本申請涉及新能源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備。

背景技術(shù)：

隨著太陽能組件(也稱光伏組件)的廣泛應(yīng)用，太陽能組件的電位誘發(fā)衰減(Potential Induced Degradation，PID)現(xiàn)象引起了業(yè)界人士的關(guān)注。通常在太陽能組件中的電路和接地金屬邊框之間的高電壓下，將太陽能組件表現(xiàn)出的輸出功率等光伏性能下降的現(xiàn)象，稱之為電位誘發(fā)衰減。

太陽能組件的組成結(jié)構(gòu)通常包括硅酸鹽玻璃、太陽能電池以及介于它們之間的封裝材料等，其中封裝材料可以是EVA、POE或PVB等高分子聚合物。在實(shí)際應(yīng)用中，硅酸鹽玻璃表面通常會析出Na⁺、Mg²⁺等金屬離子，并且由于高分子聚合物的分子鏈較大，分子鏈之間結(jié)合不緊密，在高電勢的驅(qū)動下，硅酸鹽玻璃表面所析出的部分金屬離子可能會穿過封裝材料進(jìn)入太陽能電池，使得在硅酸鹽玻璃與太陽能電池之間出現(xiàn)電流通道，形成漏電流。該漏電流最終可能會導(dǎo)致太陽能組件出現(xiàn)電位誘發(fā)衰減，因此封裝材料的性能對太陽能組件的抗電位誘發(fā)衰減具有重要影響。

目前，在評估太陽能組件中的封裝材料的性能時，通常先將待評估的封裝材料結(jié)合硅酸鹽玻璃和太陽能電池等制備成太陽能組件，然后將該太陽能組件置入85℃、濕度為85RH％的環(huán)境下進(jìn)行評估，根據(jù)評估結(jié)果評估封裝材料的抗PID性能。然而，這種方法需要先制備成完整的太陽能組件，然后才能進(jìn)行評估，導(dǎo)致評估周期較長并且成本也較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請實(shí)施例提供太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備，能夠用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

本申請實(shí)施例提供了一種太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備，包括：絕緣水槽、封裝材料固定部件、高電勢電極以及低電勢電極，其中：

所述封裝材料固定部件，用于固定待評估的封裝材料，并通過所固定的封裝材料將所述絕緣水槽分割為相互隔離的兩個子隔離槽；

所述高電勢電極和所述低電勢電極分別設(shè)置于兩個子隔離槽的槽壁。

優(yōu)選的，所述高電勢電極和所述低電勢電極分別設(shè)置于兩個子隔離槽兩端相對稱的槽壁。

優(yōu)選的，所述設(shè)備還包括直流電源；則，

所述高電勢電極具體為：連接所述直流電源正極的金屬電極盤；以及，

所述低電勢電極具體為：連接所述直流電源負(fù)極的金屬電極盤。

優(yōu)選的，所述直流電源具體為：電壓大小可調(diào)的直流電源。

優(yōu)選的，所述設(shè)備還包括：

與所述直流電源連接的電路開關(guān)，用于控制電路的開啟或關(guān)閉；和/或，

電流檢測部件，用于檢測電路中的電流大小。

優(yōu)選的，所述封裝材料固定部件，通過所固定的封裝材料將所述絕緣水槽分割為相互隔離并且容積相等的兩個子隔離槽。

優(yōu)選的，所述設(shè)備還包括：

溫度調(diào)節(jié)部件，用于將所述絕緣水槽的溫度調(diào)節(jié)至目標(biāo)測試溫度；和/或，

pH值測試部件；和/或，

金屬離子濃度測試部件；和/或，

溶液攪拌部件。

本申請實(shí)施例還提供了一種太陽能組件封裝材料的性能評估方法，所述方法采用本申請實(shí)施例所提供的設(shè)備，對太陽能組件的封裝材料的性能進(jìn)行評估，該方法包括：

將待評估的封裝材料通過封裝材料固定部件進(jìn)行固定，用于將絕緣水槽分割為相互隔離的兩個子隔離槽；

將含有高金屬離子濃度的溶液加入高電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽；

將含有低金屬離子濃度的溶液加入低電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽；

根據(jù)測試時間段內(nèi)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能，或根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能。

