分(例如，驅(qū)動電路)也可以被形成在壓力傳感器10a內(nèi)的所述半導(dǎo)體電路中。根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)的電子模塊100，由于凹部511的開口通過防水部件1而被封堵，因此能夠在不阻礙壓力傳感器10a的壓力檢測(受壓面651的受壓)的條件下，抑制水向凹部511內(nèi)的浸入。因此，成為具備防水功能的電子模塊100。尤其是，無需如現(xiàn)有技術(shù)那樣，為了賦予防水性能而用凝膠等填充凹部511內(nèi)部，因此成為構(gòu)造容易且制造也容易的電子模塊100。另外，作為壓力傳感器10a的結(jié)構(gòu)，只要能夠檢測壓力，則不被特別地限定。此外，例如也可以省略ic9。此外，在本實施方式中，雖然作為被收納于封裝件5內(nèi)的電子部件而對使用了壓力傳感器10a與ic9的結(jié)構(gòu)進行了說明，但作為電子部件，并未被特別地限定。例如，作為電子部件，也可以為加速度傳感器、角速度傳感器等物理量傳感器或振蕩器等所使用的振子等。第四實施方式接下來，對本發(fā)明的第四實施方式所涉及的高度計進行說明。圖20為表示高度計的一個示例的立體圖。如圖20所示，高度計200能夠如手表那樣佩戴在手腕上。此外，在高度計200的內(nèi)部搭載有電子模塊100，并能夠在顯示部201上顯示所在地的海拔高度或所在地的氣壓等。另外，在該顯示部201上，能夠顯示當(dāng)前時刻、使用者的心搏數(shù)、氣候等各種信息。由于這樣的高度計200具備電子模塊100，因此具有防水性能，并能夠發(fā)揮較高的可靠性。另外，除了高度計200以外，例如，也可以在用于自由潛水等的手表型的水深計中搭載電子模塊100。在該情況下，由于為10氣壓防水，即能夠維持防水性能直至水深100m處，因此能夠發(fā)揮優(yōu)異的便利性以及可靠性。第五實施方式接下來，對本發(fā)明的第五實施方式所涉及的電子設(shè)備進行說明。圖21為表示電子設(shè)備的一個示例的主視圖。本實施方式的電子設(shè)備為，具備電子模塊100的導(dǎo)航系統(tǒng)300。如圖21所示，導(dǎo)航系統(tǒng)300具備：從未圖示的地圖信息和gps(全球定位系統(tǒng)：globalpositioningsystem)取得位置信息的位置信息取得單元；由陀螺儀傳感器以及加速度傳感器與車速數(shù)據(jù)實現(xiàn)的自主導(dǎo)航單元；電子模塊100；對預(yù)定的位置信息或行進道路信息進行顯示的顯示部301。根據(jù)該導(dǎo)航系統(tǒng)300，除了所取得的位置信息以外，還能夠通過電子模塊100而取得高度信息。因此，通過對因從一般道路進入高架道路(或與此相反)而產(chǎn)生的高度變化進行檢測，從而能夠?qū)κ窃谝话愕缆飞闲旭傔€是在高架道路上行駛進行判斷，由此能夠向使用者提供實際的行駛狀態(tài)下的導(dǎo)航信息。這樣的導(dǎo)航系統(tǒng)300由于具備電子模塊100，因此能夠發(fā)揮較高的可靠性。另外，具備本發(fā)明的電子模塊的電子設(shè)備并不限定于上述的導(dǎo)航系統(tǒng)，例如，能夠應(yīng)用于個人計算機、移動電話、智能手機、平板電腦終端、時鐘(包括智能手表)、醫(yī)療設(shè)備(例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電圖測量裝置、超聲波診斷裝置、電子內(nèi)窺鏡)、各種測量設(shè)備、計量儀器類(例如，車輛、飛機、船舶的計量儀器類)、飛行模擬器等中。第六實施方式接下來，對本發(fā)明的第六實施方式所涉及的移動體進行說明。圖22為表示移動體的一個示例的立體圖。本實施方式的移動體為具備了電子模塊100的汽車400。如圖22所示，汽車400具有車身401、四個車輪402，并被構(gòu)成為通過被設(shè)置于車身401中的未圖示的動力源(發(fā)動機)而使車輪402進行旋轉(zhuǎn)。在這樣的汽車400中內(nèi)置有導(dǎo)航系統(tǒng)300(電子模塊100)。這樣的汽車400由于具備電子模塊100，因此能夠發(fā)揮較高的可靠性。以上，雖然基于圖示的各個實施方式而對本發(fā)明的防水部件、防水部件的制造方法、壓力傳感器及電子模塊進行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，各部分的結(jié)構(gòu)能夠替換為具有相同的功能的任意的結(jié)構(gòu)。此外，也可以附加其他任意的結(jié)構(gòu)物或工序。此外，也可以將各個實施方式適當(dāng)?shù)剡M行組合。符號說明1…防水部件；10…壓力傳感器；10a…壓力傳感器；2…層壓體；20…soi基板；21…第一硅層；22…第一氧化硅層；23…第二硅層；24…第二氧化硅層；3…貫穿孔；31…第一貫穿孔；32…第二貫穿孔；32a…直徑漸減部；32a’…第一直徑漸減部；32a”…第二直徑漸減部；32b…直徑固定部；4…開口；41…第一開口；42…第二開口；5…封裝件；51…基座；511…凹部；6…基板；61…半導(dǎo)體基板；611…硅層；612…氧化硅層；613…硅層；62…第一絕緣膜；63…第二絕緣膜；64…多晶硅膜；65…隔膜；651…受壓面；66…凹部；7…傳感器部；70…橋接電路；71、72、73、74…壓電電阻元件；8…周圍結(jié)構(gòu)體；81…層間絕緣膜；82…配線層；821…配線部；829…電路用配線部；83…層間絕緣膜；84…配線層；841…配線部；844…覆蓋層；845…貫穿孔；849…電路用配線部；85…表面保護膜；86…密封層；9…ic；100…電子模塊；200…高度計；201…顯示部；300…導(dǎo)航系統(tǒng)；301…顯示部；400…汽車；401…車身；402…車輪；s…空洞部；s1…第一區(qū)域；s2…第二區(qū)域；r1、r2、r3…直徑；θ…接觸角。當(dāng)前第1頁12