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一種pH測量校準方法及采用該方法的泳池水質(zhì)檢測儀與流程

文檔序號:11261307閱讀:391來源:國知局
一種pH測量校準方法及采用該方法的泳池水質(zhì)檢測儀與流程

本發(fā)明涉及水質(zhì)檢測技術領域,特別涉及一種ph測量校準方法及采用該方法的泳池水質(zhì)檢測儀。



背景技術:

一個安全、衛(wèi)生的泳池都需要配置有可靠的水質(zhì)監(jiān)測、控制裝置或系統(tǒng)來確保游泳者的舒適以及保證水符合健康標準;對ph、orp、余氯、濁度和溫度值等多個泳池水質(zhì)參數(shù)進行檢測,并結合檢測數(shù)據(jù)來計算所需添加的藥物并提醒用戶進行加藥。

現(xiàn)有的水質(zhì)檢測裝置或系統(tǒng)通常是固定安裝在泳池內(nèi)的,當長時間使用后需要將檢測的傳感器取出進行重新校準,其拆卸和校準操作過程麻煩且成本高。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于至少一定程度上解決現(xiàn)有技術中的不足,提供一種ph測量校準方法及采用該方法的泳池水質(zhì)檢測儀。

為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供的ph測量校準方法,包括如下步驟:

提供具有標準線性函數(shù)的ph傳感器,所述標準線性函數(shù)表示的是所述ph傳感器的電極所檢測液體的電勢與該液體的ph值之間的關系,所述標準線性函數(shù)的斜率=-59.1mv/ph;

將所述ph傳感器電極檢測一種已知ph值的標準緩沖液,獲得與該ph值對應的電勢,將該對應關系帶入所述斜率從而獲得校準線性函數(shù);

通過所獲得的校準線性函數(shù)來檢測未知ph值的待測液體的實際ph值。

優(yōu)選地,所述標準緩沖液在溫度處于25℃時的ph值為7。

優(yōu)選地,所述標準線性函數(shù)和校準線性函數(shù)是在以ph值為橫坐標、電極電勢為縱坐標的坐標系上繪制標準直線以及校準直線。

優(yōu)選地,當校準直線繪制好后,檢測未知ph值的待測液體時,將ph傳感器的電極放入所述待測液體中進行檢測其電勢,根據(jù)該檢測到的電勢直接在校準直線上查取ph值,該查取的ph值即為該待測液體的校準ph值。

優(yōu)選地,所述ph傳感器在檢測待測液體時是溫度處于25℃的條件下。

優(yōu)選地,當所述待測液體的溫度不在25℃時根據(jù)溫度進行校正補償。

本發(fā)明公開了一種采用所述ph測量校準方法的泳池水質(zhì)檢測儀,包括殼體以及與所述殼體下端連接的底座,所述底座與所述殼體之間形成有一檢測腔體,所述殼體內(nèi)設置有ph傳感器、orp傳感器以及tds傳感器,所述ph傳感器、orp傳感器以及tds傳感器分別具有由所述殼體底部伸入至所述檢測腔體內(nèi)的ph探頭、orp探針以及tds探針,所述底座側(cè)壁上設有一個或多個與所述檢測腔體連通的第一通孔。

優(yōu)選地,所述殼體的上端具有第一開口,所述第一開口上密封連接有一蓋體,所述蓋體與所述殼體之間形成有用于安裝ph傳感器、orp傳感器以及tds傳感器的所述收容腔體。

優(yōu)選地,所述收容腔體內(nèi)還設置有固定安裝在所述蓋體內(nèi)側(cè)的控制電路板,所述控制電路板分別與所述ph傳感器、orp傳感器以及tds傳感器電性連接。

優(yōu)選地,所述控制電路板上設置有wifi模塊,所述蓋體上設置有與所述wifi模塊連接的天線。

本發(fā)明技術方案是通過將標準線性函數(shù)在電勢-hp值的坐標系中所繪制的標準直線平移到已知ph值的標準緩沖液在坐標系所對應的點上,從而繪制校準直線,然后在對未知hp值的待測液體進行檢測時利用該校準直線來獲得該待測液體的實際hp值。本發(fā)明的校準方法通常用于hp傳感器在長時間使用后對液體電勢檢測不準確后時使用的,其操作簡單,校準方便快捷,只需使用者對一種標準緩沖液進行校準檢測即可獲得校準的線性函數(shù)。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖示出的結構獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明在電勢-ph坐標系上標準直線和校準直線200的示意圖;

圖2為本發(fā)明泳池水質(zhì)檢測儀的剖面結構示意圖;

圖3為本發(fā)明泳池水質(zhì)檢測儀的分解示意圖一;

圖4為本發(fā)明泳池水質(zhì)檢測儀的分解示意圖二;

圖5為本發(fā)明泳池水質(zhì)檢測儀的殼體內(nèi)部結構示意圖;

圖6為本發(fā)明泳池水質(zhì)檢測儀的蓋體分解結構示意圖。

本發(fā)明目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結合實施例,參照附圖做進一步說明。

具體實施方式

下面詳細描述本發(fā)明的實施例,所述實施例的示例在附圖中示出,其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的,旨在用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制,基于本發(fā)明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

