本發(fā)明涉及光學檢測設備，尤其涉及一種生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測裝置及方法，屬于半導體材料制造設備技術領域。。

背景技術：

光致發(fā)光技術是研究固體中電子狀態(tài)、電子躍遷過程和電子-晶格相互作用等物理問題的一種常用方法，具有靈敏度高、無樣品制備和數(shù)據(jù)采集簡單、對樣品的破壞性小等優(yōu)點。其基本原理是：半導體材料受到光的激發(fā)時，電子產(chǎn)生由低能級向高能級的躍遷，產(chǎn)生電子-空穴對，形成非平衡載流子。這種處于激發(fā)態(tài)的電子在半導體中運動一段時間后，又回復到較低的能量狀態(tài)，并發(fā)生電子-空穴對的復合。非平衡電子可以直接越過禁帶與價帶空穴復合，也可以在被禁帶中的定域態(tài)俘獲后再與空穴復合。復合可以是輻射復合即發(fā)光，或者非輻射的表面復合、俄歇復合和發(fā)射多聲子的復合。復合過程中，電子-空穴對如果以光的形式釋放出多余的能量就稱為光致發(fā)光。

光致發(fā)光光譜是研究材料光學性質(zhì)及微結(jié)構的手段，可以滿足生物、醫(yī)學制藥、化學、食品、寶石學和半導體等行業(yè)的不同應用。其測量原理是，當短波長的光照射到材料上，處于低能級上的電子在吸收光子的能量后被激發(fā)到高能級。而處于高能級上的電子向低能級躍遷并釋放出光子，即出現(xiàn)熒光。釋放的光子能量由高低能級的能量差決定。因此，通過分析材料的光致發(fā)光譜就可以得到材料內(nèi)部能級的分布情況。一個示例來自半導體光伏行業(yè)，通過對半導體材料光致發(fā)光譜的分析，可以獲得半導體本征性質(zhì)和與缺陷有關的性質(zhì)，如測量材料的帶隙、發(fā)光效率、材料的組分、雜質(zhì)能級，缺陷類型、薄層厚度（如量子阱厚度）等。

盡管過去十年間相關領域有一些重要的進步，但是現(xiàn)有的測量光致發(fā)光的裝置通常無法提供復雜異質(zhì)結(jié)構生長環(huán)境（基片高速旋轉(zhuǎn)，高溫）過程中的實時信息。光致發(fā)光信號強度低，為提高檢測的靈敏度，必須最大限度降低背景源，同時盡可能提高信號的采集效率。

技術實現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有技術存在的不足，本發(fā)明所要解決的技術問題為：提供一種結(jié)構簡單，操作方便，靈敏度高的生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測裝置。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明采用的技術方案為：一種生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測裝置，包括薄膜生長反應室，所述薄膜生長反應室內(nèi)設置有用于承載基片的石磨盤，所述石磨盤下設置有旋轉(zhuǎn)軸；還包括：脈沖激光模塊：包含脈沖激光器及其控制電路，用于發(fā)出激光；

光學組件：用于接收脈沖激光器發(fā)出的激光，使其入射到基片表面；以及接收經(jīng)基片表面反射的光，使其入射到光譜儀；

光電開關模塊：包括光電開關和擋片，所述擋片設置在旋轉(zhuǎn)軸上，所述光電開關設置在擋片兩側(cè)；所述光電開關模塊用于在擋片經(jīng)過光電開關時，產(chǎn)生擋光信號并發(fā)送給數(shù)據(jù)計算單元；

光譜儀：用于接收基片表面反射的光，形成光譜數(shù)據(jù)并傳輸給數(shù)據(jù)計算單元，所述光譜儀光譜采集頻率為脈沖激光器開關頻率的兩倍；

數(shù)據(jù)計算單元：輸入端與光譜儀和光電開關模塊電連接，輸出端與脈沖激光器和光譜儀電連接；用于接收光電開關模塊發(fā)送的擋光信號，并根據(jù)擋光信號，分別輸出信號給所述脈沖激光器和光譜儀，控制所述脈沖激光器在對準基片起始位置時開始周期性發(fā)光，以及控制所述光譜儀與脈沖激光器同步開始采集光譜；還用于接收光譜儀傳輸?shù)墓庾V數(shù)據(jù)，并對光譜數(shù)據(jù)進行識別及處理。

