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用于惡劣媒介應用的半導體壓力傳感器的制作方法

文檔序號:11384205閱讀:來源:國知局

技術特征:

技術總結
一種用于測量包含腐蝕性成分的尾氣的壓力的半導體壓力傳感器組件(1200),包括:第一腔(1244),包括用于電互連的第一接合焊盤的壓力傳感器(1210)、包括用于與壓力傳感器(1210)的電互連的第二接合焊盤(1241)的CMOS芯片(1240)、具有經由接合線連接到壓力傳感器和CMOS芯片的導電通路(1233)的互連模塊(1230);互連模塊是具有抗腐蝕金屬軌跡(1233)的基板,其中CMOS芯片(1240)以及互連模塊的一部分通過塑封(1243)來封裝。

技術研發(fā)人員:L·奧特;J·陳;A·J·范德維爾
受保護的技術使用者:邁來芯科技有限公司
技術研發(fā)日:2017.02.28
技術公布日:2017.09.05
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