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一種智能檢測(cè)NanoSIM卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):12799419閱讀:986來(lái)源:國(guó)知局
一種智能檢測(cè)NanoSIM卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備的制作方法與工藝

[技術(shù)領(lǐng)域]

本發(fā)明涉及sim檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種檢測(cè)速度快、精確度高且使用方便的智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備。

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背景技術(shù):
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在日常生活中用到的平板電腦中,一般都會(huì)帶有2g/3g通話功能和4g-lte的數(shù)據(jù)傳送功能,在帶了這些功能的平板電腦中必不可少的就會(huì)保留sim卡槽,sim卡是連接運(yùn)營(yíng)商的戶身份識(shí)別卡,只有sim卡被正確的按放到平板電腦sim卡槽中,平板電腦才能夠完成gms通訊、無(wú)線數(shù)據(jù)傳送。由于sim卡槽經(jīng)常被插拔,因此sim卡槽很容易出現(xiàn)不良,例如,sim卡槽內(nèi)部彈片斷裂、變形、卡槽虛焊等問(wèn)題的出現(xiàn)就會(huì)導(dǎo)致sim卡不能與運(yùn)營(yíng)商正常通訊,從而導(dǎo)致平板電腦不能正通話和使用2g/3g/4g網(wǎng)絡(luò)。

出現(xiàn)上述情況后,對(duì)于一般用戶而言較難分辨出是sim卡壞還是sim槽壞。基于此,就需要一種不但可以幫助用戶精確的分辨出是哪種不良,還可以精確的判斷是哪一個(gè)信號(hào)出現(xiàn)問(wèn)題的檢測(cè)儀器。

根據(jù)上述問(wèn)題,本領(lǐng)域的技術(shù)人員進(jìn)行了大量的研發(fā)和實(shí)驗(yàn),從產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)和功能方面入手進(jìn)行改進(jìn)和改善,并取得了較好的成績(jī)。

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技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
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為克服現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題,本發(fā)明提供一種檢測(cè)速度快、精確度高且使用方便的智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備。

本發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的方案是提供一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備,包括測(cè)試電路板主體以及設(shè)置于該測(cè)試電路板主體上的外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個(gè)led信號(hào)指示燈以及若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn);所述測(cè)試電路板主體一端向外延伸有用于插入待檢測(cè)設(shè)備插接口的插接頭;且在所述插接頭背面焊接設(shè)置有模擬nanosim卡的焊盤(pán);所述外置nano卡座、外置microsim卡座位于測(cè)試電路板主體的中間部位,led信號(hào)指示燈靠近外置nano卡座設(shè)置,測(cè)試針觸點(diǎn)靠近外置microsim卡座設(shè)置;且所述外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個(gè)led信號(hào)指示燈和若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)電性連接;所述插接頭背面焊盤(pán)、外置nano卡座、外置microsim卡座、led信號(hào)指示燈以及測(cè)試針觸點(diǎn)部位都具有vcc,clk,rst,io和vpp觸點(diǎn)。

優(yōu)選地,所述焊盤(pán)的vcc觸點(diǎn)與外置nano卡座、外置microsim卡座的vcc觸點(diǎn)相連接;焊盤(pán)的clk觸點(diǎn)與外置nano卡座、外置microsim卡座的clk觸點(diǎn)相連接;焊盤(pán)的rst觸點(diǎn)與外置nano卡座、外置microsim卡座的rst觸點(diǎn)相連接。

優(yōu)選地,所述插接頭背面焊盤(pán)中各焊接點(diǎn)的長(zhǎng)度為1.7mm,寬度為0.84mm;插接頭的寬度為8.8mm;測(cè)試電路板主體的寬度為36mm;測(cè)試電路板主體的整體長(zhǎng)度為60mm。

優(yōu)選地,所述led信號(hào)指示燈的數(shù)量為五個(gè),呈并列單排設(shè)置;測(cè)試針觸點(diǎn)的數(shù)量為九個(gè),八個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)呈并列雙排設(shè)置,另一個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)設(shè)置于兩排測(cè)試針觸點(diǎn)的中間部位。

優(yōu)選地,所述五個(gè)led信號(hào)指示燈分別對(duì)應(yīng)vcc、rst、vpp、io和clk觸點(diǎn);當(dāng)檢測(cè)信號(hào)正常時(shí),led信號(hào)指示燈亮紅色,其中vcc、rst、vpp對(duì)應(yīng)的led信號(hào)指示燈常亮,io和clk對(duì)應(yīng)的led信號(hào)指示燈閃爍。

