本實(shí)用新型涉及微機(jī)電傳感器領(lǐng)域，具體而言，涉及一種微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件。

背景技術(shù)：

微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器用于氣體的檢測(cè)?，F(xiàn)有技術(shù)中的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器中的各個(gè)部件通過(guò)導(dǎo)線連接在一起，有些微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器的導(dǎo)線直接暴露在氣體介質(zhì)中，而待測(cè)試的氣體可能含有的水分、其他導(dǎo)電的薄霧、顆粒等會(huì)引起導(dǎo)線短路?，F(xiàn)有技術(shù)中的另一些微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器是對(duì)導(dǎo)線接口處進(jìn)行密封，但是導(dǎo)線焊接時(shí)的虛焊、密封材料的應(yīng)力釋放以及密封出現(xiàn)泄漏均會(huì)降低裝置的可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件，所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件包括：傳感器芯片及載體；

所述傳感器芯片包括：

基底；

設(shè)置在所述基底的第一表面的支撐膜和熱敏電阻；

設(shè)置在所述支撐膜上的至少兩個(gè)感應(yīng)元件及加熱器；

設(shè)置在所述基底一端由所述第一表面貫穿至相對(duì)的第二表面的通孔，所述通孔的填充物的一側(cè)設(shè)置有傳感器芯片的背面觸點(diǎn)；

覆蓋在所述感應(yīng)元件、加熱器及熱敏電阻上使所述感應(yīng)元件、加熱器及熱敏電阻連接至所述通孔的填充物的導(dǎo)電層；

覆蓋在所述傳感器芯片上表面的鈍化層；以及

所述載體通過(guò)焊盤與傳感器芯片的所述背面觸點(diǎn)連接。

優(yōu)選地，所述傳感器的基底的第一表面及第二表面設(shè)置有基底鈍化層，所述基底鈍化層的厚度為100納米至300納米。

優(yōu)選地，所述基底的第一表面的基底鈍化層上設(shè)置有熱敏電阻，所述熱敏電阻與所述導(dǎo)電層相連。

優(yōu)選地，所述感應(yīng)元件及加熱器為熱敏電阻，所述感應(yīng)元件及加熱器對(duì)應(yīng)的熱敏電阻與所述設(shè)置在基底鈍化層上的熱敏電阻的厚度為100納米至300納米。

優(yōu)選地，所述基底設(shè)置有由所述第二表面向第一表面延伸的空腔及將所述空腔與外界連通的空槽，所述空槽設(shè)置在所述感應(yīng)元件所在一側(cè)。

優(yōu)選地，所述空腔設(shè)置在所述感應(yīng)元件及加熱器的正對(duì)位置，所述空腔的寬度大于感應(yīng)元件和加熱器占有的總寬度，小于所述感應(yīng)元件和加熱器占有的總寬度的1.5倍。

優(yōu)選地，所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的封裝尺寸為1.5×1.5毫米至2×2毫米。

優(yōu)選地，所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件還包括：用于密封所述傳感器芯片與載體的連接處的密封物。

優(yōu)選地，所述載體上還設(shè)置有控制電路。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件，通過(guò)實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電層、所述通孔、所述填充物、所述背面觸點(diǎn)，消除了導(dǎo)線焊接的相關(guān)配置，從而有效避免由導(dǎo)線故障引起的短路、不穩(wěn)定等問(wèn)題。

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本實(shí)用新型的某些實(shí)施例，因此不應(yīng)被看作是對(duì)范圍的限定，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提供的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2-圖11為制造所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件各步驟對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖12為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提供的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件制作方法的流程圖。

圖標(biāo)：100-基底；200-填充物；210-導(dǎo)電層；110-基底鈍化層；111-基底鈍化層；120-支撐膜；130-鈍化層；140-空槽；141-空槽；150-空腔；310-熱敏電阻；311-感應(yīng)元件；312-加熱器；313-感應(yīng)元件；400-載體；410-控制電路；420-絕緣層；430-焊盤；401-通孔；500-密封物。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本實(shí)用新型實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。因此，以下對(duì)在附圖中提供的本實(shí)用新型的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本實(shí)用新型的范圍，而是僅僅表示本實(shí)用新型的選定實(shí)施例。基于本實(shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

應(yīng)注意到：相同的標(biāo)號(hào)在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。同時(shí)，在本實(shí)用新型的描述中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。