在本發(fā)明的描述中,需要理解的是,術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”“軸向”、“周向”、“徑向”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系,僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述,而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作,因此不能理解為對本發(fā)明的限制。

此外,術語“第一”、“第二”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。在本發(fā)明的描述中,“多個”的含義是兩個或兩個以上,除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明中,除非另有明確的規(guī)定和限定,術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解,例如,可以是固定連接,也可以是可拆卸連接,或一體地連接;可以是機械連接,也可以是電連接;可以是直接相連,也可以通過中間媒介間接相連,可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領域的普通技術人員而言,可以根據(jù)具體情況理解上述術語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中,除非另有明確的規(guī)定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸,也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下面參照附圖詳細描述本發(fā)明實施例的ph測量校準方法及采用該方法的泳池水質(zhì)檢測儀。

如圖1所示,根據(jù)本發(fā)明實施例的ph測量校準方法,包括如下步驟:

(1)提供具有標準線性函數(shù)的ph傳感器,所述標準線性函數(shù)表示的是所述ph傳感器的電極所檢測液體的電勢與該液體的ph值之間的關系,所述標準線性函數(shù)的斜率=-59.1mv/ph。

具體地,該標準線性函數(shù)是在以ph值為橫坐標、電極電勢為縱坐標的坐標系上繪制標準直線100,其斜率表示的是相鄰兩個ph值液體的檢測電勢差為59.1mv,且ph值越大的液體所獲得的電勢越小。

(2)將所述ph傳感器電極檢測一種已知ph值的標準緩沖液,獲得與該ph值對應的電勢,將該對應關系帶入所述斜率從而獲得校準線性函數(shù)。

同理,校準線性函數(shù)也是在以ph值為橫坐標、電極電勢為縱坐標的坐標系上繪制校準直線200,通過檢測已知ph值的標準緩沖液來獲得校準的坐標點,然后將標準直線100平移到該校準坐標點上,從而在坐標系上獲得所述校準直線200。

(3)通過所獲得的校準線性函數(shù)來檢測未知ph值的待測液體的實際ph值。也就是說,當校準直線200繪制好后,檢測未知ph值的待測液體時,將ph傳感器的電極放入所述待測液體中進行檢測其電勢,根據(jù)該檢測到的電勢直接在校準直線200上查取ph值,該查取的ph值即為該待測液體的校準ph值。

根據(jù)本發(fā)明實施例的ph測量校準方法,是通過將標準線性函數(shù)在電勢-hp值的坐標系中所繪制的標準直線100平移到已知ph值的標準緩沖液在坐標系所對應的點上,從而繪制校準直線200,然后在對未知hp值的待測液體進行檢測時利用該校準直線200來獲得該待測液體的實際hp值。本發(fā)明的校準方法通常用于hp傳感器在長時間使用后對液體電勢檢測不準確后時使用的,其操作簡單,校準方便快捷,只需使用者對一種標準緩沖液進行校準檢測即可獲得校準的線性函數(shù)。

其中,所述標準緩沖液在溫度處于25℃時的ph值為7,也就是說,通過本發(fā)明的校準方法所獲得的校準線性函數(shù),在檢測的待測液體hp值越接近7時就越準確,而這完全可以適用于泳池水質(zhì)的檢測,通常的泳池水質(zhì)都是趨近于7的,因此,本發(fā)明的校準方法可以完全適用于對泳池水質(zhì)的ph值進行校準檢測。

進一步地,所述ph傳感器在檢測待測液體時是溫度處于25℃的條件下,當所述待測液體的溫度不在25℃時需要根據(jù)溫度進行校正補償。該溫度校準補償是本領域技術人員所熟知的技術,再此不在贅述。

需要說明的是,所述標準線性函數(shù)的斜率是在hp傳感器在出廠時通過對ph值分別為4和7的兩種標準緩沖液上進行檢測繪制得到的。

本發(fā)明還提出一種采用上述hp測量校準方法的泳池水質(zhì)檢測儀,該泳池水質(zhì)檢測儀包括殼體10以及與所述殼體10下端連接的底座20,所述底座20與所述殼體10之間形成有一檢測腔體21,進一步地,所述殼體10的上端具有第一開口11,所述第一開口11上密封連接有一蓋體30,所述蓋體30與所述殼體10之間形成有用于安裝ph傳感器40、orp傳感器50以及tds傳感器60的所述收容腔體12。該ph傳感器40在測量ph值時所采用的校準方法參照上述實施例,由于本泳池水質(zhì)檢測儀采用了上述所有實施例的全部技術方案,因此至少具有上述實施例的技術方案所帶來的所有有益效果,在此不再一一贅述。