所述的一種生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測裝置，還包括工作信號電路和ad/da轉(zhuǎn)換電路，所述數(shù)據(jù)計算單元的輸出端通過ad/da轉(zhuǎn)換電路和工作信號電路后分別與光譜儀和脈沖激光模塊電連接，所述光電開關模塊通過所述ad/da轉(zhuǎn)換電路與所述數(shù)據(jù)計算單元連接；所述工作信號電路用于將數(shù)據(jù)計算單元輸出的控制信號分別轉(zhuǎn)化為第一工作信號發(fā)送給所述脈沖激光器，以及轉(zhuǎn)化為第二工作信號發(fā)送給所述光譜儀，所述ad轉(zhuǎn)換電路用于將光電開關模塊的擋光信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號并發(fā)送給數(shù)據(jù)計算單元，并將數(shù)據(jù)計算單元發(fā)送的控制信號轉(zhuǎn)換為模擬信號發(fā)送給工作信號電路。

所述第一工作信號為周期t0=t/(n0*m)，占空比為1:1的周期性脈沖信號；所述t為擋光信號周期即為石磨盤旋轉(zhuǎn)周期，所述m為石磨盤上基片數(shù)量；n0為大于零的正整數(shù)，表示每個基片上采集的光致發(fā)光光譜數(shù)量；所述數(shù)據(jù)計算單元還用于根據(jù)擋光信號周期和擋光時刻，確定石磨盤的旋轉(zhuǎn)周期t，并結(jié)合擋片的位置，計算得到脈沖激光出光口對準任一基片邊緣的時刻，從而使第一工作信號和第二工作信號的起始時刻為脈沖激光出光口對準某一基片邊緣的時刻。

所述光電開關模塊的擋光時刻為脈沖激光對準任一基片的邊緣時刻，所述第一工作信號的起始時刻與所述擋光信號的擋光時刻同步。

數(shù)據(jù)計算單元對光譜數(shù)據(jù)進行識別與處理具體是指：

數(shù)據(jù)計算單元以光譜儀每采集兩次光譜數(shù)據(jù)為一個檢測周期，將每個檢測周期的前一個光譜數(shù)據(jù)與后一個光譜數(shù)據(jù)相減，得到的光譜數(shù)據(jù)記為基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)；

將工作信號與擋光信號進行相位對比，并結(jié)合擋片的位置，識別出每個光致發(fā)光光譜分別對應的基片。

所述光學組件包括：分束鏡、第一聚光透鏡、帶通濾波片、第二聚光透鏡、光纖接口、光纖，脈沖激光器發(fā)出的脈沖激光經(jīng)分束鏡發(fā)射后入射到第一聚光透鏡，第一聚光透鏡將脈沖激光會聚后垂直入射到基片表面，基片表面反射的光經(jīng)第一聚光透鏡后形成平行光入射到分束鏡，經(jīng)分束鏡透射后入射到帶通濾波片，經(jīng)帶通濾波片濾除掉雜散光后入射到第二聚光透鏡，經(jīng)第二聚光透鏡會聚后入射到光纖接口，通過光纖入射到光譜儀接收。

本發(fā)明還提供了一種生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測裝置的檢測方法，包括以下步驟：

s01、通過光電開關模塊測量擋片的擋光信號，并發(fā)送到所述數(shù)據(jù)計算單元；

s02、所述數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)擋光信號，計算出石磨盤的旋轉(zhuǎn)周期以及第一工作信號的頻率，并結(jié)合擋片位置和基片位置，發(fā)送控制信號給所述工作信號電路，使所述工作信號電路分別發(fā)送第一工作信號給所述脈沖激光器，并發(fā)送第二工作信號給所述光譜儀；同時將光譜儀的光譜采集頻率設置為脈沖激光器的開關頻率的兩倍；

