本發(fā)明屬于衛(wèi)星定位技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電離層活躍程度的檢測(cè)方法及系統(tǒng)、定位終端、存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)：

gps(globalpositionsystem，全球定位系統(tǒng))作為最新型的定位技術(shù)正在廣泛的應(yīng)用于軍事、科學(xué)、汽車定位、及我們生活的手機(jī)定位等等。準(zhǔn)確定位可以給人們帶來很大便利，而定位有可能會(huì)因?yàn)檎`差給人們帶來不便，gps誤差主要來源分為三種：與衛(wèi)星有關(guān)的誤差(包括衛(wèi)星星歷誤差、衛(wèi)星鐘誤差)、在衛(wèi)星信息穿越電離層，對(duì)流層時(shí)產(chǎn)生的傳播誤差、衛(wèi)星信號(hào)接收時(shí)產(chǎn)生的誤差。而傳播誤差很主要來源于電離層，gps衛(wèi)星信號(hào)必須由衛(wèi)星發(fā)射并穿越彌散的電離層介質(zhì)，在高緯度地區(qū)，電離層經(jīng)過太陽(yáng)風(fēng)和地球磁場(chǎng)的交互作用，就會(huì)產(chǎn)生極光現(xiàn)象。在電磁區(qū)域和電磁子區(qū)域，處于電離層活動(dòng)加強(qiáng)時(shí)期(比較活躍時(shí)期)，對(duì)于gps用戶減弱電離層的影響是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。而電離層的活躍程度可以通過觀測(cè)電子含量總數(shù)來監(jiān)測(cè)，如可以使用雙頻接收機(jī)觀測(cè)的gps站網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)得到，這可以直觀地觀測(cè)到gps信號(hào)收到的干擾。但此種方式具有一定的時(shí)效性，易產(chǎn)生誤差；而且需要用戶具有一定的電離層相關(guān)知識(shí)，實(shí)用性不強(qiáng)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法及系統(tǒng)、定位終端、存儲(chǔ)器，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中監(jiān)測(cè)電離層活躍程度的準(zhǔn)確性較低的問題。

本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法，包括：

獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，所述衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位；

從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

當(dāng)所述一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

優(yōu)選地，所述從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率前還包括：

分析所述一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一衛(wèi)星，獲取每一衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量；

剔除有效頻率數(shù)量小于2的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星；

優(yōu)選地，所述基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率具體包括：

基于所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分后的載波相位；

基于所獲得的載波相位進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，得到標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

基于所選擇的衛(wèi)星的仰角獲得加權(quán)因子；

基于所述標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及所述加權(quán)因子計(jì)算電離層變化率。

優(yōu)選地，所述基于所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分后的載波相位具體包括：

基于移動(dòng)站及基站的載波相位進(jìn)行單差運(yùn)算，獲得單差觀測(cè)值；

基于所述單差觀測(cè)值及參考星進(jìn)行雙差運(yùn)算，獲得雙差觀測(cè)值；

基于所述雙差觀測(cè)值及所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行電離層殘差組合運(yùn)算，獲得組合結(jié)果。

優(yōu)選地，所述基于所述組合結(jié)果進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，得到標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果具體包括：

基于所述組合結(jié)果進(jìn)行第一次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

對(duì)所述第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果進(jìn)行第二次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第二標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果。

優(yōu)選地，所述基于所選擇的衛(wèi)星的仰角獲得加權(quán)因子具體包括：

設(shè)定最大電子密度；

基于所述最大電子密度計(jì)算電離層高度系數(shù)；

基于所計(jì)算的電離層高度系數(shù)獲得加權(quán)因子；

基于所述標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及所述加權(quán)因子計(jì)算電離層的變化率。

優(yōu)選地，所述基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)具體包括：

基于所計(jì)算的每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層變化率平均值；

基于所述電離層變化率平均值剔除異常所述一個(gè)以上衛(wèi)星中的異常衛(wèi)星，獲得正常衛(wèi)星群；

基于所述正常衛(wèi)星群及對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

本發(fā)明還提供一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，包括：

獲取模塊，用于獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，所述衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位；

選擇模塊，用于從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

變化率計(jì)算模塊，用于基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

指數(shù)計(jì)算模塊，用于當(dāng)所述一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行如下步驟：

獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，所述衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位；

從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

當(dāng)所述一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

本發(fā)明還提供一種車輛變速數(shù)據(jù)的處理終端，包括存儲(chǔ)器、處理器及存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器中并可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，所述衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位；

從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

當(dāng)所述一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

在本發(fā)明實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的流程圖；

圖2是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s3的具體流程圖；

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s31的具體流程圖；

圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s32的具體流程圖；

圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s33的具體流程圖；

圖6是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s34的具體流程圖；

圖7是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖；

圖8是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的變化率計(jì)算模塊3的具體結(jié)構(gòu)圖；

