本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電容檢測(cè)電路。
背景技術(shù)：
目前迅猛發(fā)展的電容觸摸技術(shù)給人們的生活帶來(lái)了很多的便利，觸摸按鍵已經(jīng)廣泛應(yīng)用到了臺(tái)燈、電冰箱等生活的方方面面，所以通過(guò)檢測(cè)電容值的大小來(lái)判斷觸摸與否的電容檢測(cè)電路就變得越來(lái)越重要了。
傳統(tǒng)的電容檢測(cè)技術(shù)都是通過(guò)將電容置于rc振蕩器中，通過(guò)檢測(cè)rc振蕩器頻率的變化來(lái)判斷電容值的變化。
這種傳統(tǒng)的檢測(cè)方法對(duì)電容的檢測(cè)精度低，而且抗干擾能力弱。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為解決現(xiàn)有電容檢測(cè)電路檢測(cè)精度低、抗干擾能力弱的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種檢測(cè)精度高、抗干擾能力強(qiáng)的電容檢測(cè)電路。
一種電容檢測(cè)電路，包括：檢測(cè)電容cx、基準(zhǔn)電容cr、第一開(kāi)關(guān)s1、第二開(kāi)關(guān)s2和第三開(kāi)關(guān)s3、比較器comp、振蕩器osc、計(jì)數(shù)器counter以及數(shù)據(jù)處理單元dataprocessing；第一開(kāi)關(guān)s1一端接輸入電壓vref，另一端接基準(zhǔn)電容cr的一端和第二開(kāi)關(guān)s2的一端，同時(shí)也接到比較器的正輸入端；基準(zhǔn)電容cr的另一端接地；第二開(kāi)關(guān)s2的另一端接檢測(cè)電容cx的一端和第三開(kāi)關(guān)s3的一端；檢測(cè)電容cx的另一端接地；第三開(kāi)關(guān)s3的另一端也接地；比較器comp的負(fù)輸入端接半輸入電壓1/2vref,比較器comp的輸出端接計(jì)數(shù)器counter的使能端en；計(jì)數(shù)器counter的輸入接振蕩器osc的輸出，計(jì)數(shù)器counter的輸出接入數(shù)據(jù)處理模塊dateprocessing進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
本發(fā)明的電容檢測(cè)電路，首先第一開(kāi)關(guān)s1打開(kāi)，將基準(zhǔn)電容cr的電壓充到輸入電壓vref，然后再將第二開(kāi)關(guān)s2和第三開(kāi)關(guān)s3交替打開(kāi)，這樣基準(zhǔn)電容cr上的電壓就會(huì)逐漸下降，當(dāng)基準(zhǔn)電容cr上的電壓下降到1/2vref后，比較器comp翻轉(zhuǎn)，這時(shí)候計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)結(jié)束。所以，計(jì)數(shù)值的大小就與檢測(cè)電容cx形成一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，計(jì)數(shù)值的變化也就體現(xiàn)了檢測(cè)電容cx的變化，從而形成了具有較高檢測(cè)精度，且具有較強(qiáng)的抗干擾能力的電容檢測(cè)電路。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明第一實(shí)施方式提供的電容檢測(cè)電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面結(jié)合具體實(shí)施方式并參照附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本發(fā)明的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本發(fā)明的概念。
傳統(tǒng)的電容檢測(cè)技術(shù)均是通過(guò)將電容置于rc振蕩器中，通過(guò)檢測(cè)rc振蕩器頻率的變化來(lái)判斷電容值的變化，從而造成對(duì)電容的檢測(cè)精度低，抗干擾能力弱。
如何提高電容檢測(cè)技術(shù)的檢測(cè)精度及抗干擾能力，是本領(lǐng)域人員亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。
經(jīng)過(guò)多方面研究，本發(fā)明顛覆傳統(tǒng)的電容檢測(cè)技術(shù)，提供了一種新的檢測(cè)精度高、抗干擾能力強(qiáng)的電容檢測(cè)電路，如圖1所示，該電容檢測(cè)電路包括：檢測(cè)電容cx、基準(zhǔn)電容cr、第一開(kāi)關(guān)s1、第二開(kāi)關(guān)s2和第三開(kāi)關(guān)s3、比較器comp、振蕩器osc、計(jì)數(shù)器counter以及數(shù)據(jù)處理單元dataprocessing；第一開(kāi)關(guān)s1一端接輸入電壓vref，另一端接基準(zhǔn)電容cr的一端和第二開(kāi)關(guān)s2的一端，同時(shí)也接到比較器的正輸入端；基準(zhǔn)電容cr的另一端接地；第二開(kāi)關(guān)s2的另一端接檢測(cè)電容cx的一端和第三開(kāi)關(guān)s3的一端；檢測(cè)電容cx的另一端接地；第三開(kāi)關(guān)s3的另一端也接地；比較器comp的負(fù)輸入端接半輸入電壓1/2vref,比較器comp的輸出端接計(jì)數(shù)器counter的使能端en；計(jì)數(shù)器counter的輸入接振蕩器osc的輸出，計(jì)數(shù)器counter的輸出接入數(shù)據(jù)處理模塊dateprocessing進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
本發(fā)明的電容檢測(cè)電路，首先第一開(kāi)關(guān)s1打開(kāi)，將基準(zhǔn)電容cr的電壓充到輸入電壓vref，然后再將第二開(kāi)關(guān)s2和第三開(kāi)關(guān)s3交替打開(kāi)，這樣基準(zhǔn)電容cr上的電壓就會(huì)逐漸下降，當(dāng)基準(zhǔn)電容cr上的電壓下降到1/2vref后，比較器comp翻轉(zhuǎn)，這時(shí)候計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)結(jié)束。所以，計(jì)數(shù)值的大小就與檢測(cè)電容cx形成一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系，計(jì)數(shù)值的變化也就體現(xiàn)了檢測(cè)電容cx的變化，從而形成了具有較高檢測(cè)精度，且具有較強(qiáng)的抗干擾能力的電容檢測(cè)電路。
本發(fā)明中，半輸入電壓1/2vref為輸入電壓vref值的一半大小。
應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述具體實(shí)施方式僅僅用于示例性說(shuō)明或解釋本發(fā)明的原理，而不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。因此，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。此外，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在涵蓋落入所附權(quán)利要求范圍和邊界、或者這種范圍和邊界的等同形式內(nèi)的全部變化和修改例。