第一實(shí)施例

如圖1所示，圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提供的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件包括：傳感器芯片及載體400。

本實(shí)施例中，所述基底100的材質(zhì)可以是硅。在一種實(shí)施方式中，所述基底100是導(dǎo)電的，即在硅基底中摻雜了其它材料，例如，磷或硼等，其中，優(yōu)選摻雜物質(zhì)為硼。在另一種實(shí)施方式中，所述基底100為非導(dǎo)電的，如不摻雜其它材料的硅基底。

本實(shí)施例中，所述基底100包括第一表面及相對(duì)于該第一表面設(shè)置的第二表面。如圖2所示，所述基底100的第一表面及第二表面分別設(shè)置有基底鈍化層110、111。

在一種實(shí)施方式中，當(dāng)基底100的材質(zhì)為硅時(shí)，可在第一表面及第二表面通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅來(lái)進(jìn)行鈍化處理，生成所述基底鈍化層110、111。進(jìn)一步地，所述基底鈍化層110、111的厚度可以在100納米至300納米之間。優(yōu)選地，所述基底鈍化層110、111的厚度設(shè)置為200納米。

本實(shí)施例中，所述基底100的一端開(kāi)設(shè)有貫穿所述基底100的通孔401(如圖3所示)，用于添加填充物200。本實(shí)用新型實(shí)施例中可以通過(guò)以下幾種工藝制作所述通孔401：可以直接由所述第一表面向第二表面打通所述基底100形成貫穿的通孔；還可以先由所述第一表面向第二表面打通所述基底100的一半，然后再通過(guò)化學(xué)機(jī)械平面化將所述通孔內(nèi)余下的基底部分去除。進(jìn)一步地，所述通孔401的寬度可以在50納米至2000納米之間，優(yōu)選地，所述通孔401的寬度為1000納米。

在一種實(shí)施方式中，所述基底100為非導(dǎo)電的，所述通孔401內(nèi)添加的填充物200為導(dǎo)電材料。所述導(dǎo)電材料可以是鎳及鐵鎳合金等金屬、高度摻雜的導(dǎo)電的多晶硅、聚芘及聚咔唑等導(dǎo)電的聚合物。在另一種實(shí)施方式中，所述基底100為高度導(dǎo)電的，所述通孔401應(yīng)開(kāi)為環(huán)狀的槽而其內(nèi)添加的填充物200為絕緣材料。所述絕緣材料可以是氧化硅或非導(dǎo)電的聚合物如聚酰亞胺。該絕緣環(huán)的寬度優(yōu)選在100納米至500納米之間，但最優(yōu)選是300納米。

進(jìn)一步地，在所述基底100的第一表面上設(shè)置有支撐膜120。所述支撐膜120用于隔熱。所述支撐膜120的材料應(yīng)在內(nèi)在應(yīng)力小的同時(shí)具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度。所述支撐膜120的材料可以是氮化硅，也可以是聚酰亞胺。優(yōu)選地，所述支撐膜120可以采用厚度在1000納米至10000納米之間的聚酰亞胺。進(jìn)一步地，所述支撐膜120的厚度優(yōu)選是3000納米。在一種實(shí)施方式中，所述支撐膜120的材料是氮化硅時(shí)，可采用低壓化學(xué)氣相沉積制作氮化硅支撐膜。在另一種實(shí)施方式中，所述支撐膜120的材料為聚酰亞胺時(shí)，可以通過(guò)旋涂法制成聚酰亞胺支撐膜。

所述支撐膜120被刻蝕成獨(dú)特的形狀以放置感應(yīng)元件及加熱器。在一種實(shí)施方式中，可通過(guò)干法刻蝕或其他可行技術(shù)如濕法刻蝕來(lái)處理所述支撐膜120。所述支撐膜120上設(shè)置有至少兩個(gè)感應(yīng)元件(圖7中示出的兩個(gè)感應(yīng)元件311、313)及加熱器312。

進(jìn)一步地，所述加熱器312設(shè)置在所述兩個(gè)感應(yīng)元件311、313之間。在一個(gè)實(shí)例中，使用所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件進(jìn)行氣體測(cè)量，氣體由所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的一端流向另一端時(shí)(如由感應(yīng)元件311一端流向感應(yīng)元件313一端)，所述感應(yīng)元件311檢測(cè)所述氣體加熱前的溫度，所述加熱器312對(duì)流經(jīng)的所述氣體進(jìn)行加熱，所述感應(yīng)元件313對(duì)加熱后的氣體進(jìn)行溫度檢測(cè)。通過(guò)感應(yīng)元件311、313檢測(cè)到的氣體溫度差異，就可以計(jì)算出流經(jīng)的氣體的質(zhì)量流量。