優(yōu)選的，所述方法還包括：

根據(jù)所述高電勢電極與所述低電勢電極的電勢差確定測試電壓；則，

根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能，具體為：

根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值、所述測試電壓以及所述測試時間段評估封裝材料的抗PID性能。

本申請實(shí)施例還提供一種太陽能組件封裝材料的性能評估裝置，包括：固定單元、添加單元以及評估單元，其中：

固定單元，用于將待評估的封裝材料通過封裝材料固定部件進(jìn)行固定，將絕緣水槽分割為相互隔離的兩個子隔離槽；

添加單元，用于將含有高金屬離子濃度的溶液加入高電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽，以及將含有低金屬離子濃度的溶液加入低電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽；

評估單元，用于根據(jù)測試時間段內(nèi)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能，或根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能。

本申請實(shí)施例采用的上述至少一個技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：

該設(shè)備包括：絕緣水槽、封裝材料固定部件、高電勢電極以及低電勢電極，其中：所述封裝材料固定部件，用于固定待評估的封裝材料，并通過所固定的封裝材料將所述絕緣水槽分割為相互隔離的兩個子隔離槽；所述高電勢電極和所述低電勢電極分別設(shè)置于兩個子隔離槽的槽壁。由于該設(shè)備在評估封裝材料的性能時，并不需要將封裝材料制作成完整的太陽能組件，因此可以降小評估周期并且降低評估成本，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為太陽能組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備結(jié)的構(gòu)示意圖；

圖3為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備結(jié)合封裝材料的示意圖；

圖4為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備中，封裝材料固定部件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請實(shí)施例提供的，又一種太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備橫截面示意圖；

圖6為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估方法的流程示意圖；

圖7為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備在進(jìn)行評估時的橫截面圖；

圖8為本申請實(shí)施例提供的，又一種太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為本申請實(shí)施例提供的，太陽能組件封裝材料的性能評估裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本申請具體實(shí)施例及相應(yīng)的附圖對本申請技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾堉械膶?shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。

以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本申請各實(shí)施例提供的技術(shù)方案。

實(shí)施例

如上所述，太陽能組件通?？梢园ü杷猁}玻璃、太陽能電池以及封裝材料等，如圖1所示為常見的太陽能組件的橫截面圖。在圖1中可以看出，硅酸鹽玻璃中可以析出Na⁺、Mg²⁺等金屬離子，這些金屬離子在電勢的驅(qū)動下能夠穿過封裝材料，從而形成漏電流。長期的漏電流可能會導(dǎo)致太陽能組件的電位誘發(fā)衰減，因此封裝材料的抗PID性能十分重要，這種抗PID性能在這里表現(xiàn)為抵抗Na⁺、Mg²⁺等金屬離子穿透的特性。

目前評估封裝材料的抗PID性能時，需要將該封裝材料先制備成完整的太陽能組件，然后在目標(biāo)評估環(huán)境下，通過評估該太陽能組件的PID來評估封裝材料的抗PID性能。從而使得評估封裝材料的抗PID性能的時間周期較長，并且評估成本較高。

基于此，本申請實(shí)施例提供了一種太陽能組件封裝材料的性能評估設(shè)備，能夠用于解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。該設(shè)備10包括：絕緣水槽11、封裝材料固定部件12、高電勢電極13以及低電勢電極14，其中：

所述封裝材料固定部件12，用于固定待評估的封裝材料，并通過所固定的封裝材料將所述絕緣水槽11分割為相互隔離的兩個子隔離槽；

高電勢電極13和低電勢電極14分別設(shè)置于兩個子隔離槽的槽壁。

該絕緣水槽11可以采用有機(jī)絕緣材料制作，也可以采用陶瓷等絕緣材料制作，也可以采用其他的絕緣材料制作。從外形來說，該絕緣水槽11可以是圓柱狀的絕緣水槽，也可以是諸如長方體或正方體狀的絕緣水槽，也可以是其它形狀的絕緣水槽。

封裝材料固定部件12可以位于絕緣水槽11的槽壁或槽底，通過將待評估的封裝材料進(jìn)行固定，來將絕緣水槽11分割成兩個相互隔離的子隔離槽，使得兩個子隔離槽之間溶液不能相互流通；也就是說，通過封裝材料固定部件12將待評估的封裝材料進(jìn)行固定之后，能夠通過該封裝材料將絕緣水槽分割出兩個子隔離槽，它們之間的溶液相互隔離。

