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硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置的制作方法

文檔序號:11652705閱讀:199來源:國知局
硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置的制造方法

本發(fā)明涉及光伏技術領域,尤其涉及一種硅片衰減所用常溫暴曬裝置。



背景技術:

光伏組件制作完成之后,進行功率測試時,組件功率正常,但是安裝并運營時就會發(fā)現功率衰減較大,這種現象大多是由于硅片的光致衰減引起的。因此在硅片制作好后,都需對硅片進行光致衰減測試,而現有的測試裝置中,照射在硅片上的溫度較高,無法達到實際運營時太陽光照射產生時的常溫狀態(tài),因而也就難以真實體現自然狀態(tài)下硅片的衰減狀況。



技術實現要素:

本發(fā)明要解決的技術問題是:為了克服現有技術中之不足,本發(fā)明提供一種能更好地模擬自然光照狀況下進行硅片衰減測試的常溫暴曬裝置。

本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是:一種硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置,包括放置硅片的暴曬臺,位于硅片上方設有水平排列的若干根石英玻璃管,所述的石英玻璃管內穿設有紅外加熱管,石英玻璃管一端密封連接有通入壓縮二氧化碳氣體的通氣管,石英玻璃管另一端設有熱風箱,石英玻璃管與熱風箱密封連接,石英玻璃管內由紅外加熱管加熱產生的熱量隨壓縮二氧化碳氣體排入熱風箱內排出,位于石英玻璃管上方安裝有吸收排出石英玻璃管所散發(fā)熱量的熱排風罩。

優(yōu)選地,所述的石英玻璃管具有十根,十根石英玻璃管間隔排列,每根石英玻璃管內穿設有兩根紅外加熱管。

本發(fā)明的有益效果是,本發(fā)明將紅外加熱管加熱產生的紅外光部分控制在石英玻璃管內,通過壓縮的二氧化碳氣體流動吸收并排入熱風箱,以達到低溫暴曬的效果,并可將暴曬溫度控制在常溫狀態(tài)下,更好地模擬硅片在自然情況下的衰減狀態(tài),所得數據對太陽能組件實際運行更具參考價值。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明。

圖1是本發(fā)明最優(yōu)實施例的結構示意圖。

圖2是裝有紅外加熱管的石英玻璃管的截面示意圖。

圖中1.暴曬臺2.硅片3.石英玻璃管4.紅外加熱管5.通氣管6.熱風箱7.熱排風罩

具體實施方式

現在結合附圖對本發(fā)明作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖,僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結構,因此其僅顯示與本發(fā)明有關的構成。

如圖1、圖2所示的一種硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置,包括放置硅片2的暴曬臺1,位于硅片2上方設有水平布置且相互間隔排列的十根石英玻璃管3,此處石英玻璃管3根數可依據所測試的硅片2大小確定,所述石英玻璃管3表面采用鍍膜處理,位于每根石英玻璃管3內穿設有兩根紅外加熱管4,石英玻璃管3一端密封連接有通入壓縮二氧化碳氣體的通氣管5,通氣管5連接壓縮機,石英玻璃管3另一端設有熱風箱6,所述的石英玻璃管3伸入熱風箱6內且與熱風箱6密封連接,石英玻璃管3內經紅外加熱管4加熱后產生的熱量隨壓縮二氧化碳氣體通入熱風箱6內后排出熱風箱6,熱風箱6可管路連接一個儲存罐以存儲二氧化碳氣體,在并排布置的十根石英玻璃管3上方安裝有一個熱排風罩7,以此將石英玻璃管3散發(fā)出的熱量進一步排出。

所述的暴曬臺1放置硅片2的臺面板可升降調節(jié)高度,測試時硅片2與石英玻璃管3之間距離,可根據測試要求調節(jié)臺面板實現。紅外加熱管4加熱產生紅外光熱量,石英玻璃管3內溫度上升,壓縮機將壓縮的二氧化碳氣體經通氣管5通入石英玻璃管3內,基于二氧化碳具有良好的吸收紅外光的特性,因此在二氧化碳氣體流向熱風箱6時,可吸收掉大量的紅外加熱管4加熱產生的紅外光,從而降低石英玻璃管3內的溫度,一般而言連續(xù)通入二氧化碳氣體的石英玻璃管3內經紅外加熱管4加熱達到的溫度為300~350度左右,在二氧化碳氣體吸收紅外光通入熱風箱6后,石英玻璃管3內的溫度保持在100~150度之間,在此配合熱排風罩7的排風效果,可以進一步降低石英玻璃管3照射到硅片2上的溫度,使該溫度保持在30~40度之間,從而實現了常溫照射到硅片2表面的目的,真實地模擬出太陽能電池片在自然狀況下的衰減狀態(tài)。

至于硅片2與石英玻璃管3之間的間距,遵循原則為間距小,則暴曬時間短,反之間距大,則暴曬時間長,其可根據測試要求加以選擇。

由于石英玻璃管3具有的耐高溫特性,其軟化溫度可達1730℃,因此可在1100℃下長期使用;同時石英玻璃管3透光性好,在整個光譜波段中都有較好的透光性,可見光的透光率在93%以上,尤其將石英玻璃管3表面經過鍍膜處理后,反紅外可大于70%。

本發(fā)明將紅外加熱管4加熱產生的紅外光部分控制在石英玻璃管3內,并通過壓縮的二氧化碳氣體在石英玻璃管3內流動吸收并排入熱風箱6,結合熱排風罩7的排風作用,以達到低溫暴曬的效果,并可將暴曬溫度控制在常溫狀態(tài)下,更好地模擬硅片2在自然情況下的衰減狀態(tài),所得數據對太陽能組件實際運行更具參考價值。

以上述依據本發(fā)明的理想實施例為啟示,通過上述的說明內容,相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術思想的范圍內,進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術性范圍并不局限于說明書上的內容,必須要根據權利要求范圍來確定其技術性范圍。



技術特征:

技術總結
本發(fā)明公開了一種硅片衰減測試所用常溫暴曬裝置,包括放置硅片的暴曬臺,位于硅片上方設有水平排列的若干根石英玻璃管,所述的石英玻璃管內穿設有紅外加熱管,石英玻璃管一端密封連接有通入壓縮二氧化碳氣體的通氣管,石英玻璃管另一端設有熱風箱,石英玻璃管與熱風箱密封連接,石英玻璃管內由紅外加熱管加熱產生的熱量隨壓縮二氧化碳氣體排入熱風箱內排出,位于石英玻璃管上方安裝有吸收排出石英玻璃管所散發(fā)熱量的熱排風罩。本發(fā)明將紅外加熱管加熱產生的紅外光部分控制在石英玻璃管內,并通過壓縮的二氧化碳氣體流動吸收并排入熱風箱,已將暴曬溫度控制在常溫狀態(tài)下,從而更好地模擬硅片在自然情況下的衰減狀態(tài)。

技術研發(fā)人員:王少華;張凱勝;姚偉忠
受保護的技術使用者:常州億晶光電科技有限公司
技術研發(fā)日:2017.05.18
技術公布日:2017.07.28
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