s03、當脈沖激光器正好對準一基片邊緣位置時，工作信號電路同時發(fā)出第一工作信號和第二工作信號給所述脈沖激光器和光譜儀；起始時刻，第一工作信號為高電平，脈沖激光器發(fā)光，光譜儀開始記錄數(shù)據(jù)，經(jīng)歷半個周期后，第一工作信號為低電平，脈沖激光器停止發(fā)光，光譜儀再一次開始記錄數(shù)據(jù)；如此循環(huán)，待石墨盤旋轉(zhuǎn)一周，脈沖激光器經(jīng)歷所有基片后，停止發(fā)光，光譜儀停止采集光譜，并將光譜發(fā)送到數(shù)據(jù)計算單元；。

s04、數(shù)據(jù)計算單元以光譜儀每采集兩次光譜數(shù)據(jù)為一個檢測周期，將每個檢測周期的前一個光譜數(shù)據(jù)與后一個光譜數(shù)據(jù)相減，得到的光譜數(shù)據(jù)記為基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)，并根據(jù)光譜記錄時間，確定每個光譜數(shù)據(jù)對應的基片。

所述第一工作信號的周期為t0=t/m，所述步驟s03中，每個檢測周期激光經(jīng)歷一個基片。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比具有以下有益效果：本發(fā)明通過光電模塊采集擋光信號并傳輸?shù)綌?shù)據(jù)計算單元，數(shù)據(jù)計算單元可以得到薄膜生長反應室的轉(zhuǎn)速信息及相位信息，并通過工作信號電路發(fā)送同步不同頻率的工作信號給光譜儀和脈沖激光器，實現(xiàn)了實時控制檢測過程以及數(shù)據(jù)采集過程的目的；并且，通過對光電模塊采集到的相位信息，還可以對采集到的光致發(fā)光光譜進行識別。此外，通過對擋光信號進行數(shù)據(jù)處理分析，還可以對光譜儀和脈沖激光器的工作頻率進行控制，不但使數(shù)據(jù)采集數(shù)量少，檢測周期時間大大縮短，大大提高了光致發(fā)光光譜信號采集的效率，而且，還可以控制每個采集周期內(nèi)，脈沖激光器對準的是同一個基片，提高了數(shù)據(jù)采集的準確性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的在線實時檢測基片生長的裝置的原理示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的在線實時檢測基片生長的裝置的光學組件及光學原理示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的在線實時檢測基片生長裝置的石墨盤上基片的排列方式結(jié)構示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例；基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

參見附圖1，本發(fā)明實施例1提供的用于生產(chǎn)半導體器件薄膜生長的在線檢測裝置，包括薄膜生長反應室1、脈沖激光模塊2、光學組件4、光譜儀3、ad/da轉(zhuǎn)換電路5、數(shù)據(jù)計算單元6、工作信號電路7以及光電開關模塊11，脈沖激光模塊包括脈沖激光器以及其控制電路，脈沖激光器產(chǎn)生的脈沖激光，通過光學組件4后入射到薄膜生長反應室1內(nèi)的基片上，基片受激光照射，產(chǎn)生的光致發(fā)光光信號經(jīng)光學組件3后，進入光譜儀4進行采集，光譜儀4將采集到的光譜傳輸?shù)綌?shù)據(jù)計算單元6進行數(shù)據(jù)處理。數(shù)據(jù)計算單元6的輸出端通過ad/da轉(zhuǎn)換電路5和工作信號電路7后分別與光譜儀和脈沖激光模塊電連接。

具體地，薄膜生長反應室1內(nèi)從下至上依次是加熱器10、石墨盤9、基片8，薄膜生長反應室1上部由石英玻璃密封后形成觀察窗口，薄膜生長反應室1處于真空環(huán)境中，石磨盤9底部設置有電機控制的旋轉(zhuǎn)軸12，石磨盤9在旋轉(zhuǎn)軸的控制下在薄膜生長反應室內(nèi)的在其中，參見附圖3，為石墨盤9上基片8的排列方式結(jié)構示意圖。加熱器10對石墨盤9進行加熱控溫，石墨盤9再加熱基片8。

