本申請屬于半導(dǎo)體工藝設(shè)備，具體涉及一種壓力檢測裝置、壓力檢測方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體工藝設(shè)備是一種對晶圓實施工藝的設(shè)備，不同的工藝則工藝配方不同。在通常情況下，半導(dǎo)體工藝設(shè)備的工藝空間內(nèi)的壓力則是決定工藝配方的重要參數(shù)之一。在進行工藝的過程中，半導(dǎo)體工藝設(shè)備需要監(jiān)測工藝空間內(nèi)的壓力，以確保工藝的正常進行。

2、相關(guān)技術(shù)涉及的一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備采用薄膜壓力傳感器來采集工藝空間的壓力。薄膜壓力傳感器的應(yīng)變薄膜所接觸的外界壓力會與內(nèi)部的真空壓力形成壓強進而產(chǎn)生形變。此形變會導(dǎo)致安裝于應(yīng)變薄膜上的應(yīng)變電阻片跟著發(fā)生形變，從而導(dǎo)致應(yīng)變電阻片的電阻發(fā)生變化。應(yīng)變電阻片的電阻的變化會通過薄膜壓力傳感器的一系列電子器件轉(zhuǎn)換，最終輸出壓力檢測值。但是，薄膜壓力傳感器輸出的壓力具有非線性以及遲滯性，并且會由于溫度變化、薄膜壓力傳感器內(nèi)的電路老舊、輸出電壓衰變等導(dǎo)致測量出的壓力檢測值不準確，進而會影響對工藝的準確監(jiān)控。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明公開一種壓力檢測裝置及其控制方法、半導(dǎo)體工藝設(shè)備，以解決相關(guān)技術(shù)涉及的半導(dǎo)體工藝設(shè)備采用薄膜壓力傳感器進行工藝空間的壓力檢測，存在檢測結(jié)果不準確的問題。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、第一方面，本申請實施例公開一種壓力檢測裝置，所公開的壓力檢測裝置包括薄膜壓力傳感器、檢測電路、測溫器和處理器，其中，

4、所述薄膜壓力傳感器包括應(yīng)變薄膜、處理電路和設(shè)于所述應(yīng)變薄膜的應(yīng)變電阻片，所述應(yīng)變電阻片的電阻的變化與所述應(yīng)變薄膜的應(yīng)變相關(guān)，所述處理電路用于依據(jù)所述應(yīng)變電阻片的電阻變化量確定待測環(huán)境的第一壓力；

5、所述測溫器用于檢測所述薄膜壓力傳感器的溫度；

6、所述檢測電路用于檢測能表征所述應(yīng)變電阻片的電阻變化量的參數(shù)；

7、所述處理器用于根據(jù)所述參數(shù)確定所述應(yīng)變電阻片的電阻變化量，根據(jù)所述溫度以及預(yù)設(shè)的溫度與所述應(yīng)變電阻片的電阻的變化之間的關(guān)系確定第一電阻變化分量，所述電阻變化量減去所述第一電阻變化分量確定第二電阻變化分量，根據(jù)所述第二電阻變化分量確定第二壓力，根據(jù)所述第二壓力對所述第一壓力進行校準。

8、第二方面，本申請實施例公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，所公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括反應(yīng)腔室和第一方面所述的壓力檢測裝置；

9、所述壓力檢測裝置用于檢測所述反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力。

10、第三方面，本申請實施例公開一種應(yīng)用于第一方面所述的壓力檢測裝置的壓力檢測方法，所述壓力檢測方法包括：

11、控制所述薄膜壓力傳感器獲取待測環(huán)境的第一壓力，所述測溫器檢測所述薄膜壓力傳感器的溫度，以及所述檢測電路檢測能表征所述應(yīng)變電阻片的電阻變化量的參數(shù)；