圖9是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的一種定位終端的結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明實(shí)施例中，一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法，包括：獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，所述衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位；從所述一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；當(dāng)所述一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)。

為了說明本發(fā)明所述的技術(shù)方案，下面通過具體實(shí)施例來進(jìn)行說明。

實(shí)施例一：

圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的流程圖，包括：

步驟s1、獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)；

具體地，實(shí)時(shí)跟蹤一個(gè)以上衛(wèi)星，讀進(jìn)每一個(gè)跟蹤的衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，獲得一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，該衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位數(shù)據(jù)，例如頻率等，每一個(gè)衛(wèi)星包括多個(gè)頻點(diǎn)(頻率)。

步驟s2，從一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

具體地，從一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，可隨意挑選其中的一個(gè)，此處對(duì)選擇方式不作限定。根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則從該選擇的衛(wèi)星中挑選兩個(gè)有效頻率。進(jìn)一步地，該預(yù)設(shè)規(guī)則可以是：以該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的第一頻點(diǎn)作為一個(gè)有效頻率，根據(jù)信噪比及跟蹤時(shí)長(zhǎng)選擇第二個(gè)有效頻率，例如，選擇信噪比最大及跟蹤時(shí)長(zhǎng)最長(zhǎng)的頻率作為第二個(gè)有效頻率。還可以是其它規(guī)則，此處對(duì)此不作限制。

步驟s3，基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

具體地，根據(jù)挑選的兩個(gè)有效頻率來計(jì)算該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率。

步驟s4，當(dāng)一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)；

具體地，對(duì)于一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一個(gè)衛(wèi)星均執(zhí)行上述步驟s2至s3，獲得每一個(gè)衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率。當(dāng)一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一個(gè)衛(wèi)星均被選擇后，表示已經(jīng)完成計(jì)算所有衛(wèi)星的電離層變化率，則基于每一衛(wèi)星的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，步驟s1之后、步驟s2之前還可包括：

步驟s01，分析一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一衛(wèi)星，獲取每一衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量；

具體地，每一個(gè)衛(wèi)星攜帶一個(gè)以上頻率數(shù)據(jù)，分析并統(tǒng)計(jì)每一衛(wèi)星的有效頻率的數(shù)量。

步驟s02，剔除有效頻率數(shù)量小于2的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星；

具體地，當(dāng)一個(gè)衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量少于2個(gè)時(shí)，表示該衛(wèi)星異常，則需要丟棄該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，將有效頻率數(shù)量少于2個(gè)的衛(wèi)星剔除之后，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星，需要說明的是，有效衛(wèi)星只是為了與異常衛(wèi)星進(jìn)行區(qū)別而定義。

進(jìn)一步地，該步驟s2具體為：從上述一個(gè)以上有效衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率。

本實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該步驟s4之后還可包括：

步驟s5，自動(dòng)基于所計(jì)算的電離層指數(shù)感測(cè)電離層活躍程度；

步驟s6，基于所感測(cè)的電離層活躍程度來進(jìn)行定位。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖2所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s3的具體流程圖，該步驟s3具體包括：

步驟s31，基于所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分后的載波相位；

具體地，根據(jù)所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分運(yùn)算結(jié)果，該差分運(yùn)算結(jié)果包括對(duì)應(yīng)的載波相位。

步驟s32，基于所獲得的載波相位進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，得到標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

具體地，獲得差分運(yùn)算結(jié)果之后，根據(jù)獲得的載波相位進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果。

步驟s33，基于所選擇的衛(wèi)星的仰角獲得加權(quán)因子；

具體地，衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)衛(wèi)星的仰角，基于該衛(wèi)星的仰角來獲得加權(quán)因子。

步驟s34，基于標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及加權(quán)因子計(jì)算電離層變化率。

具體地，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及加權(quán)因子來計(jì)算電離層變化率。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖3所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s31的具體流程圖，該步驟s31具體包括：

步驟s311，基于移動(dòng)站及基站的載波相位進(jìn)行單差運(yùn)算，獲得單差觀測(cè)值；

具體地，將移動(dòng)站與基站的載波相位相減，形成單差觀測(cè)值，具體采用下述公式δφrh^j＝φr^j-φh^j進(jìn)行單差計(jì)算，其中，所述δφrb^j為單差運(yùn)算結(jié)果(單差觀測(cè)值，選擇的衛(wèi)星j對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值)，φr^j為移動(dòng)站相對(duì)于當(dāng)前選擇的衛(wèi)星j的載波相位，所述φb^j為基站相對(duì)于當(dāng)前選擇的衛(wèi)星j的載波相位。

