技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種新型多功能傳感器芯片及其制備方法，包括硅基襯底，以及設(shè)于硅基襯底上的氧化硅絕緣層、溫度傳感器、C4D電導(dǎo)率傳感器、BST薄膜保護層，其中：氧化硅絕緣層覆蓋在硅基襯底上方，C4D電導(dǎo)率傳感器的四個敏感電極被氧化硅絕緣層包圍，溫度傳感器置于氧化硅絕緣層上方，BST薄膜保護層覆蓋在溫度傳感器、C4D電導(dǎo)率傳感器上表面并露出引線電極；當所述芯片置于被測溶液中時，由C4D測量原理，C4D電導(dǎo)率傳感器輸出被測溶液的阻抗圖，將其與標準的阻抗譜比對后即得到相應(yīng)電導(dǎo)率值；同時，溫度傳感器輸出相應(yīng)溫度。本發(fā)明同時實現(xiàn)溫度與電導(dǎo)率測量，具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、成本低、耐腐蝕、響應(yīng)速度快、測量范圍大、測量精度高的特點。

技術(shù)研發(fā)人員：張叢春;林興楷;楊伸勇;丁桂甫;汪紅
受保護的技術(shù)使用者：上海交通大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.18
技術(shù)公布日：2017.07.18