這里所說的封裝材料可以是EVA(ethylene-vinyl acetate copolymer，乙烯-醋酸乙烯共聚物)，也可以是POE(Polyolefin elastomer，聚烯烴彈性體)，也可以是PVB(polyvinyl butyral，聚乙烯醇縮丁醛)，也可以是其它能夠作為太陽能組件封裝材料的高分子聚合物。

與低電勢電極14相比，高電勢電極13的電極電勢較大。從電極材料上來看，通常高電勢電極13和低電勢電極14可以為相同材料的電極，比如為相同的金屬電極，或者均為石墨電極，其中，這里所說的金屬電極可以是銅電極、銀電極、鉑電極或鎳電極等；當(dāng)然，高電勢電極13和低電勢電極14也可以為不同材料的電極，比如，高電勢電極13為銅電極而低電勢電極14為鉑電極；從電極活性面積的大小來看，高電勢電極13和低電勢電極14可以均為電極盤，也可以均為普通電極，或者一個為電極盤另一個為普通電極。在實(shí)際用中，為了提高評估效率和評估的準(zhǔn)確性，通?？梢詫⒏唠妱蓦姌O13和低電勢電極14均設(shè)置為金屬電極盤，例如，均設(shè)置為銅金屬電極盤或者鉑金屬電極盤，其中，鉑金屬電極盤的電極性能通常更佳，但成本更高，可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇。

為了便于理解，下面可以結(jié)合圖2和圖3，對本申請實(shí)施例所提供的設(shè)備10進(jìn)一步說明。

如圖2所示，絕緣水槽11為長方體狀的絕緣水槽，在該絕緣水槽11縱向相對的兩個槽壁上，設(shè)置有封裝材料固定部件12，如圖3所示，當(dāng)通過封裝材料固定部件12對待評估的封裝材料進(jìn)行固定之后，將絕緣水槽11分割成了左右兩個子隔離槽，這兩個子隔離槽之間溶液不能相互流通。

需要說明的是，可以通過調(diào)整封裝材料固定部件12所在的位置，最終控制分割得到的兩個子隔離槽之間的容積之比，比如可以將封裝材料固定部件12設(shè)置在邊長三分之一的位置，從而使得兩個子隔離槽之間的容積比為1比2；通常也可以將封裝材料固定部件12設(shè)置于邊長二分之一的位置(即邊長的中間)，使得兩個隔離槽之間的容積比為1比1(容積相等)，這樣在后續(xù)數(shù)據(jù)處理過程中更加方便；當(dāng)然，也可以根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)置固定部件12的具體位置，從而調(diào)整兩個子隔離槽之間的容積比。

此外，絕緣水槽11的溶劑也可以根據(jù)實(shí)際需要來設(shè)定，通?？梢詫⒃摻^緣水槽11的容積設(shè)定為2升，并將封裝材料固定部件12設(shè)置在變長的二分之一除，使得分割出的兩個子隔離槽容積均為1升；當(dāng)然，絕緣水槽11的容積也可以為其它值，這里就不再贅述。

為了便于對待評估的封裝材料進(jìn)行固定，可以將封裝材料固定部件12設(shè)置為如圖4的結(jié)構(gòu)，相對應(yīng)的，將待評估的封裝材料設(shè)置為與封裝材料固定部件12相耦合的結(jié)構(gòu)，其中，圖4為絕緣水槽11以及封裝材料的俯視圖。通過圖4的這種耦合結(jié)構(gòu)能夠方便地對封裝材料進(jìn)行固定，并且也便于對封裝材料進(jìn)行更換。

在實(shí)際應(yīng)用中，可以將高電勢電極13和低電勢電極14分別設(shè)置在兩個子隔離槽的任意一個槽壁上，也可以將它們設(shè)置于指定的槽壁上。比如，在圖2中，將高電勢電極13和低電勢電極14，設(shè)置在該絕緣水槽11橫向相對的兩個槽壁上，此時高電勢電極13和低電勢電極14分別位于兩個子隔離槽兩端相對稱的槽壁上。通過將高電勢電極13和低電勢電極14分別設(shè)置在兩個子隔離槽兩端相對稱的槽壁上，可以在它們之間形成均勻的電場分布，從而使得在評估時，金屬離子能夠沿著均勻分布的電場移動，提高評估效率。