優(yōu)選地,所述外置microsim卡座的各pin針表面鍍金處理,形成鍍金層。

優(yōu)選地,所述測(cè)試電路板主體的厚度為0.7mm。

優(yōu)選地,所述led信號(hào)指示燈的導(dǎo)通電壓范圍為1.65-3.3v。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備通過(guò)在測(cè)試電路板主體設(shè)置電性連接的外置nano卡座、外置microsim卡座、若干個(gè)led信號(hào)指示燈以及若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn),利用插接頭模擬nanosim卡外形,引出測(cè)試座子(焊盤(pán))用于檢測(cè)平板電腦sim卡的每一路信號(hào),這樣的設(shè)計(jì)使得工程技術(shù)人員可以直接測(cè)試sim卡上的信號(hào)和波形,減少在主板上飛線的的時(shí)間,且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良,改善了目前情況下,由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測(cè)試的問(wèn)題,本設(shè)計(jì)使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號(hào)指示,可以實(shí)時(shí)的、動(dòng)態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號(hào)的狀態(tài)是否存在,這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號(hào)不導(dǎo)通,快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號(hào)出現(xiàn)了問(wèn)題,可靠度高,可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問(wèn)題中的效率,讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問(wèn)題。

[附圖說(shuō)明]

圖1是本發(fā)明一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備的立體狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備的另一視角的立體狀態(tài)結(jié)構(gòu)示意圖。

[具體實(shí)施方式]

為使本發(fā)明的目的,技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明,并不用于限定此發(fā)明。

請(qǐng)參閱圖1和圖2,本發(fā)明一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備1包括測(cè)試電路板主體11以及設(shè)置于該測(cè)試電路板主體11上的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個(gè)led信號(hào)指示燈111以及若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113;所述測(cè)試電路板主體11一端向外延伸有用于插入待檢測(cè)設(shè)備插接口的插接頭13;且在所述插接頭13背面焊接設(shè)置有模擬nanosim卡的焊盤(pán);所述外置nano卡座114、外置microsim卡座115位于測(cè)試電路板主體11的中間部位,led信號(hào)指示燈111靠近外置nano卡座114設(shè)置,測(cè)試針觸點(diǎn)113靠近外置microsim卡座115設(shè)置;且所述外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個(gè)led信號(hào)指示燈111和若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113電性連接;所述插接頭13背面焊盤(pán)、外置nano卡座114、外置microsim卡座115、led信號(hào)指示燈111以及測(cè)試針觸點(diǎn)113部位都具有vcc,clk,rst,io和vpp觸點(diǎn)。

通過(guò)在測(cè)試電路板主體11設(shè)置電性連接的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個(gè)led信號(hào)指示燈111以及若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113,利用插接頭13模擬nanosim卡外形,引出測(cè)試座子(焊盤(pán))用于檢測(cè)平板電腦sim卡的每一路信號(hào),這樣的設(shè)計(jì)使得工程技術(shù)人員可以直接測(cè)試sim卡上的信號(hào)和波形,減少在主板上飛線的的時(shí)間,且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良,改善了目前情況下,由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測(cè)試的問(wèn)題,本設(shè)計(jì)使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號(hào)指示,可以實(shí)時(shí)的、動(dòng)態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號(hào)的狀態(tài)是否存在,這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號(hào)不導(dǎo)通,快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號(hào)出現(xiàn)了問(wèn)題,可靠度高,可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問(wèn)題中的效率,讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問(wèn)題。

優(yōu)選地,所述焊盤(pán)的vcc觸點(diǎn)與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的vcc觸點(diǎn)相連接;焊盤(pán)的clk觸點(diǎn)與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的clk觸點(diǎn)相連接;焊盤(pán)的rst觸點(diǎn)與外置nano卡座114、外置microsim卡座115的rst觸點(diǎn)相連接。電路設(shè)計(jì)合理,使用效果好。

優(yōu)選地,所述插接頭13背面焊盤(pán)中各焊接點(diǎn)131的長(zhǎng)度為1.7mm,寬度為0.84mm;插接頭13的寬度為8.8mm;測(cè)試電路板主體11的寬度為36mm;測(cè)試電路板主體11的整體長(zhǎng)度為60mm。