步驟s312，基于單差觀測(cè)值及參考星進(jìn)行雙差運(yùn)算，獲得雙差觀測(cè)值；

具體地，基于該單差觀測(cè)值及參考星i的載波相位來進(jìn)行雙差運(yùn)算，獲得雙差觀測(cè)值，具體采用公式：來進(jìn)行計(jì)算，其中，表示雙差觀測(cè)值，所述δφrbⁱ表示參考星i對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值，δφrb^j表示衛(wèi)星j對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值；

步驟s313，基于雙差觀測(cè)值及所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行電離層殘差組合運(yùn)算，獲得組合結(jié)果。

具體地，將雙差觀測(cè)值及所挑選的兩個(gè)有效頻率(f1及f2)進(jìn)行電離層殘差(gf)組合運(yùn)算，獲得組合結(jié)果，具體采用公式：來進(jìn)行計(jì)算，其中，所述gfiono表示組合結(jié)果，所述c表示光速，表示有效頻率f1雙差處理后的載波相位，表示有效頻率f2雙差處理后的載波相位。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖4所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s32的具體流程圖，該步驟s32具體包括：

步驟s321，基于組合結(jié)果進(jìn)行第一次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

具體地，將組合結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)化到對(duì)應(yīng)星座的第一頻點(diǎn)，即將上述電離層殘差組合運(yùn)算得到的組合結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)化到對(duì)應(yīng)星座的第一頻點(diǎn)，不同星座(gps，baidou，glonass或galileo)的不同頻率(第1頻點(diǎn)f1，第2頻點(diǎn)f2，第3頻點(diǎn)f3)組合得到的組合結(jié)果gfiono對(duì)最終估算電離層強(qiáng)度的權(quán)重是不同的，需要最終標(biāo)準(zhǔn)化到gpsl1(gps系統(tǒng)的第1頻點(diǎn))，便于在后續(xù)計(jì)算總的電離層指標(biāo)時(shí)，每個(gè)衛(wèi)星的基準(zhǔn)一致，提高計(jì)算的準(zhǔn)確性及科學(xué)性。具體采用下述公式來進(jìn)行第一次標(biāo)準(zhǔn)化處理：f1iono＝gfiono/1-sqrt(f1/f2)，其中，所述f1iono表示基于第1頻點(diǎn)的組合結(jié)果。

步驟s322，對(duì)第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果進(jìn)行第二次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第二標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果。

具體地，采用公式gpsf1iono＝f1iono*sqrt(f1/gpsf1)對(duì)第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果進(jìn)行第二次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第二標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果，即標(biāo)準(zhǔn)化到gpsl1，其中，所述gpsf1iono表示標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，gpsf1表示gps第一頻點(diǎn)的頻率。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖5所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s33的具體流程圖，該步驟s33具體包括：

步驟s331，設(shè)定最大電子密度；

具體地，設(shè)定height_max_electron_density＝350.0e³，本實(shí)施例中，低仰角的衛(wèi)星在雙差之后的殘差中電離層效應(yīng)占的比例較小，而多徑效應(yīng)和噪聲占的比例較多，所以需要降權(quán)。另外所有仰角的電離層效應(yīng)必須映射(mapping)到天頂方向，即90度的方向，以便后續(xù)利用所有衛(wèi)星的衛(wèi)星數(shù)據(jù)計(jì)算電離層效應(yīng)，所述e³表示10的三次方。

步驟s332，基于最大電子密度計(jì)算電離層高度系數(shù)；

具體地，根據(jù)公式：ion_height＝6378136.30/(6378136.30+height_max_electron_density)來計(jì)算該電離層高度系數(shù)，其中，所述ion_height表示電離層高度系數(shù)。

步驟s333，基于所計(jì)算的電離層高度系數(shù)獲得加權(quán)因子。

具體地，通過公式：dmapping＝pow((1.0-sq(ion_height*cos(delevation_)))，-0.5)來計(jì)算該加權(quán)因子，其中，該dmapping表示加權(quán)因子，delevation表示當(dāng)前衛(wèi)星的仰角。

步驟s334，基于標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及加權(quán)因子計(jì)算電離層變化率；

具體地，根據(jù)公式ionorate＝(gpsf1ionot1-gpsf1ionot0)/dt*1.0/dmapping來計(jì)算電離層變化率，其中，所述ionorate表示電離層變化率，所述gpsf1ionot1表示當(dāng)前時(shí)刻t1對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，gpsf1ionot0表示上一時(shí)刻t0對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，所述dt＝t1-t0。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該步驟s334之后還可包括：