如圖5所示，設(shè)備10還可以包括直流電源15，高電勢電極13與直流電源15的正極相連接，低電勢電極14與直流電源15的負(fù)極相連接。其中，圖5中的絕緣水槽11為橫截面圖。

此時，高電勢電極13可以具體為連接該直流電源15的正極的金屬電極盤，低電勢電極14可以具體為連接該直流電源15負(fù)極的金屬電極盤。

為了適應(yīng)實(shí)際的應(yīng)用，通常可以將該直流電源15設(shè)置為電壓大小可調(diào)的直流電源，該直流電源15的電壓調(diào)節(jié)范圍(也稱工作范圍)可以根據(jù)需要來設(shè)定。比如，通常可以將直流電源15的電壓調(diào)節(jié)范圍設(shè)定為0.1V～2000V，以適應(yīng)實(shí)際需求。

如圖5所示，該設(shè)備10還可以包括電路開關(guān)16和電流檢測部件17，其中，電路開關(guān)16與直流電源連接，能夠通過該電路開關(guān)16控制電路的開啟或關(guān)閉，電流檢測部件17，能夠用于檢測電路中的電流大小。通常該電流檢測部件17可以是電流表、萬用表等，通過該電流檢測部件檢測電路中電流的大小，防止電路中的電流過大或過小時，影響評估過程。該電流檢測部件17的電流檢測范圍可以為10nA～1A。

在實(shí)際應(yīng)用中，可能還需要對絕緣水槽11中的溶液進(jìn)行加熱或者降溫，從而將絕緣水槽中的溶液調(diào)節(jié)到目標(biāo)測試溫度，為了便于對溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)，該設(shè)備10中還可以包括溫度調(diào)節(jié)部件18，用于將絕緣水槽的溫度(包括絕緣水槽中溶液的溫度)調(diào)節(jié)至目標(biāo)測試溫度。比如，該溫度調(diào)節(jié)部件18可以具體為加熱裝置，在使用過程中，可以通過該加熱裝置將絕緣水槽的溫度加熱到目標(biāo)測試溫度。該目標(biāo)測試溫度可以根據(jù)具體評估過程來確定，比如該目標(biāo)溫度可以設(shè)定為85攝氏度(或者為其他)。

通常該溫度調(diào)節(jié)部件18可以位于絕緣水槽11的外壁，并與絕緣水槽11的外壁形成空腔，可以在該空腔內(nèi)加入水或?qū)嵊偷龋摐囟日{(diào)節(jié)部件18對空腔內(nèi)的水或?qū)嵊偷冗M(jìn)行加熱(或降溫)，通過熱傳導(dǎo)來控制絕緣水槽11的溫度。

由于在評估過程中，絕緣水槽11中的溶液通常會由于電解而導(dǎo)致pH值的變化，進(jìn)而影響評估的準(zhǔn)確性。因此，通常需要對絕緣水槽11中的溶液的pH值進(jìn)行監(jiān)控，可以在設(shè)備10中增加pH值測試部件19，該pH值測試部件19可以設(shè)置于絕緣水槽11的內(nèi)壁，用于評估絕緣水槽11中溶液的pH值。此外，通過待評估的封裝材料將絕緣水槽分割為兩個子隔離槽之后，為了便于分別對各個子隔離槽的pH值進(jìn)行監(jiān)控，還可以分別在兩個子隔離槽的槽壁上增加對應(yīng)的pH值測試部件19。

在實(shí)際應(yīng)用中，設(shè)備10中還可以包括金屬離子濃度測試部件110，其中，金屬離子濃度測試部件110可以用于評估絕緣水槽11中溶液中的金屬離子的濃度，這里所說的金屬離子可以是Na⁺、Mg²⁺、K⁺、Ca²⁺等中的任意一種或幾種。通常該金屬離子濃度測試部件110可以是電導(dǎo)儀，可以通過電導(dǎo)儀評估溶液的電導(dǎo)率，從而根據(jù)電導(dǎo)率計(jì)算溶液中金屬離子的濃度；此外，也可以分別在兩個子隔離槽的槽底或槽壁上增加對應(yīng)的金屬離子濃度測試部件110；當(dāng)然，該金屬離子濃度測試部件110還可以是其它能夠用于評估金屬離子濃度的裝置，這里就不再一一贅述。