優(yōu)選地,所述led信號(hào)指示燈111的數(shù)量為五個(gè),呈并列單排設(shè)置;測(cè)試針觸點(diǎn)113的數(shù)量為九個(gè),八個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113呈并列雙排設(shè)置,另一個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113設(shè)置于兩排測(cè)試針觸點(diǎn)113的中間部位。

優(yōu)選地,所述五個(gè)led信號(hào)指示燈111分別對(duì)應(yīng)vcc、rst、vpp、io和clk觸點(diǎn);當(dāng)檢測(cè)信號(hào)正常時(shí),led信號(hào)指示燈111亮紅色,其中vcc、rst、vpp對(duì)應(yīng)的led信號(hào)指示燈111常亮,io和clk對(duì)應(yīng)的led信號(hào)指示燈111閃爍。這樣的設(shè)計(jì)可以較為直觀的判斷出異常情況。

優(yōu)選地,所述外置microsim卡座114的各pin針表面鍍金處理,形成鍍金層。提高使用壽命。

優(yōu)選地,所述測(cè)試電路板主體11的厚度為0.7mm。

優(yōu)選地,所述led信號(hào)指示燈111的導(dǎo)通電壓范圍為1.65-3.3v?,F(xiàn)在通用的sim信號(hào)的電平是1.65-3.0v,led的導(dǎo)通電壓是3.0v,如果選擇的導(dǎo)通電壓為3.0v的led燈,那么當(dāng)測(cè)試1.8v信號(hào)的時(shí)候,led燈將不會(huì)顯示紅色,所以將led信號(hào)指示燈111的導(dǎo)通電壓設(shè)置在1.65-3.3v之間。

實(shí)際檢測(cè)過(guò)程中,采用在2臺(tái)樣機(jī)上插入本智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備1,使用萬(wàn)用表(型號(hào):fluke15b+),將萬(wàn)用調(diào)節(jié)到蜂鳴檔位,正極接觸測(cè)試電路板主體11上的rst測(cè)試針觸點(diǎn)113,負(fù)極接觸樣機(jī)主板上rst信號(hào)線上的并聯(lián)退耦電容,如果萬(wàn)用表鳴叫,則說(shuō)明線路是導(dǎo)通的,nanosim卡槽焊接是ok的(如果屬于卡槽彈片問(wèn)題可以從外觀看出來(lái))。反之,則說(shuō)明是焊接問(wèn)題。

當(dāng)在2臺(tái)樣機(jī)上插入本發(fā)明智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備1時(shí),如果紅色led信號(hào)指示燈111正常點(diǎn)亮或者閃爍,則可以判斷l(xiāng)ed信號(hào)指示燈111對(duì)應(yīng)的信號(hào)或者電源是正常工作的。這樣可以精準(zhǔn)的確定哪一路信號(hào)ok,哪一路信號(hào)是fail的。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明一種智能檢測(cè)nanosim卡動(dòng)態(tài)信號(hào)的儀器設(shè)備1通過(guò)在測(cè)試電路板主體11設(shè)置電性連接的外置nano卡座114、外置microsim卡座115、若干個(gè)led信號(hào)指示燈111以及若干個(gè)測(cè)試針觸點(diǎn)113,利用插接頭13模擬nanosim卡外形,引出測(cè)試座子(焊盤(pán))用于檢測(cè)平板電腦sim卡的每一路信號(hào),這樣的設(shè)計(jì)使得工程技術(shù)人員可以直接測(cè)試sim卡上的信號(hào)和波形,減少在主板上飛線的的時(shí)間,且還可以快速定位nanosim卡槽是否屬于焊接不良,改善了目前情況下,由于很多nanosim卡的焊接引腳在卡槽內(nèi)部而不能直接測(cè)試的問(wèn)題,本設(shè)計(jì)使用低壓紅色led燈進(jìn)行信號(hào)指示,可以實(shí)時(shí)的、動(dòng)態(tài)的、精準(zhǔn)的顯示每一路信號(hào)的狀態(tài)是否存在,這樣可以方便工程技術(shù)人員和普通維修人員快速的定位是哪一路信號(hào)不導(dǎo)通,快速定位平板電腦nanosim卡座上哪些信號(hào)出現(xiàn)了問(wèn)題,可靠度高,可以顯著提高工程研發(fā)人員和普通維修人員在解決和分析nanosim卡相關(guān)的問(wèn)題中的效率,讓工程研發(fā)人員能夠更加便捷、快速的分析定位問(wèn)題。

以上所述的本發(fā)明實(shí)施方式,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。任何在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之內(nèi)。

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