步驟s335，對(duì)計(jì)算所得的電離層變化率進(jìn)行降噪處理；

具體地，利用低通濾波器來過濾噪聲，設(shè)置經(jīng)驗(yàn)值rate_filter_time_constant＝300，該經(jīng)驗(yàn)值決定低通濾波器的截止頻率，根據(jù)t1filteredionorate＝t0filteredionorate+dt/rate_filter_time_constant*(ionorate-t0filteredionorate)來進(jìn)行降噪處理，其中，所述t1filteredionorate表示當(dāng)前時(shí)刻t1過濾過的電離層變化率，t0filteredionorate表示前一時(shí)刻t0過濾過的電離層變化率，dt＝t1-t0。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖6所示，為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法的步驟s34的具體流程圖，該步驟s34具體包括：

步驟s341，基于所計(jì)算的每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層變化率平均值：

具體地，當(dāng)對(duì)每一衛(wèi)星執(zhí)行上述步驟之后，獲得每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率，基于每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率來計(jì)算電離層變化率的平均值，例如將每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率相加除以對(duì)應(yīng)衛(wèi)星的總數(shù)量為電離層變化率的平均值。

步驟s342，基于電離層變化率平均值剔除一個(gè)以上衛(wèi)星中的異常衛(wèi)星，獲得正常衛(wèi)星群；

具體地，獲得電離層變化率的平均值之后，以電離層變化率的平均值的預(yù)設(shè)倍數(shù)作為異常門限值，所述預(yù)設(shè)倍數(shù)可以為2倍、3倍、4倍、5、或者6倍，甚至更多，此處對(duì)此不作限制。作為優(yōu)選，本實(shí)施例中選擇5倍作為預(yù)設(shè)倍數(shù)，將每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率與5倍的電離層變化率的平均值進(jìn)行比較，若此時(shí)該衛(wèi)星的電離層變化率大于5倍電離層變化率的平均值時(shí)，表示該衛(wèi)星是異常的，則將此衛(wèi)星剔除，剩下電離層變化率不大于5倍電離層變化率的平均值的衛(wèi)星，并建議正常衛(wèi)星群，需要說明的是，此處正常僅為了區(qū)分前述的異常衛(wèi)星而定義。后續(xù)基于該正常衛(wèi)星群的衛(wèi)星的相關(guān)數(shù)據(jù)來計(jì)算電離層指數(shù)等參數(shù)。

步驟s343，基于正常衛(wèi)星群及對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)；

具體地，根據(jù)每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)，例如：計(jì)算正常衛(wèi)星群的電離層變化率的均方根值(rootmeamsquare，rms)，將該均方根值乘以比例因子即可得到電離層指數(shù)。其中，該比例因子可為100000，該電離層指數(shù)的范圍為1～10，當(dāng)電離層指數(shù)為10時(shí)，表示電離層活躍程度最強(qiáng)。該電離層指數(shù)可以輸出到接收機(jī)的rtk引擎中，以供后續(xù)參考使用。由于電離層的情況隨時(shí)發(fā)生變化，當(dāng)計(jì)算出當(dāng)前時(shí)刻的電離層指數(shù)并輸出后，又重新準(zhǔn)備開始計(jì)算下一時(shí)刻的電離層指數(shù)。

本實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

此外，先將載波相位做雙差處理，除去基站和移動(dòng)站共有的誤差(接收機(jī)鐘差、衛(wèi)星鐘差、軌道誤差等)，接著將兩個(gè)頻率進(jìn)行g(shù)f組合除去與位置相關(guān)的信息，提高電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)可靠性。

再者，通過低通濾波器進(jìn)行噪聲濾除，提高計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。而將雙差后的載波相位與前后歷元作差，消除整周模糊度，可提高電離層變化率計(jì)算的科學(xué)性。讓gnss終端自動(dòng)感知電離層的變化情況，然后調(diào)整rtk算法的設(shè)置，達(dá)到最優(yōu)的定位結(jié)果。

實(shí)施例二：

圖7示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)圖，該系統(tǒng)包括：獲取模塊1、與獲取模塊1連接的選擇模塊2、與選擇模塊2連接的變化率計(jì)算模塊3、與變化率計(jì)算模塊3連接的指數(shù)計(jì)算模塊4，其中：

獲取模塊1，用于獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)；

具體地，實(shí)時(shí)跟蹤一個(gè)以上衛(wèi)星，讀進(jìn)每一個(gè)跟蹤的衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，獲得一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，該衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括載波相位數(shù)據(jù)，例如頻率等，每一個(gè)衛(wèi)星包括多個(gè)頻點(diǎn)(頻率)。