由于在實(shí)際評估過程中，在電場作用下金屬離子定向移動時，可能會出現(xiàn)離子濃度不均衡的現(xiàn)象，因此可以在設(shè)備10中增加溶液攪拌部件111，通過該溶液攪拌部件111對絕緣水槽11中的溶液進(jìn)行攪拌，使得溶液濃度更加均衡；為了分別對子隔離槽中的溶液進(jìn)行攪拌，可以在兩個子隔離槽分別增加對應(yīng)的溶液攪拌部件111。

基于上述的設(shè)備10，本申請實(shí)施例提供了一種太陽能組件封裝材料的性能評估方法，該方法能夠?qū)μ柲芙M件的封裝材料的性能進(jìn)行評估。如圖6所示，該方法的步驟包括：

步驟S21：將待評估的封裝材料通過封裝材料固定部件12進(jìn)行固定。

如圖7所示，封裝材料固定部件12在將待評估的封裝材料進(jìn)行固定之后，可以將絕緣水槽11分割為左右兩個相互隔離的子隔離槽。

在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)待評估的封裝材料的厚度過厚時，金屬離子不易于穿透封裝材料，從而影響評估效率；當(dāng)待評估的封裝材料的厚度過薄時，由于滲透壓等因素會對評估的準(zhǔn)確性造成影響，因此封裝材料的厚度可以設(shè)計(jì)在一個指定的厚度范圍內(nèi)(比如，1毫米～5毫米，當(dāng)然也可以為其他值)，從而在確保評估準(zhǔn)確性的情況下提高評估效率。通常也可以將待評估的封裝材料設(shè)計(jì)為某個標(biāo)準(zhǔn)厚度(比如，3毫米或其它值)，從而在相同的標(biāo)準(zhǔn)厚度下，對其抗PID的性能進(jìn)行評估，這樣能夠減少材料厚度對準(zhǔn)確性的影響。

步驟S22：將含有高金屬離子濃度的溶液加入高電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽。

步驟S23：將含有低金屬離子濃度的溶液加入低電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽。

這里可以對步驟S22和步驟S23進(jìn)行整體說明。

含有高金屬離子濃度的溶液(簡稱，高濃度溶液)中的金屬離子的濃度，相對于含有低金屬離子濃度的溶液(簡稱，低濃度溶液)較高，比如高濃度溶液中金屬離子的濃度為1摩爾每升，低濃度溶液中金屬離子的濃度為0.5摩爾每升。

另外，為了便于實(shí)際應(yīng)用，并且初始濃度的不同對評估準(zhǔn)確性的影響，通?？梢詫⒏邼舛热芤汉偷蜐舛热芤壕捎脴?biāo)準(zhǔn)溶液，同一種標(biāo)準(zhǔn)溶液中離子濃度相同。

比如，可以采用標(biāo)準(zhǔn)溶液一作為高濃度溶液，該標(biāo)準(zhǔn)溶液一中含有Na⁺和Mg²⁺，其中Na⁺的濃度為0.1摩爾每升Mg²⁺的濃度為0.03摩爾每升，該標(biāo)準(zhǔn)溶液一的pH值為7。當(dāng)然該標(biāo)準(zhǔn)溶液一中的金屬離子也可以為其他，并且金屬離子的濃度也可以為第一目標(biāo)濃度，在對不同的封裝材料的性能進(jìn)行評估時，只需要采用同一種標(biāo)準(zhǔn)溶液作為初始的高濃度溶液進(jìn)行評估，可以降低由于初始濃度的不同對評估結(jié)果準(zhǔn)確性的影響。

相應(yīng)的，也可以采用標(biāo)準(zhǔn)溶液二作為低濃度溶液，比如，該標(biāo)準(zhǔn)溶液二中也含有Na⁺和Mg²⁺，其中Na⁺的濃度為0.04摩爾每升Mg²⁺的濃度為0.01摩爾每升，pH值為7。當(dāng)然，該標(biāo)準(zhǔn)溶液二中的金屬離子也可以為其它，金屬離子的濃度也可以為第二目標(biāo)濃度，只需要該標(biāo)準(zhǔn)溶液一中的金屬離子多于或等于標(biāo)準(zhǔn)溶液二，并且第二目標(biāo)濃度小于第一目標(biāo)濃度即可。

