技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種HEMT器件歐姆接觸區(qū)方塊電阻的測試方法，其實(shí)現(xiàn)方案是：制備三組電極寬度為W的測試圖形，每種測試圖形包括三個(gè)歐姆電極，三組測試圖形的第一電極尺寸相同且第三電極尺寸相同、第一電極與第三電極的總距離固定，第二組測試圖形和第三組測試圖形的第二電極長度分別是第一組測試圖形第二電極長度的α倍和β倍，且α≠β≠1；測試三組測試圖形中第一電極與第三電極之間的電阻值；用第二組測試圖形與第一組測試圖形所測的電阻值作差，并將差值方程式代入第三組測試圖所測的電阻方程式中，得到每組測試圖形中歐姆接觸區(qū)的方塊電阻。本發(fā)明測試圖形簡單易制作，測試簡便，且結(jié)果準(zhǔn)確，可用于高電子遷移率異質(zhì)結(jié)晶體管工藝檢測與性能評估。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭雪峰;董帥帥;王穎哲;李小煒;王沖;馬曉華;郝躍
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號碼：201710116018
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.01
技術(shù)公布日：2017.06.20