本發(fā)明涉及日用電器領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法。

背景技術(shù)：

iqc即來料品質(zhì)檢驗(yàn)，指對(duì)采購(gòu)進(jìn)來的原材料、部件或產(chǎn)品做品質(zhì)確認(rèn)和查核，即在供應(yīng)商送原材料或部件時(shí)通過抽樣的方式對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行檢驗(yàn)，并最后做出判斷該批產(chǎn)品是接收還是退換。

iqc是企業(yè)產(chǎn)品在生產(chǎn)前的第一個(gè)控制品質(zhì)的關(guān)卡，如把不合格品放到制程中，則會(huì)導(dǎo)致制程或最終產(chǎn)品的不合格，造成巨大的損失。iqc不僅影響到公司最終產(chǎn)品的品質(zhì)，還影響到各種直接或間接成本。

在制造業(yè)中，對(duì)產(chǎn)品品質(zhì)有直接影響的通常為設(shè)計(jì)、來料、制程、儲(chǔ)運(yùn)四大主項(xiàng)，一般來說設(shè)計(jì)占25％，來料占50％，制程占20％，儲(chǔ)運(yùn)1％到5％。綜上所述，來料檢驗(yàn)對(duì)公司產(chǎn)品質(zhì)量占?jí)旱剐缘牡匚?，所以要把來料品質(zhì)控制升到一個(gè)戰(zhàn)略性地位來對(duì)待。

現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法尚未見報(bào)道。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法，以提高供貨質(zhì)量。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法，所述半導(dǎo)體包括fr107、in4007、in4148、6v2、db3、可控硅和三極管；所述半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法包括以下步驟：步驟1：目測(cè)：半導(dǎo)體標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況；步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)后，將半導(dǎo)體放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，fr107的耐壓要求≥1200v，in4007的耐壓要求≥1400v，in4148的耐壓要求≥140v，6v2的耐壓要求6.2v±5％，db3的耐壓要求32v±5％、可控硅和三極管的耐壓要求≥450v；步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

進(jìn)一步地，fr107和in4007檢測(cè)前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為5000v、電壓度為200v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為關(guān)、峰值電壓為2-3。

進(jìn)一步地，in4148檢測(cè)前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為500v、電壓度為20v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為5kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為2-3。

進(jìn)一步地，6v2檢測(cè)前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為10v、電壓度為10v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為4-5。

進(jìn)一步地，db3檢測(cè)前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為50v、電壓度為5v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為5kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為4-5。

進(jìn)一步地，可控硅和三級(jí)管檢測(cè)前，需將晶體管特性圖示儀的參數(shù)設(shè)置為：輸出電壓為500v、電壓度為50v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為正常、測(cè)試為a、峰值電壓為6-8。

進(jìn)一步地，可控硅用可控硅簡(jiǎn)易檢測(cè)儀檢測(cè)其保護(hù)作用狀況。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明特地制定半導(dǎo)體的來料檢驗(yàn)方法，規(guī)范檢驗(yàn)要求，加強(qiáng)品質(zhì)監(jiān)督，提高供貨質(zhì)量，促使生產(chǎn)效率提高。

本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分通過下面的說明體現(xiàn)，部分還將通過對(duì)本發(fā)明的研究和實(shí)踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

具體實(shí)施方式

結(jié)合下列實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實(shí)施。

實(shí)施例1

本發(fā)明fr107的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：fr107標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為5000v、電壓度為200v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為關(guān)、峰值電壓為2-3，然后將fr107放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，fr107的耐壓要求≥1200v。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例2

本發(fā)明in4007的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：in4007標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為5000v、電壓度為200v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為關(guān)、峰值電壓為2-3，然后將in4007放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，in4007的耐壓要求≥1400v。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例3

本發(fā)明in4148的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：in4148標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為500v、電壓度為20v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為5kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為2-3，然后將in4148放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，in4148的耐壓要求≥140v。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例4

本發(fā)明6v2的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：6v2標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為10v、電壓度為10v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為4-5，然后將6v2放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，6v2的耐壓要求6.2v±5％。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例5

本發(fā)明db3的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：db3標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為50v、電壓度為5v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為5kω、輸入為零電流、作用為關(guān)、測(cè)試為b、峰值電壓為4-5，然后將db3放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，db3的耐壓要求32v±5％。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例6

本發(fā)明可控硅的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：可控硅標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為500v、電壓度為50v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為正常、測(cè)試為a、峰值電壓為6-8，然后將可控硅放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，可控硅的耐壓要求≥450v。

用可控硅簡(jiǎn)易檢測(cè)儀檢測(cè)其保護(hù)作用狀況。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、保護(hù)作用失效、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

實(shí)施例7

本發(fā)明三極管的來料檢驗(yàn)方法，包括以下步驟：

步驟1：目測(cè)：三極管標(biāo)識(shí)是否清晰，有無生銹、破損等情況。

步驟2：儀測(cè)：在晶體管特性圖示儀設(shè)置參數(shù)：輸出電壓為500v、電壓度為50v、電流度為1ma、幅度/級(jí)為1ma、功耗電阻為20kω、輸入為零電流、作用為正常、測(cè)試為a、峰值電壓為6-8，然后將三極管放在測(cè)試臺(tái)上檢測(cè)其耐壓，三極管的耐壓要求≥450v。

步驟3：將抽檢情況記錄在來料檢驗(yàn)報(bào)告表上，并判定允收或退貨。

無標(biāo)識(shí)、混裝、耐壓超標(biāo)、標(biāo)識(shí)模糊不清的，判為退貨。

盡管本發(fā)明的實(shí)施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實(shí)施方式中所列運(yùn)用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實(shí)現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的實(shí)施例。