所述感應(yīng)元件311、313及加熱器312為熱敏電阻。所述熱敏電阻的材質(zhì)優(yōu)選為溫度系數(shù)高的材料(如鉑、金、鎳、坡莫合金和摻雜的導(dǎo)電多晶硅)，通過(guò)電子束蒸發(fā)或物理氣相沉積制成。進(jìn)一步地，每個(gè)所述熱敏電阻的厚度可以在100納米至300納米之間，優(yōu)選地，所述熱敏電阻的厚度是200納米。

進(jìn)一步地，請(qǐng)參閱圖7，所述基底鈍化層110上還設(shè)置有一個(gè)單獨(dú)的熱敏電阻310。所述熱敏電阻310用于測(cè)量環(huán)境溫度并將所述環(huán)境溫度反饋給加熱器312去調(diào)節(jié)加熱程度，以建立一個(gè)穩(wěn)定的溫度場(chǎng)。進(jìn)一步地，所述熱敏電阻310的材質(zhì)也優(yōu)選為溫度系數(shù)高的材料(如鉑、金、鎳、坡莫合金和摻雜的導(dǎo)電多晶硅)，通過(guò)電子束蒸發(fā)或物理氣相沉積制成。

本實(shí)施例中，在所述兩個(gè)感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310上還覆蓋有使所述兩個(gè)感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310分別連接至所述填充物200的導(dǎo)電層210。其中所述加熱器312及熱敏電阻310分別與所述填充物200形成單獨(dú)的導(dǎo)電回路(圖中未示出覆蓋在所述加熱器312和熱敏電阻310上的導(dǎo)電層210)。在一種實(shí)施方式中，所述基底100為非導(dǎo)電，所述通孔401內(nèi)添加的填充物200為導(dǎo)電材料時(shí)，所述導(dǎo)電層210將感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310分別連接至所述填充物200處形成導(dǎo)電通路。在一個(gè)實(shí)例中，在生成所述導(dǎo)電層210的工序之前，應(yīng)先使穿透基底100的導(dǎo)電材料的兩端金屬化以確保所述導(dǎo)電材料與所述導(dǎo)電層210良好的連接。在另一種實(shí)施方式中，所述基底100為高度導(dǎo)電，所述通孔401為環(huán)狀的槽，其內(nèi)添加的填充物200為絕緣材料時(shí)，所述導(dǎo)電層210覆蓋至被通孔環(huán)401環(huán)繞的所述基底100上，使所述感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310連接至被通孔環(huán)401環(huán)繞的所述基底100上形成導(dǎo)電通路。

所述導(dǎo)電層210使兩個(gè)感應(yīng)元件311、313連接至所述填充物200，使所述兩個(gè)感應(yīng)元件311、313形成并聯(lián)回路。所述導(dǎo)電層210使所述加熱器312連接至所述填充物200形成獨(dú)立于感應(yīng)元件的回路。進(jìn)一步地，可以在所述基底100上設(shè)置多個(gè)被所述填充物200填充的通孔(圖中僅示出一個(gè))。

所述導(dǎo)電層210可以由金或摻雜的導(dǎo)電多晶硅通過(guò)電子束蒸發(fā)或物理氣相沉積制成。所述導(dǎo)電層210的厚度可以在100納米至300納米之間，優(yōu)選的實(shí)例中所述導(dǎo)電層210的厚度是200納米。

所述傳感器芯片的上表面還設(shè)置有鈍化層130。優(yōu)選地，所述鈍化層130應(yīng)完全覆蓋所述傳感器芯片上表面。所述鈍化層130的材料可以是導(dǎo)熱的。優(yōu)選地，所述鈍化層130的材料是通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的氮化硅或碳化硅。本實(shí)施例中，所述鈍化層130的厚度在100納米至500納米之間，在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)例中所述鈍化層130的厚度為300納米。通過(guò)在所述傳感器芯片的上表面設(shè)置鈍化層130可防止微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器受到感應(yīng)元件311和313、加熱器312、熱敏電阻310及導(dǎo)電層210之間的表面短路的影響而損壞。

