技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種用于氮氧化物傳感器的新型芯片，其中芯片由第一基片、第二基片、第三基片、第四基片依次層疊而成，第二基片為具有開槽的基片，包括相間隔開的第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一基片上設(shè)有一貫穿于第二基片的第一區(qū)域的通孔，第一區(qū)域中以該通孔為軸線設(shè)置有圓柱形凹槽，圓柱形凹槽以通孔為軸線向外依次設(shè)置有第一擴(kuò)散障礙層、第二擴(kuò)散障礙層，第一擴(kuò)散障層與第二擴(kuò)散障層之間的上部設(shè)有第一氧泵電極，第二擴(kuò)散障層與圓柱形凹槽的槽壁之間的上部設(shè)有第二氧泵電極，第二擴(kuò)散障層與圓柱形凹槽的槽壁之間的下部設(shè)有測試電極。采用了該發(fā)明中新型芯片，電極為同心圓結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)簡單，可以大幅度降低工藝難度。

技術(shù)研發(fā)人員：馮濤;潘莉莉;王廣平;王紅勤;王作林;王貴強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東風(fēng)電子科技股份有限公司
文檔號碼：201710131688
技術(shù)研發(fā)日：2017.03.07
技術(shù)公布日：2017.06.30