具體地，光電開關模塊11包括光電開關14和擋片13，其中，所述擋片13設置在在薄膜生長反應室中旋轉(zhuǎn)軸12上，所述光電開關14設置在擋片13兩側(cè)；所述光電開關模塊11用于在擋片周期性經(jīng)過光電開關時，產(chǎn)生周期性的擋光信號并發(fā)送給ad/da轉(zhuǎn)換電路5；ad/da轉(zhuǎn)換電路5將該周期性擋光信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號后傳輸給數(shù)據(jù)計算單元6，數(shù)據(jù)計算單元6根據(jù)該周期性擋光信號，不僅可以計算得到薄膜生長反應室1內(nèi)石磨盤旋轉(zhuǎn)周期，還可以根據(jù)擋片位置，得到擋光信號起始點時，與脈沖激光對準的基片。數(shù)據(jù)計算單元6對擋光信號進行分析計算后，通過ad/da轉(zhuǎn)換電路5，工作信號電路7，發(fā)送控制信號給脈沖激光器和光譜儀，控制所述脈沖激光器在對準基片起始位置時開始周期性發(fā)光，以及控制所述光譜儀與脈沖激光器同步開始采集光譜，其中，光譜儀的光譜采集頻率為脈沖激光器開關頻率的兩倍；同時，數(shù)據(jù)計算單元6還用于接收光譜儀傳輸?shù)墓庾V數(shù)據(jù)，并對光譜數(shù)據(jù)進行識別及處理。

其中，所述工作信號電路用于將數(shù)據(jù)計算單元輸出的控制信號分別轉(zhuǎn)化為第一工作信號發(fā)送給所述脈沖激光器，以及轉(zhuǎn)化為第二工作信號發(fā)送給所述光譜儀，所述ad轉(zhuǎn)換電路用于將光電開關模塊的擋光信號轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號并發(fā)送給數(shù)據(jù)計算單元，并將數(shù)據(jù)計算單元發(fā)送的控制信號轉(zhuǎn)換為模擬信號發(fā)送給工作信號電路。

此外，光譜儀4采集到光譜信號傳輸?shù)綌?shù)據(jù)計算單元6后，數(shù)據(jù)計算單元6將工作信號與擋光信號進行相位比對，即可以對光譜儀記錄的光譜數(shù)據(jù)進行識別，即識別出每個光譜數(shù)據(jù)對應的基片。

其中，脈沖激光器可選為三倍頻nd：yag脈沖激光器，波長為355nm，可以為納秒（ns）級脈寬。光譜儀3波段需包含led發(fā)光波段，且分辨率足夠高，一般選用響應波段為200~1100nm的光譜儀。

具體地，數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)光電開關模塊發(fā)送的擋光信號對光譜數(shù)據(jù)進行識別與處理具體是指：數(shù)據(jù)計算單元以光譜儀每采集兩次光譜數(shù)據(jù)為一個檢測周期，將每個檢測周期的前一個光譜數(shù)據(jù)與后一個光譜數(shù)據(jù)相減，得到的光譜數(shù)據(jù)記為基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)；數(shù)據(jù)計算單元將工作信號與擋光信號進行相位對比，并結(jié)合擋片的位置，識別出n組光致發(fā)光光譜分別對應的基片。

具體地，所述第一工作信號為周期t0=t/(n0*m)，f=n0*m/t，占空比為1:1的周期性脈沖信號；所述t為擋光信號周期即為石磨盤旋轉(zhuǎn)周期，所述m為石磨盤上基片數(shù)量；n0為大于零的正整數(shù)，表示每個基片上采集的光致發(fā)光光譜數(shù)量；所述數(shù)據(jù)計算單元還用于根據(jù)擋光信號周期和擋光時刻，確定石磨盤的旋轉(zhuǎn)周期t，并結(jié)合擋片的位置，計算得到脈沖激光出光口對準任一基片邊緣的時刻，從而使第一工作信號和第二工作信號的起始時刻為脈沖激光出光口對準某一基片邊緣的時刻。第一工作信號的頻率f=n0*m/t，則可以使每個采集周期，脈沖激光不會跨度到多個基片進行入射，最多經(jīng)歷一個基片，而且，第一工作信號和第二工作信號的起始時刻為脈沖激光出光口對準某一基片邊緣的時刻，可以使每個采集周期的均對準一個基片，則采集到的光譜數(shù)據(jù)更加準確。