通過將高濃度溶液和低濃度溶液均采用標(biāo)準(zhǔn)溶液，在評估不同封裝材料之間抗PID性能時，可以降低由于初始濃度的不同導(dǎo)致的誤差，從而進(jìn)一步增加評估的準(zhǔn)確性。

此外，在實(shí)際應(yīng)用中，也可以將去離子水、蒸餾水或純凈水作為低濃度溶液，這樣由于不需要配置低濃度溶液，也可以進(jìn)一步降低評估的成本。

步驟S24：根據(jù)測試時間段內(nèi)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能，或根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能。

需要說明的是，在實(shí)際評估過程中，可以需要預(yù)先設(shè)定測試時長，比如設(shè)定測試時長為9小時，可以在步驟S22和步驟S23完成之后，將該時間點(diǎn)記錄為開始時間點(diǎn)，并根據(jù)測試時長確定結(jié)束時間點(diǎn)，將開始時間點(diǎn)和結(jié)束時間點(diǎn)之間的時間段稱之為測試時間段，該測試時間段的時長就為測試時長。

該測試時間段可以根據(jù)開始時間點(diǎn)和測試時長來確定。比如，開始時間點(diǎn)為9點(diǎn)，測試時長為5小時，則該測試時間段為9點(diǎn)～14點(diǎn)。當(dāng)然也可以根據(jù)該測試時間段來確定測試時長，比如，測試時間段為6點(diǎn)～8點(diǎn)，則測試時長為2小時，其中6點(diǎn)為開始時間點(diǎn)，8點(diǎn)為結(jié)束時間點(diǎn)。

通常測試時長的大小可以設(shè)定為某個固定值，比如為96小時，也可以根據(jù)待評估的封裝材料的厚度、溶液濃度等指標(biāo)來進(jìn)行確定。

在實(shí)際評估過程中，在電場的作用下，高濃度溶液中的金屬離子能夠透過待評估的封裝材料到達(dá)低濃度溶液，因此會引起金屬離子濃度的變化；具體變化為，高濃度溶液中金屬離子的濃度降低，低濃度溶液中金屬離子的濃度升高，可以根據(jù)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值(也即降低的值)來評估封裝材料的抗PID性能，也可以根據(jù)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值(也即升高的值)來評估封裝材料的抗PID性能。

通常測試時間段內(nèi)，低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值越大(相應(yīng)的高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值也越大)，說明金屬離子越容易透過封裝材料，進(jìn)一步的說明該封裝材料抗PID性能越差；相反，低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值越小，也說明該封裝材料的抗PID性能越佳。

另外，低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值(或者高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值)，通常也和測試時長的大小、高電勢電極13的電勢、低電勢電極14的電勢等因素有關(guān)，因此可以對低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值進(jìn)行歸一化處理，通過歸一化處理的結(jié)果評估封裝材料的抗PID性能。

該歸一化的方式可以為，將低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值(也可以為高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值)，除以測試時長以及測試電壓，其中測試電壓為高電勢電極13與低電勢電極14的電勢差。

也就是說，封裝材料的抗PID性能∝Δc/(t×V)

其中，符號“∝”為正比于；Δc為低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值，也可以為高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值；V為測試電壓；t為測試時長。

可以根據(jù)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值、測試電壓以及測試時長評估所述封裝材料的抗PID性能；也可以根據(jù)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值、測試電壓以及測試時長評估所述封裝材料的抗PID性能。

在實(shí)際應(yīng)用中，可以有多種方式來確定低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值，通?？梢酝ㄟ^電導(dǎo)率儀測試初始的低濃度溶液的電導(dǎo)率，并根據(jù)該電導(dǎo)率計(jì)算金屬離子的濃度值，當(dāng)?shù)竭_(dá)結(jié)束時間點(diǎn)后，再次通過電導(dǎo)率儀測量其該溶液的電導(dǎo)率，并根據(jù)電導(dǎo)率計(jì)算金屬離子的濃度值，根據(jù)這兩個濃度值的差確定濃度的變化值；相應(yīng)的也可以采用相同的方式，確定高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值。

