1.一種電子水準(zhǔn)泡的校正方法，所述電子水準(zhǔn)泡具有殼體，所述殼體的側(cè)墻內(nèi)具有液體和氣泡，所述殼體的側(cè)墻具有至少兩個(gè)目標(biāo)位置，所述至少兩個(gè)目標(biāo)位置包括第一目標(biāo)位置和第二目標(biāo)位置，其特征在于，包括：
2.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，根據(jù)所述第一光電信號(hào)、第二光電信號(hào)和第三光電信號(hào)對(duì)所述電子水準(zhǔn)泡的氣泡位置計(jì)算模型進(jìn)行校正的步驟包括：
3.如權(quán)利要求2所述的校正方法，其特征在于，所述電子水準(zhǔn)泡具有m個(gè)發(fā)光裝置和n個(gè)接收裝置，其中，m、n都是大于等于2的正整數(shù)，所述第一參數(shù)包括第一x參數(shù)和第一y參數(shù)，采用下式表示所述第一經(jīng)驗(yàn)公式：
4.如權(quán)利要求3所述的校正方法，其特征在于，所述電子水準(zhǔn)泡具有m個(gè)發(fā)光裝置和n個(gè)接收裝置，其中，m、n都是大于等于2的正整數(shù)，所述第二參數(shù)包括第二x參數(shù)和第二y參數(shù)，采用下式表示所述第二經(jīng)驗(yàn)公式：
5.如權(quán)利要求4所述的校正方法，其特征在于，還包括：對(duì)(x3a,y3a)和(x3b,y3b)做加權(quán)平均處理，獲得用于表征第三氣泡位置的坐標(biāo)(x3,y3)。
6.如權(quán)利要求1所述的校正方法，其特征在于，還包括：對(duì)所述第一光電信號(hào)和所述第二光電信號(hào)做加權(quán)平均處理，獲得氣泡位于中心位置時(shí)的光電信號(hào)udij，采用下面的公式計(jì)算第三氣泡位置：
7.如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的校正方法，其特征在于，所述至少兩個(gè)目標(biāo)位置均勻地分布在所述側(cè)墻的墻周。
8.如權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的校正方法，其特征在于，所述第一目標(biāo)位置和所述第二目標(biāo)位置對(duì)稱設(shè)置。
9.如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的校正方法，其特征在于，還包括：采用校正后的所述氣泡位置計(jì)算模型計(jì)算氣泡的當(dāng)前位置。
10.如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的校正方法，其特征在于，還包括：
11.如權(quán)利要求10所述的校正方法，其特征在于，根據(jù)所述第三光電信號(hào)和所述第四光電信號(hào)計(jì)算所述第三氣泡位置的步驟包括：采用下面的公式計(jì)算：
12.如權(quán)利要求4所述的校正方法，其特征在于，還包括進(jìn)行模型參數(shù)的可信度檢查，包括：通過檢查冗余數(shù)據(jù)是否相互矛盾來獲得可信度，根據(jù)可信度判斷部分校正、全部校正或不校正所述氣泡位置計(jì)算模型的模型參數(shù)，其中，所述冗余數(shù)據(jù)包括不需要參與計(jì)算所述第一參數(shù)和所述第二參數(shù)的光電信號(hào)。
13.如權(quán)利要求6所述的校正方法，其特征在于，還包括進(jìn)行模型參數(shù)的可信度檢查，包括：通過檢查冗余數(shù)據(jù)是否相互矛盾來獲得可信度，根據(jù)可信度判斷部分校正、全部校正或不校正所述氣泡位置計(jì)算模型的模型參數(shù)，其中，所述冗余數(shù)據(jù)包括不需要參與計(jì)算所述第三x參數(shù)和所述第三y參數(shù)的光電信號(hào)。
14.如權(quán)利要求11所述的校正方法，其特征在于，還包括進(jìn)行模型參數(shù)的可信度檢查，包括：通過檢查冗余數(shù)據(jù)是否相互矛盾來獲得可信度，根據(jù)可信度判斷部分校正、全部校正或不校正所述氣泡位置計(jì)算模型的模型參數(shù)，其中，所述冗余數(shù)據(jù)包括不需要參與計(jì)算所述第四x參數(shù)和所述第四y參數(shù)的光電信號(hào)。
15.一種電子水準(zhǔn)泡的校正裝置，所述電子水準(zhǔn)泡具有殼體，所述殼體具有側(cè)墻，所述側(cè)墻內(nèi)具有液體和氣泡，所述殼體的側(cè)墻具有至少兩個(gè)目標(biāo)位置，所述至少兩個(gè)目標(biāo)位置包括第一目標(biāo)位置和第二目標(biāo)位置，其特征在于，包括：
16.如權(quán)利要求15所述的校正裝置，其特征在于，還包括傾斜傳感器，用于檢測(cè)所述電子水準(zhǔn)泡的傾斜程度，并將所述傾斜程度反饋給所述控制器，用于指示所述控制器控制所述電子水準(zhǔn)泡的傾斜狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求16所述的校正裝置，其特征在于，所述傾斜傳感器包括mems加速度計(jì)。
18.如權(quán)利要求15-17任一項(xiàng)所述的校正裝置，其特征在于，所述電子水準(zhǔn)泡設(shè)置在一電子設(shè)備上，所述控制器被配置為通過控制所述電子設(shè)備的傾斜狀態(tài)來控制所述電子水準(zhǔn)泡的傾斜狀態(tài)。
19.一種存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)程序代碼在由處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的校正方法。