舉例說明，假設反應室中石墨盤9上一圈排列有5片基片，如圖3所示，石墨盤轉(zhuǎn)速為240rpm，則工作信號的頻率可以設置為20hz，40hz，或80hz……等等，則對應地，脈沖激光器的開關頻率為20hz，40hz或80hz……，光譜儀采集光譜的頻率為40hz，80hz或160hz……，以脈沖激光器開關頻率20hz，光譜儀采集光譜的頻率40hz為例，即脈沖激光器開關一次周期為50ms，光譜儀采集數(shù)據(jù)的周期為25ms，石磨盤每圈歷時250ms，忽略基片間隙，每個基片經(jīng)歷激光時間為50ms，剛好每個基片采集2次光譜數(shù)據(jù)，一次為激光器開，采集的是基片的光致發(fā)光光譜加背景光譜的和，一次為激光器關，采集的是背景光譜，兩次數(shù)據(jù)相減，即可以得到該基片的光致發(fā)光光譜，去除了測量光譜中的背景數(shù)據(jù)，大大提高了光致發(fā)光光譜的測量靈敏度；假設脈沖激光器開關頻率為40hz，光譜儀采集光譜的頻率80hz，即脈沖激光器開關一次周期為25ms，光譜儀采集數(shù)據(jù)的周期為12.5ms，石磨盤每圈歷時250ms，忽略基片間隙，每個基片經(jīng)歷激光時間為50ms，剛好每個基片采集4次光譜數(shù)據(jù)，第一次和第三次為激光器開，采集的是基片的光致發(fā)光光譜加背景光譜的和，第二次和第四次為激光器關，采集的是背景光譜，相鄰兩次數(shù)據(jù)相減后去平均，即可以得到該基片的光致發(fā)光光譜；工作信號的周期數(shù)最小設置為n=5，即5個檢測周期（250ms）即可以實現(xiàn)所有基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)采集。因此，數(shù)據(jù)采集過程快，無效數(shù)據(jù)少，大大提高了光致發(fā)光光譜的檢測效率。

進一步地，可以對光電開關模塊的位置進行具體設置，使所述光電開關模塊的擋光時刻為脈沖激光對準任一基片的邊緣時刻，所述第一工作信號的起始時刻與所述擋光信號的擋光時刻同步。則通過擋片位置可以知道，擋光發(fā)生時刻脈沖激光器對準的基片是哪一片，即第一工作信號或第二工作信號的起始時刻測量的也是該基片反射的光譜，即光譜儀采集的第一組光譜對應的基片可以被識別，再根據(jù)信號采集周期及石磨盤旋轉(zhuǎn)周期等信息，即可以對每一組光譜對應的基片進行識別。此外，第一工作信號的起始時刻也可以與擋光時刻也可以不同步，只需要對兩個信號進行相位對比，同樣可以對每一組光譜對應基片進行識別。

具體地，數(shù)據(jù)計算單元對光譜數(shù)據(jù)進行識別與處理具體是指：數(shù)據(jù)計算單元以光譜儀每采集兩次光譜數(shù)據(jù)為一個檢測周期，將每個檢測周期的前一個光譜數(shù)據(jù)與后一個光譜數(shù)據(jù)相減，得到的光譜數(shù)據(jù)記為基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)；然后將第一工作信號與擋光信號進行相位對比，并結(jié)合擋片的位置，識別出每個光致發(fā)光光譜分別對應的基片。

具體地，如圖1～2所示，光學組件包括：分束鏡a01、第一聚光透鏡a02、帶通濾波片a03、第二聚光透鏡a04、光纖接口a05和光纖，脈沖激光器發(fā)出的脈沖激光經(jīng)分束鏡a01發(fā)射后入射到第一聚光透鏡a02，第一聚光透鏡a02將脈沖激光會聚后垂直入射到基片表面，基片表面反射的光經(jīng)第一聚光透鏡a02后形成平行光入射到分束鏡a01，經(jīng)分束鏡a01透射后入射到帶通濾波片a03，經(jīng)帶通濾波片a03濾除掉雜散光后入射到第二聚光透鏡a04，經(jīng)第二聚光a04透鏡會聚后入射到光纖接口a05，通過光纖入射到光譜儀3接收。