12、根據(jù)所述參數(shù)確定所述應(yīng)變電阻片的電阻變化量；

13、根據(jù)所述溫度以及預(yù)設(shè)的溫度與所述應(yīng)變電阻片的電阻的變化之間的關(guān)系確定第一電阻變化分量；

14、通過所述電阻變化量減去所述第一電阻變化分量確定第二電阻變化分量；

15、根據(jù)所述第二電阻變化分量確定第二壓力；

16、根據(jù)所述第二壓力對所述第一壓力進行校準。

17、本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達到以下技術(shù)效果：

18、本申請實施例公開的壓力檢測裝置，通過設(shè)置測溫器和檢測電路來分別檢測薄膜壓力傳感器的溫度以及用于表征應(yīng)變電阻片的電阻變化量的參數(shù)，進而能夠根據(jù)溫度與由溫度引起的應(yīng)變電阻片的電阻的變化的關(guān)系來確定第一電阻變化分量，接著能根據(jù)第一電阻變化分量和電阻變化量來確定單純由應(yīng)變引起的應(yīng)變電阻片的第二電阻變化分量，達到去除溫度造成的第一電阻變化量對檢測結(jié)果的不良影響，從而根據(jù)第二電阻變化分量確定第二壓力，最終根據(jù)第二壓力實現(xiàn)對第一壓力進行校準，得到較為準確的待測環(huán)境的壓力。本申請實施例公開的壓力檢測裝置能解決相關(guān)技術(shù)涉及的壓力檢測裝置存在壓力檢測不準的問題。

19、與此同時，本申請實施例公開的壓力檢測裝置中，薄膜壓力傳感器所包含的應(yīng)變電阻片不但是薄膜壓力傳感器的一部分，還能夠與檢測電路配合來供檢測電路檢測能表征應(yīng)變電阻片的電阻變化量的參數(shù)，從而使得應(yīng)變電阻片一物兩用。

技術(shù)特征：

1.一種壓力檢測裝置，其特征在于，包括薄膜壓力傳感器(10)、檢測電路(20)、測溫器(30)和處理器(40)，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述根據(jù)所述第二壓力對所述第一壓力進行校準，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述薄膜壓力傳感器(10)包括四個所述應(yīng)變電阻片(13)，所述檢測電路(20)包括連接線路(21)和電壓檢測器(22)；

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓力檢測裝置，其特征在于，四個所述應(yīng)變電阻片(13)的分別為：第一電阻片(131)，第二電阻片(132)，第三電阻片(133)和第四電阻片(134)；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述根據(jù)所述參數(shù)確定所述應(yīng)變電阻片(13)的電阻變化量，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述根據(jù)所述溫度以及預(yù)設(shè)的溫度與所述應(yīng)變電阻片(13)的電阻的變化之間的關(guān)系確定第一電阻變化分量，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述根據(jù)所述第二電阻變化分量確定第二壓力，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓力檢測裝置，其特征在于，所述應(yīng)變電阻片(13)的應(yīng)變與所述應(yīng)變薄膜(11)的應(yīng)變相等。

9.一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，其特征在于，包括反應(yīng)腔室和權(quán)利要求1至8中任一項所述的壓力檢測裝置；

10.一種應(yīng)用于權(quán)利要求1-8任一項所述的壓力檢測裝置的壓力檢測方法，其特征在于，所述壓力檢測方法包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種壓力檢測裝置，其包括薄膜壓力傳感器、檢測電路、測溫器和處理器，薄膜壓力傳感器包括應(yīng)變薄膜、處理電路和設(shè)于應(yīng)變薄膜的應(yīng)變電阻片，應(yīng)變電阻片的電阻的變化與應(yīng)變薄膜的應(yīng)變相關(guān)，處理電路用于依據(jù)應(yīng)變電阻片的電阻變化量確定待測環(huán)境的第一壓力；測溫器用于檢測薄膜壓力傳感器的溫度；檢測電路用于檢測能表征應(yīng)變電阻片的電阻變化量的參數(shù)；處理器用于根據(jù)第二壓力對第一壓力進行校準。本申請公開的壓力檢測裝置能解決相關(guān)技術(shù)涉及的壓力檢測裝置存在壓力檢測不準的問題。本申請還公開一種壓力檢測方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備。

技術(shù)研發(fā)人員：王鐵然
受保護的技術(shù)使用者：北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6