根據(jù)本實施例的泳池水質(zhì)檢測儀,當將本實施例的泳池水質(zhì)檢測儀放進泳池內(nèi)時,池水可從第一通孔22中進入到檢測腔體21內(nèi)而與ph探頭41、orp探針51以及tds探針61接觸,從而使ph傳感器40、orp傳感器50以及tds傳感器60可檢測池水的電導率(純凈度)、ph值以及氧化還原能力等對應數(shù)據(jù);而通過底座20所限定出的檢測腔體21可使得泳池水質(zhì)檢測儀在放入泳池之后,避免了ph探頭41、orp探針51以及tds探針61與泳池底壁碰撞損壞,保證了使用安全性以及檢測的穩(wěn)定性。

作為優(yōu)選地,所述tds傳感器內(nèi)集成有溫度傳感器,所述溫度傳感器的溫度探針62伸入所述檢測腔體21內(nèi)。從而使本實施例的泳池水質(zhì)檢測儀可通過該溫度探針62來實時檢測泳池池水的溫度。以便于ph傳感器40在檢測池水的hp值時進行溫度補償校正。

在本發(fā)明的一個實施例中,如圖2至圖4所示,所述收容腔體12內(nèi)還設置有固定安裝在所述蓋體30內(nèi)側(cè)的控制電路板31,所述控制電路板31分別與所述ph傳感器40、orp傳感器50以及tds傳感器60電性連接。優(yōu)選地,所述控制電路板31上設置有wifi模塊,所述蓋體30上設置有與所述wifi模塊連接的天線32。如此,傳感器將所檢測的數(shù)據(jù)通過wifi模塊發(fā)送至手機,以使手機可遠程監(jiān)控到泳池的實時情況,且使用戶可根據(jù)所獲得的數(shù)據(jù)對應添加藥劑以使水質(zhì)處于正常范圍內(nèi)。

進一步地,結合圖5所示,所述收容腔體12的底部的相對兩側(cè)分別固定安裝有作為配重的蓄電池70,所述蓄電池70與所述控制電路板31電性連接。具體地,ph傳感器40設置在殼體10的中心位置,orp傳感器50以及tds傳感器60對應位于ph傳感器40的兩側(cè),而殼體10底部位于三個傳感器的兩側(cè)上分別設置有u型固定架17,該u型固定架17與殼體10的內(nèi)壁之間形成有安裝槽,多個蓄電池70分別裝入兩個安裝槽內(nèi),并通過壓緊片18進行固定;因此,本實施例的泳池水質(zhì)檢測儀結構設計合理,空間利用率高。

如圖6所示,所述蓋體30上一體成型的凸設有一管體35,所述蓋體30位于所述管體35內(nèi)的位置設有一電源開關37以及一充電接口38,所述管體35上密封連接有一端蓋36。其中,管體35的外側(cè)設置有外螺紋,端蓋36的內(nèi)側(cè)設有與該外螺紋適配的內(nèi)螺紋,端蓋36通過螺紋連接在管體35上,且端蓋36與管體35之間設置有密封圈361,從而將該電源開關37以及充電接口38密封保護。

在本發(fā)明的一些實施例中,如圖3和圖4所示,所述蓋體30的上端具有第二開口23,所述殼體10下端具有與所述第二開口23適配的凸臺連接部19,所述蓋體30通過所述第二開口23以螺紋連接或卡接的方式安裝在所述凸臺連接部19上;所述蓋體30的底部中心開設有第二通孔24。具體的,該第二通孔24是與檢測腔體21連通的,如此當將泳池水質(zhì)檢測儀從泳池中取出進行充電或校準時,檢測腔體21內(nèi)的池水可從第二通孔24中流出,且沉淀在檢測腔體21內(nèi)的雜質(zhì)淤泥等也隨池水從第二通孔24排出,可保持檢測腔體21內(nèi)的清潔。

如圖2和圖3所示,所述殼體10上端的側(cè)壁外表面一體成型有一環(huán)形連接部13,所述環(huán)形連接部13上圓周均勻的設置有連接孔14,所述蓋體30下表面對應所述連接孔14的位置有連接柱33,所述連接柱33內(nèi)設置有螺紋孔,所述蓋體30通過螺釘穿過所述連接孔14以及螺紋孔而連接在殼體10上,所述環(huán)形連接部13與所述蓋體30的外緣之間設置有密封圈151。具體的,環(huán)形連接部13的外緣上設有環(huán)形的凹槽15,密封圈151設于該凹槽15內(nèi),當蓋體30通過螺釘固定在殼體10上時,蓋體30的外緣壓緊在該密封圈151上。

進一步地,如圖3所示,所述殼體10的側(cè)壁頂端凹陷有一環(huán)形槽16,所述環(huán)形槽16內(nèi)填充有密封膠,所述蓋體30的下表面對應所述環(huán)形槽16的位置設置有一環(huán)形凸緣34,當所述蓋體30連接在所述殼體10上時,所述環(huán)形凸緣34壓入所述環(huán)形槽16內(nèi)。如此,通過環(huán)形連接部13上的密封圈以及環(huán)形槽16內(nèi)的密封膠,可使蓋體30在安裝在殼體10上時形成雙層的防水結構,確保了殼體10內(nèi)收容腔體12的密封性能。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是在本發(fā)明的發(fā)明構思下,利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構變換,或直接/間接運用在其他相關的技術領域均包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。

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