采用本申請實(shí)施例中所提供的該方法，通過封裝材料固定部件12將待評估的封裝材料進(jìn)行固定之后，分別向分割出的兩個子隔離槽中加入不同濃度的溶液，在高電勢電極13和低電勢電極14的電場驅(qū)動下，金屬離子穿透封裝材料進(jìn)行流動，并根據(jù)測試時間段內(nèi)，低濃度溶液或者高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值，評估封裝材料的抗PID性能。由于該方法并不需要將封裝材料制作成完整的太陽能組件，因此可以降小評估周期并且降低評估成本，解決了現(xiàn)有技術(shù)中的問題。

該方法的描述過程根據(jù)步驟S21～步驟S24的順序進(jìn)行展開，但是，在實(shí)際應(yīng)用中該方法也可以依照其它的順序來執(zhí)行。比如，也可以依照S21-步驟S23-步驟S22-步驟S24的順序執(zhí)行。因此，通過調(diào)整執(zhí)行的順序來實(shí)施本方法，也在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。

上述是對本申請實(shí)施例所提供的設(shè)備以及方法的具體說明，為了便于理解，下面可以結(jié)合具體的示例進(jìn)一步說明。

在該示例中，設(shè)備30包括：絕緣水槽31、封裝材料固定部件32、第一金屬電極盤33、第二金屬電極盤34、直流電源35、電路開關(guān)36以及電流表37，其中：第一金屬電極盤33連接直流電源35的正極，作為高電勢電極，第二金屬電極盤34連接直流電源35的負(fù)極，作為低電勢電極，如圖8所示為該設(shè)備30的示例圖。

步驟S41：通過封裝材料固定部件32將指定厚度(比如3毫米)的封裝材料進(jìn)行固定，從而將絕緣水槽31分割為容積相等的兩個子隔離槽。

步驟S42：將標(biāo)準(zhǔn)溶液一加入到第一金屬電極盤33對應(yīng)的子隔離槽；

步驟S43：將去離子水加入到第二金屬電極盤34對應(yīng)的子隔離槽；

標(biāo)準(zhǔn)溶液一中金屬離子的濃度大于去離子水中的濃度，通?？梢詫⑷ルx子水中金屬離子濃度確定為0。在執(zhí)行完步驟S42和步驟S43之后，可以將該時間點(diǎn)記錄為開始時間點(diǎn)。

步驟S44：根據(jù)測試時間段內(nèi)去離子水中金屬離子濃度的變化值、測試時長以及測試電壓來評估封裝材料的抗PID性能。

測試時長可以根據(jù)測試時間段內(nèi)去來確定；

測試電壓可以根據(jù)直流電源25正負(fù)極的電勢來確定。

另外，在測試過程中，還可以通過pH測試儀等設(shè)備周期性地(比如每個5分鐘或其他時間)測試兩個子隔離槽中溶液的pH值，從而監(jiān)控pH值的變化情況，防止由于溶液電解導(dǎo)致pH值變化，影響評估的準(zhǔn)確性。

為了防止由于溶液溫度的變化而對評估結(jié)果造成影響，在測試過程中還可以通過外部控溫設(shè)備，或者設(shè)備10自身的溫度調(diào)節(jié)部件18對溶液的溫度進(jìn)行控制。

基于與本申請實(shí)施例所提供的方法相同的發(fā)明構(gòu)思，本申請實(shí)施例還可以一種太陽能組件封裝材料的性能評估裝置。如圖9所示，該裝置50包括：固定單元51、添加單元52以及評估單元53，其中：

固定單元51，用于將待評估的封裝材料通過封裝材料固定部件進(jìn)行固定，將絕緣水槽分割為相互隔離的兩個子隔離槽；

添加單元52，用于將含有高金屬離子濃度的溶液加入高電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽，以及將含有低金屬離子濃度的溶液加入低電勢電極所對應(yīng)的子隔離槽；

評估單元53，用于根據(jù)測試時間段內(nèi)高濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能，或根據(jù)測試時間段內(nèi)低濃度溶液中金屬離子濃度的變化值評估所述封裝材料的抗PID性能。

由于該裝置50與本申請實(shí)施例所提供的方法，采用相同的發(fā)明構(gòu)思，因此也能夠用于現(xiàn)有技術(shù)中的問題，這里就不再一一贅述。

需要說明的是，本申請實(shí)施例中的術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括要素的過程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上僅為本申請的實(shí)施例而已，并不用于限制本申請。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。