另外，所述基底100還設(shè)置有從所述第二表面向第一表面延伸的空腔150及將所述空腔150在豎直方向上與外界連通的空槽140及141。所述空槽140及141設(shè)置在所述感應(yīng)元件311及313所在一側(cè)，并貫通所述支撐膜120以及基底鈍化層110。在一個(gè)實(shí)例中，所述空槽140及141可以使用干法刻蝕制成。所述空槽140及141可以是穿透所述支撐膜120和基底鈍化層110的任意形狀的孔，優(yōu)選為矩形或圓形的孔。通過(guò)所述空槽140及141可以使流體介質(zhì)迅速地填充底下的空腔150，從而使支撐膜120上方和基底鈍化層110下方的壓力相等，以確保微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器測(cè)量時(shí)支撐膜120及基底鈍化層110不會(huì)變形，從而減小微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器的測(cè)量誤差。另外，將所述空槽140及141設(shè)置在所述加熱器312的周圍，測(cè)量時(shí)加熱器312產(chǎn)生的溫度場(chǎng)將會(huì)被隔離，便能獲得更好的測(cè)量分辨率和/或靈敏度。

進(jìn)一步地，所述空腔150處于感應(yīng)元件311、313和加熱器312的正下方。使用所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件測(cè)量氣體時(shí)，所述氣體通過(guò)所述空槽140及141填充所述空腔150，基底100內(nèi)部的氣體與外部環(huán)境中的氣體相同，實(shí)現(xiàn)基底100的內(nèi)部與外部的壓力相近。所述空腔150通過(guò)被流體介質(zhì)(單一或混合氣體)填充來(lái)提供熱隔離，并可以確保所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的靈敏度和分辨率。所述空腔150可通過(guò)對(duì)基底100進(jìn)行深反應(yīng)離子刻蝕或者使用氫氧化鉀、四甲基氫氧化銨等化學(xué)劑進(jìn)行濕法化學(xué)刻蝕來(lái)做出。

優(yōu)選地，所述空腔150的寬度大于所述感應(yīng)元件311、313和加熱器312占有的總寬度，且不大于所述感應(yīng)元件311、313和加熱器312占有的總寬度的1.5倍。

在其他實(shí)施方式中，本領(lǐng)域的技術(shù)人員也可以設(shè)置更多的熱敏電阻。本實(shí)施例中，所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件測(cè)量時(shí)只需要用到最小數(shù)目的4個(gè)熱敏電阻311、313、312及310，那么微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的封裝尺寸可以是1.5×1.5毫米；其中如果所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件需要用到7個(gè)熱敏電阻的話，那么所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件封裝尺寸可以擴(kuò)展到2×2毫米。

本實(shí)施例中，所述載體400的材質(zhì)可以是氮化硅等陶瓷或傳統(tǒng)的印刷電路板材料，如層壓板、B階樹(shù)脂浸漬布或其他銅基材料。所述載體400的厚度應(yīng)根據(jù)不同應(yīng)用而不同，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)需求設(shè)定。

進(jìn)一步地，所述載體400可以包括設(shè)置在所述載體400上的控制電路410。所述控制電路410可以是表面鍍金的銅基材料。該控制電路410根據(jù)不同應(yīng)用的需要，可以通過(guò)簡(jiǎn)單的連接線與載體連接，或直接以帶有預(yù)設(shè)計(jì)的控制電子元件的載體作為控制電路410。所述載體400的表面設(shè)置有絕緣層420。所述絕緣層420可用于預(yù)防任何可能出現(xiàn)的接觸短路。

如圖11所示，圖11為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提供的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的傳感器芯片與載體400連接之前的狀態(tài)示意圖。所述載體400的上表面設(shè)置有焊盤430。在一種實(shí)施方式中，所述填充物200為導(dǎo)電材料時(shí)，所述導(dǎo)電材料下的遠(yuǎn)離所述第一表面的一側(cè)設(shè)置有背面觸點(diǎn)。進(jìn)一步地，所述背面觸點(diǎn)應(yīng)當(dāng)用金或鋁處理使其金屬化，優(yōu)選用金。所述載體400通過(guò)所述焊盤430與所述背面觸點(diǎn)的直接焊接來(lái)與所述傳感器芯片連接。

