1.一種計(jì)算APD擊穿電壓的方法，其特征在于，包括如下步驟：①無(wú)光條件下在APD上加反向電壓Vapd；②APD產(chǎn)生的暗電流（Idark）通過(guò)電流鏡（2）鏡像后流入跨阻放大器（3）；③通過(guò)跨阻放大器（3）的輸出電壓（Vo）反算出APD的暗電流（Idark）；④判斷APD的暗電流（Idark）是否等于10μA，若是則此時(shí)的反向電壓（Vapd）即為APD的擊穿電壓，若否則重新設(shè)置反向電壓（Vapd），返回步驟③。
2.如權(quán)利要求1所述的計(jì)算APD擊穿電壓的方法，其特征在于，步驟①中APD上的反向電壓（Vapd）起始值為廠家提供的APD典型值。
3.一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述的計(jì)算APD擊穿電壓的方法的電路，其特征在于，所述電路包括APD（1）、電流鏡（2）、跨阻放大器（3）、ADC模塊以及偏置電路；APD（1）的陰極接反向電壓（Vapd），所述APD產(chǎn)生的暗電流（Idark）及偏置電路產(chǎn)生的電流（Ir0）之和通過(guò)電流鏡（2）鏡像后流向跨阻放大器（3）的一輸入端，跨阻放大器（3）實(shí)現(xiàn)電流電壓轉(zhuǎn)換，ADC模塊采集跨阻放大器（3）輸出電壓，通過(guò)該電壓反算出APD的暗電流（Idark），判定APD的暗電流（Idark）是否滿足10μA。
4.如權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述偏置電路為電阻（R0），電阻（R0）一端接地一端接APD（1）的陰極。
5.如權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，APD（1）的陰極與電流鏡（2）的一端連接，電流鏡（2）的另一端連接跨阻放大器（3）的一個(gè)輸入端并通過(guò)反饋電阻（R1）連接跨阻放大器（3）的輸出端，跨阻放大器（3）的另一輸入端接入?yún)⒖茧妷海╒ref），所述暗電流（Idark）=(Vref-Vo)/R1/k-Vapd/R0，其中k為電流鏡（2）電流放大倍數(shù)。