選擇模塊2，用于從一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

具體地，從一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，可隨意挑選其中的一個(gè)，此處對(duì)選擇方式不作限定。根據(jù)預(yù)設(shè)規(guī)則從該選擇的衛(wèi)星中挑選兩個(gè)有效頻率。進(jìn)一步地，該預(yù)設(shè)規(guī)則可以是：以該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的第一頻點(diǎn)作為一個(gè)有效頻率，根據(jù)信噪比及跟蹤時(shí)長(zhǎng)選擇第二個(gè)有效頻率，例如，選擇信噪比最大及跟蹤時(shí)長(zhǎng)最長(zhǎng)的頻率作為第二個(gè)有效頻率。還可以是其它規(guī)則，此處對(duì)此不作限制。

變化率計(jì)算模塊3，用于基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

具體地，根據(jù)挑選的兩個(gè)有效頻率來計(jì)算該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率。

指數(shù)計(jì)算模塊4，用于當(dāng)一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)；

具體地，對(duì)于一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一個(gè)衛(wèi)星均執(zhí)行上述變化率計(jì)算模塊3及指數(shù)計(jì)算模塊4的功能，獲得每一個(gè)衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率。當(dāng)一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一個(gè)衛(wèi)星均被選擇后，表示已經(jīng)完成計(jì)算所有衛(wèi)星的電離層變化率，則基于每一衛(wèi)星的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該系統(tǒng)還可包括：與獲取模塊1連接的分析模塊、與分析模塊連接的篩選模塊，其中：

分析模塊，用于分析一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一衛(wèi)星，獲取每一衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量：

具體地，每一個(gè)衛(wèi)星攜帶一個(gè)以上頻率數(shù)據(jù)，分析并統(tǒng)計(jì)每一衛(wèi)星的有效頻率的數(shù)量。

篩選模塊，用于剔除有效頻率數(shù)量小于2的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星；

具體地，當(dāng)一個(gè)衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量少于2個(gè)時(shí)，表示該衛(wèi)星異常，則需要丟棄該衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星數(shù)據(jù)，將有效頻率數(shù)量少于2個(gè)的衛(wèi)星剔除之后，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星，需要說明的是，有效衛(wèi)星只是為了與異常衛(wèi)星進(jìn)行區(qū)別而定義。

進(jìn)一步地，該選擇模塊2具體用于從上述一個(gè)以上有效衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率。

本實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該系統(tǒng)還可包括：與指數(shù)計(jì)算模塊4連接的活躍程度感測(cè)模塊5、與活躍程度感測(cè)模塊5連接的定位模塊6，其中：

活躍程度感測(cè)模塊5，用于自動(dòng)基于所計(jì)算的電離層指數(shù)感測(cè)電離層活躍程度；

定位模塊6，用于基于所感測(cè)的電離層活躍程度來進(jìn)行定位。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，如圖8所示，為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的變化率計(jì)算模塊3的具體結(jié)構(gòu)圖，該變化率計(jì)算模塊3具體包括：頻率挑選單元31、與頻率挑選單元31連接的標(biāo)準(zhǔn)化單元32、與標(biāo)準(zhǔn)化單元32連接的加權(quán)因子獲取單元33、與加權(quán)因子獲取單元33連接的電離層變化率計(jì)算單元34，其中：

頻率挑選單元31，用于基于所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分后的載波相位；

具體地，根據(jù)所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行差分運(yùn)算，獲得差分運(yùn)算結(jié)果，該差分運(yùn)算結(jié)果包括對(duì)應(yīng)的載波相位。

標(biāo)準(zhǔn)化單元32，用于基于所獲得的載波相位進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，得到標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

具體地，獲得差分運(yùn)算結(jié)果之后，根據(jù)獲得的載波相位進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果。

加權(quán)因子獲取單元33，用于基于所選擇的衛(wèi)星的仰角獲得加權(quán)因子；

具體地，衛(wèi)星數(shù)據(jù)包括對(duì)應(yīng)衛(wèi)星的仰角，基于該衛(wèi)星的仰角來獲得加權(quán)因子。

電離層變化率計(jì)算單元34，用于基于標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及加權(quán)因子計(jì)算電離層變化率。

具體地，根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及加權(quán)因子來計(jì)算電離層變化率。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該頻率挑選單元31具體包括：?jiǎn)尾钣^測(cè)值計(jì)算子單元、與單差觀測(cè)值計(jì)算子單元連接的雙差觀測(cè)值計(jì)算子單元、與雙差觀測(cè)值計(jì)算子單元連接的組合子單元，其中：

單差觀測(cè)值計(jì)算子單元，用于基于移動(dòng)站及基站的載波相位進(jìn)行單差運(yùn)算，獲得單差觀測(cè)值；

具體地，將移動(dòng)站與基站的載波相位相減，形成單差觀測(cè)值，具體采用下述公式δφrb^j＝φr^j-φb^j進(jìn)行單差計(jì)算，其中，所述δφrb^j為單差運(yùn)算結(jié)果(單差觀測(cè)值，選擇的衛(wèi)星j對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值)，φr^j為移動(dòng)站相對(duì)于當(dāng)前選擇的衛(wèi)星j的載波相位，所述φb^j為基站相對(duì)于當(dāng)前選擇的衛(wèi)星j的載波相位。