本發(fā)明實施例還提供了一種生長薄膜光致發(fā)光光譜的原位檢測方法，包括以下步驟：

s01、通過光電開關模塊測量擋片的擋光信號，并發(fā)送到所述數(shù)據(jù)計算單元；

s02、所述數(shù)據(jù)計算單元根據(jù)擋光信號，計算出石磨盤的旋轉(zhuǎn)周期以及第一工作信號的頻率，并結(jié)合擋片位置和基片位置，發(fā)送控制信號給所述工作信號電路，使所述工作信號電路分別發(fā)送第一工作信號給所述脈沖激光器，并發(fā)送第二工作信號給所述光譜儀；同時將光譜儀的光譜采集頻率設置為脈沖激光器的開關頻率的兩倍；

s03、當脈沖激光器正好對準一基片邊緣位置時，工作信號電路同時發(fā)出第一工作信號和第二工作信號給所述脈沖激光器和光譜儀；起始時刻，第一工作信號為高電平，脈沖激光器發(fā)光，光譜儀開始記錄數(shù)據(jù)，經(jīng)歷半個周期后，第一工作信號為低電平，脈沖激光器停止發(fā)光，光譜儀再一次開始記錄數(shù)據(jù)；如此循環(huán)，待石墨盤旋轉(zhuǎn)一周，脈沖激光器經(jīng)歷所有基片后，停止發(fā)光，光譜儀停止采集光譜，并將光譜發(fā)送到數(shù)據(jù)計算單元；。

s04、數(shù)據(jù)計算單元以光譜儀每采集兩次光譜數(shù)據(jù)為一個檢測周期，將每個檢測周期的前一個光譜數(shù)據(jù)與后一個光譜數(shù)據(jù)相減，得到的光譜數(shù)據(jù)記為基片的光致發(fā)光光譜數(shù)據(jù)，并根據(jù)光譜記錄時間，確定每個光譜數(shù)據(jù)對應的基片。

由于光譜儀的信號采集頻率為脈沖激光器開關頻率的兩倍，則脈沖激光器的開關周期為光譜儀的采集周期的兩倍，即，脈沖激光器每個開關周期內(nèi)，光譜儀采集兩次數(shù)據(jù)，第一次為脈沖激光器開時，采集的數(shù)據(jù)為光致發(fā)光光譜與背景光譜之和，第二次為脈沖激光器關，采集的數(shù)據(jù)為背景光譜，因此，將脈沖激光器每個周期內(nèi)采集的數(shù)據(jù)進行相減，可以得到真正的光致發(fā)光光譜。測量數(shù)據(jù)準確，精度高。

進一步地，所述第一工作信號的周期為t0=t/m，所述步驟s03中，每個基片經(jīng)歷一個檢測周期。則可以正好每個基片采集一組光致發(fā)光光譜，提高了光譜采集的效率。

為保證光譜儀數(shù)據(jù)采集頻率、脈沖激光器激光開關頻率、薄膜生長反應室的轉(zhuǎn)速等參數(shù)協(xié)調(diào)一致，本發(fā)明通過光電模塊采集擋光信號并傳輸?shù)綌?shù)據(jù)計算單元，數(shù)據(jù)計算單元可以得到薄膜生長反應室的轉(zhuǎn)速信息及相位信息，采用工作信號電路4及軟件控制并用的方式，及通過控制工作信號電路發(fā)送同步不同頻率的工作信號給光譜儀和脈沖激光器，實現(xiàn)了實時控制檢測過程以及數(shù)據(jù)采集過程的目的；并且，通過對光電模塊采集到的相位信息，還可以對采集到的光致發(fā)光光譜進行識別。此外，通過對擋光信號進行數(shù)據(jù)處理分析，還可以對光譜儀和脈沖激光器的工作頻率進行控制，不但使數(shù)據(jù)采集數(shù)量少，檢測周期時間大大縮短，大大提高了光致發(fā)光光譜信號采集的效率，而且，還可以控制每個采集周期內(nèi)，脈沖激光器對準的是同一個基片，提高了數(shù)據(jù)采集的準確性。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。