進(jìn)一步地，請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D1，所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件還包括設(shè)置在所述傳感器芯片與載體400的連接處的密封物500。所述密封物500可以是環(huán)氧基樹(shù)脂或類似的材料。該密封物500應(yīng)能預(yù)防因漏電(如有水蒸氣存在時(shí))而引起的接觸短路或故障對(duì)傳感器組件造成的損壞。通過(guò)在所述傳感器芯片與載體400的連接處設(shè)置密封物500，使所述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件在有水蒸氣或?qū)щ娏黧w介質(zhì)存在等不同環(huán)境下也能實(shí)現(xiàn)測(cè)量。

根據(jù)上述實(shí)施例中的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件，通過(guò)設(shè)置所述導(dǎo)電層、所述通孔、所述填充物及所述背面觸點(diǎn)，來(lái)消除導(dǎo)線焊接的相關(guān)配置，從而有效避免由導(dǎo)線故障引起的短路、不穩(wěn)定等問(wèn)題。

第二實(shí)施例

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件制作方法。本實(shí)施例中的方法用于制作上述實(shí)施例提供的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件。如圖12所示，所述方法包括以下步驟：

S101，提供一基底100，在所述基底100上形成貫穿該基底的通孔401。

具體，在所述基底100相對(duì)的第一表面和第二表面分別設(shè)置基底鈍化層110、111，如圖2所示。在所述基底100上開(kāi)設(shè)由所述第一表面向所述第二表面貫穿的通孔401，如圖3所示。

S102，在所述通孔401內(nèi)填充填充物，如圖4所示。

本實(shí)施例中，所述填充物可以是導(dǎo)電材料，也可以是非導(dǎo)電材料。

S103，在所述基底100的第一表面制成支撐膜120，如圖5所示。

S104，從所述支撐膜120遠(yuǎn)離基底100的一側(cè)刻蝕出深至所述基底鈍化層110近基底100一側(cè)的空槽140、141，并刻蝕掉所述支撐膜120多余的部分，如圖6所示。

S105，將兩個(gè)感應(yīng)元件311、313及加熱器312分別制作在所述支撐膜120上，將一個(gè)單獨(dú)的熱敏電阻310制作在所述基底鈍化層110的表面上，如圖7所示。

在其他實(shí)施例中，也可以設(shè)置多個(gè)感應(yīng)元件。本實(shí)施例以兩個(gè)為例進(jìn)行描述。

S106，形成覆蓋于所述感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310并延伸至所述通孔401的位置與所述填充物接觸的導(dǎo)電層210，如圖8所示。

當(dāng)所述填充物為導(dǎo)電材料時(shí)，通過(guò)所述導(dǎo)電層210使所述兩個(gè)感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310分別與所述導(dǎo)電材料連接，形成多個(gè)導(dǎo)電通路。

S107，在所述導(dǎo)電層210、兩個(gè)感應(yīng)元件311和313、加熱器312及熱敏電阻310所在一側(cè)覆蓋一鈍化層130，如圖9所示。

S108，在所述基底100制作由所述第二表面向第一表面延伸的空腔150，所述空腔150與所述空槽140及141連通并位于感應(yīng)元件311、313和加熱器312下方，如圖10所示。

詳細(xì)地，由于所述空腔150跨度較大，所述基底鈍化層110、支撐膜120、感應(yīng)元件311和313、加熱器312及鈍化層130的材料必須在機(jī)械強(qiáng)度高的同時(shí)內(nèi)在應(yīng)力最小，以防止所述基底鈍化層110、支撐膜120、感應(yīng)元件311和313、加熱器312及鈍化層130在所述空腔150形成后塌陷。

S109，將一載體通過(guò)焊盤430與設(shè)置在所述通孔401的填充物一側(cè)的傳感器芯片的背面觸點(diǎn)直接焊接在一起，如圖11所示。

關(guān)于本實(shí)施例中的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件的制作形成方式的描述可進(jìn)一步地參考第一實(shí)施例結(jié)合圖1的描述，在此不再贅述。

根據(jù)上述微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件制作方法制作的微機(jī)電質(zhì)量流量傳感器組件，通過(guò)設(shè)置所述導(dǎo)電層、所述通孔、所述填充物及所述背面觸點(diǎn)，來(lái)消除導(dǎo)線焊接的相關(guān)配置，從而有效避免由導(dǎo)線故障引起的短路、不穩(wěn)定等問(wèn)題。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本實(shí)用新型可以有各種更改和變化。凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。應(yīng)注意到：相同的標(biāo)號(hào)在下面的附圖中表示類似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。

以上所述，僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。