雙差觀測(cè)值計(jì)算子單元，用于基于單差觀測(cè)值及參考星進(jìn)行雙差運(yùn)算，獲得雙差觀測(cè)值；

具體地，基于該單差觀測(cè)值及參考星i的載波相位來進(jìn)行雙差運(yùn)算，獲得雙差觀測(cè)值，具體采用公式：來進(jìn)行計(jì)算，其中，表示雙差觀測(cè)值，所述δφrbⁱ表示參考星i對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值，δφrb^j表示衛(wèi)星j對(duì)應(yīng)的單差觀測(cè)值；

組合子單元，用于基于雙差觀測(cè)值及所挑選的兩個(gè)有效頻率進(jìn)行電離層殘差組合運(yùn)算，獲得組合結(jié)果。

具體地，將雙差觀測(cè)值及所挑選的兩個(gè)有效頻率(f1及f2)進(jìn)行電離層殘差(gf)組合運(yùn)算，獲得組合結(jié)果，具體采用公式：來進(jìn)行計(jì)算，其中，所述gfiono表示組合結(jié)果，所述c表示光速，表示有效頻率f1雙差處理后的載波相位，表示有效頻率f2雙差處理后的載波相位。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該標(biāo)準(zhǔn)化單元32具體包括：第一標(biāo)準(zhǔn)化子單元、與第一標(biāo)準(zhǔn)化子單元連接的第二標(biāo)準(zhǔn)化子單元，其中：

第一標(biāo)準(zhǔn)化子單元，用于基于組合結(jié)果進(jìn)行第一次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果；

具體地，將組合結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)化到對(duì)應(yīng)星座的第一頻點(diǎn)，即將上述電離層殘差組合運(yùn)算得到的組合結(jié)果標(biāo)準(zhǔn)化到對(duì)應(yīng)星座的第一頻點(diǎn)，不同星座(gps，baidou，glonass或galileo)的不同頻率(第1頻點(diǎn)f1，第2頻點(diǎn)f2，第3頻點(diǎn)f3)組合得到的組合結(jié)果gfiono對(duì)最終估算電離層強(qiáng)度的權(quán)重是不同的，需要最終標(biāo)準(zhǔn)化到gpsl1(gps的第1頻點(diǎn))，便于在后續(xù)計(jì)算總的電離層指標(biāo)時(shí)，每個(gè)衛(wèi)星的基準(zhǔn)一致，提高計(jì)算的準(zhǔn)確性及科學(xué)性。具體采用下述公式來進(jìn)行第一次標(biāo)準(zhǔn)化處理：f1iono＝gfiono/1-sqrt(f1/f2)，其中，所述f1iono表示基于第1頻點(diǎn)的組合結(jié)果。

第二標(biāo)準(zhǔn)化子單元，用于對(duì)第一標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果進(jìn)行第二次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果。

具體地，采用公式gpsf1iono＝f1iono*sqrt(f1/gpsf1)進(jìn)行第二次標(biāo)準(zhǔn)化處理，獲得第二標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果，即標(biāo)準(zhǔn)化到gpsl1，其中，所述gpsf1iono表示標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，gpsf1表示gps第一頻點(diǎn)的頻率。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該加權(quán)因子獲取單元33具體包括：設(shè)定子單元、與設(shè)定子單元連接的高度系數(shù)計(jì)算子單元、與高度系數(shù)計(jì)算子單元連接的獲取子單元、與獲取子單元連接的電離層變化率計(jì)算子單元，其中：

設(shè)定子單元，用于設(shè)定最大電子密度；

具體地，設(shè)定height_max_electron_density＝350.0e³，本實(shí)施例中，低仰角的衛(wèi)星在雙差之后的殘差中電離層效應(yīng)占的比例較小，而多徑效應(yīng)和噪聲占的比例較多，所以需要降權(quán)。另外所有仰角的電離層效應(yīng)必須映射(mapping)到天頂方向，即90度的方向，以便后續(xù)利用所有衛(wèi)星的衛(wèi)星數(shù)據(jù)計(jì)算電離層效應(yīng)，所述e³表示10的三次方。

高度系數(shù)計(jì)算子單元，用于基于最大電子密度計(jì)算電離層高度系數(shù)；

具體地，根據(jù)公式：ion_height＝6378136.30/(6378136.30+height_max_electron_density)來計(jì)算該電離層高度系數(shù)，其中，所述ion_height表示電離層高度系數(shù)。

獲取子單元，用于基于所計(jì)算的電離層高度系數(shù)獲得加權(quán)因子。

具體地，通過公式：dmapping＝pow((1.0-sq(ion_height*cos(delevafion_)))，-0.5)來計(jì)算該加權(quán)因子，其中，該dmapping表示加權(quán)因子，delevation表示當(dāng)前衛(wèi)星的仰角。

電離層變化率計(jì)算子單元，用于基于標(biāo)準(zhǔn)化結(jié)果及所述加權(quán)因子計(jì)算電離層變化率；

具體地，根據(jù)公式ionorate＝(gpsf1ionot1-gpsf1ionot0)/dt*1.0/dmapping來計(jì)算電離層變化率，其中，所述ionorate表示電離層變化率，所述gpsf1ionot1表示當(dāng)前時(shí)刻t1對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，gpsf1ionot0表示上一時(shí)刻t0對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)化到gps第一頻點(diǎn)的組合結(jié)果，所述dt＝t1-t0。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該加權(quán)因子獲取單元33還可包括：與電離層變化率計(jì)算子單元連接的降噪子單元，其中：

降噪子單元，用于對(duì)計(jì)算所得的電離層變化率進(jìn)行降噪處理；

具體地，利用低通濾波器來過濾噪聲，設(shè)置經(jīng)驗(yàn)值rate_filter_time_constant＝300，該經(jīng)驗(yàn)值決定低通濾波器的截止頻率，根據(jù)t1filteredionorate＝t0filteredionorate+dt/rate_filter_time_constant*(ionorate-t0filteredionorate)來進(jìn)行降噪處理，其中，所述t1filteredionorate表示當(dāng)前時(shí)刻t1過濾過的電離層變化率，t0filteredionorate表示前一時(shí)刻t0過濾過的電離層變化率，所述dt＝t1-t0。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該電離層變化率計(jì)算單元34具體包括：平均值計(jì)算子單元、與平均值計(jì)算子單元連接的剔除子單元、與剔除子單元連接的指數(shù)計(jì)算子單元，其中：

平均值計(jì)算子單元，用于基于所計(jì)算的每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層變化率平均值；

具體地，當(dāng)對(duì)每一衛(wèi)星執(zhí)行上述步驟之后，獲得每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率，基于每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率來計(jì)算電離層變化率的平均值，例如將每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率相加除以對(duì)應(yīng)衛(wèi)星的總數(shù)量為電離層變化率的平均值。

剔除子單元，用于基于電離層變化率平均值剔除異常所述一個(gè)以上衛(wèi)星中的異常衛(wèi)星，獲得正常衛(wèi)星群；

具體地，獲得電離層變化率的平均值之后，以電離層變化率的平均值的預(yù)設(shè)倍數(shù)作為異常門限值，所述預(yù)設(shè)倍數(shù)可以為2倍、3倍、4倍、5、或者6倍，甚至更多，此處對(duì)此不作限制。作為優(yōu)選，本實(shí)施例中選擇5倍作為預(yù)設(shè)倍數(shù)，將每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率與5倍的電離層變化率的平均值進(jìn)行比較，若此時(shí)該衛(wèi)星的電離層變化率大于5倍電離層變化率的平均值時(shí)，表示該衛(wèi)星是異常的，則將此衛(wèi)星剔除，剩下電離層變化率不大于5倍電離層變化率的平均值的衛(wèi)星，并建議正常衛(wèi)星群，需要說明的是，此處正常僅為了區(qū)分前述的異常衛(wèi)星而定義。后續(xù)基于該正常衛(wèi)星群的衛(wèi)星的相關(guān)數(shù)據(jù)來計(jì)算電離層指數(shù)等參數(shù)。

指數(shù)計(jì)算子單元，用于基于正常衛(wèi)星群及對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)；

具體地，根據(jù)每一衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)，例如：計(jì)算正常衛(wèi)星群的電離層變化率的均方根值(rootmeamsquare，rms)，將該均方根值乘以比例因子即可得到電離層指數(shù)。其中，該比例因子可為100000，該電離層指數(shù)的范圍為1～10，當(dāng)電離層指數(shù)為10時(shí)，表示電離層活躍程度最強(qiáng)。該電離層指數(shù)可以輸出到接收機(jī)的rtk引擎中，以供后續(xù)參考使用。由于電離層的情況隨時(shí)發(fā)生變化，當(dāng)計(jì)算出當(dāng)前時(shí)刻的電離層指數(shù)并輸出后，又重新準(zhǔn)備開始計(jì)算下一時(shí)刻的電離層指數(shù)。

本實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

此外，先將載波相位做雙差處理，除去基站和移動(dòng)站共有的誤差(接收機(jī)鐘差、衛(wèi)星鐘差、軌道誤差等)，接著將兩個(gè)頻率進(jìn)行g(shù)f組合除去與位置相關(guān)的信息，提高電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)可靠性。

再者，通過低通濾波器進(jìn)行噪聲濾除，提高計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。而將雙差后的載波相位前后歷元作差，消除整周模糊度，可提高電離層變化率計(jì)算的科學(xué)性。在定位端利用電離層指數(shù)來自動(dòng)調(diào)整rtk算法的參數(shù)設(shè)置，優(yōu)化定位結(jié)果；讓gnss終端自動(dòng)感知電離層的變化情況，然后調(diào)整rtk算法的設(shè)置，達(dá)到最優(yōu)的定位結(jié)果。

實(shí)施例三：

圖9示出了本發(fā)明第三實(shí)施例提供的一種定位終端的結(jié)構(gòu)圖，該處定位終端包括：存儲(chǔ)器(memory)91、處理器(processor)92、通信接口(communicationsinterface)93和總線94，該處理器92、存儲(chǔ)器91、通信接口93通過總線94完成相互之間的交互通信。

存儲(chǔ)器91，用于存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)；

具體地，存儲(chǔ)器91用于存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)，例如通信過程中的數(shù)據(jù)、接收的數(shù)據(jù)等，此處對(duì)此不作限制，該存儲(chǔ)器還包括有多個(gè)計(jì)算機(jī)程序。

通信接口93，用于該定位終端的通信設(shè)備之間的信息傳輸；

處理器92，用于調(diào)用存儲(chǔ)器91中的各種計(jì)算機(jī)程序，以執(zhí)行上述實(shí)施例一所提供的方法，例如：

獲取一個(gè)以上衛(wèi)星當(dāng)前的衛(wèi)星數(shù)據(jù)；

分析一個(gè)以上衛(wèi)星中的每一衛(wèi)星，獲取每一衛(wèi)星的有效頻率數(shù)量；

剔除有效頻率數(shù)量小于2的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的衛(wèi)星，獲得一個(gè)以上有效衛(wèi)星；

從一個(gè)以上衛(wèi)星中選擇一個(gè)衛(wèi)星，按預(yù)設(shè)規(guī)則從所選擇的衛(wèi)星的載波相位數(shù)據(jù)挑選兩個(gè)有效頻率；

基于所挑選的兩個(gè)有效頻率計(jì)算所選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率；

當(dāng)一個(gè)以上衛(wèi)星中沒有未被選擇的衛(wèi)星時(shí)，基于每一選擇的衛(wèi)星對(duì)應(yīng)的電離層變化率計(jì)算電離層指數(shù)；

進(jìn)一步地，還可執(zhí)行下述步驟：

基于所計(jì)算的電離層指數(shù)自動(dòng)感測(cè)電離層活躍程度；

基于所感測(cè)的電離層活躍程度來進(jìn)行定位。

在本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)選方案中，該定位終端可為基于gnss(globa1navigationsatellitesystem，全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng))的定位終端。

本實(shí)施例中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

本發(fā)明還提供一種存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有多個(gè)計(jì)算機(jī)程序，該多個(gè)計(jì)算機(jī)程序被處理器調(diào)用執(zhí)行上述實(shí)施例一所述的一種電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)方法。

本發(fā)明中，計(jì)算每一監(jiān)控的衛(wèi)星的電離層變化率，綜合每一監(jiān)控的電離層變化率來計(jì)算電離層指數(shù)，可提高評(píng)估電離層活躍程度的準(zhǔn)確性。

此外，先將載波相位做雙差處理，除去基站和移動(dòng)站共有的誤差(接收機(jī)鐘差、衛(wèi)星鐘差、軌道誤差等)，接著將兩個(gè)頻率進(jìn)行g(shù)f組合除去與位置相關(guān)的信息，提高電離層活躍程度的監(jiān)測(cè)可靠性。

再者，通過低通濾波器進(jìn)行噪聲濾除，提高計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。而將雙差后的載波相位前后歷元作差，消除整周模糊度，可提高電離層變化率計(jì)算的科學(xué)性。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到，結(jié)合本文中所公開的實(shí)施例描述的各示例的單元及算法步驟，能夠以電子硬件、或者計(jì)算機(jī)軟件和電子硬件的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。這些功能究竟以硬件還是軟件方式來執(zhí)行，取決于技術(shù)方案的特定應(yīng)用和設(shè)計(jì)約束條件。

專業(yè)技術(shù)人員可以對(duì)每個(gè)特定的應(yīng)用來使用不同方法來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但是這種實(shí)現(xiàn)不應(yīng)認(rèn)為超出本發(fā)明的范圍。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。