本技術(shù)涉及mosfet測試，具體涉及一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置。

背景技術(shù)：

1、功率mosfet器件由于其高頻率的通斷，被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、通信系統(tǒng)、汽車電子及消費(fèi)電子等領(lǐng)域中。在功率mosfet工作過程中，往往會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效散熱，會導(dǎo)致器件結(jié)溫升高，進(jìn)而使器件的可靠性降低，甚至損壞器件。

2、對于功率mosfet，穩(wěn)態(tài)熱阻是衡量功率mosfet散熱性能的重要參數(shù)，它表示單位功率下器件結(jié)溫和熱參考點(diǎn)之間的溫度差。其中較小的穩(wěn)態(tài)熱阻意味著更好的熱傳導(dǎo)效率，即器件內(nèi)部的熱量能更快地傳遞到外殼并散發(fā)到環(huán)境中，從而保持器件的較低工作溫度。在功率mosfet器件的穩(wěn)態(tài)熱阻測試中，測量熱參考點(diǎn)溫度和耗散功率相對容易，但準(zhǔn)確測量結(jié)溫對電流切換時(shí)間要求較高，其中現(xiàn)有結(jié)溫測試電路的示意圖如圖1所示，通過對電壓源和電流源進(jìn)行切換來實(shí)現(xiàn)結(jié)溫測試，但是受電流切換影響，現(xiàn)有測試結(jié)構(gòu)存在熱量散失的問題，目前很難準(zhǔn)確對功率mosfet進(jìn)行穩(wěn)態(tài)電阻測試。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于背景技術(shù)的不足，本實(shí)用新型是提供了一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，所要解決的技術(shù)問題是目前受熱量散失影響，功率mosfet的穩(wěn)態(tài)電阻測試的準(zhǔn)確性較差。

2、為解決以上技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案：一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，包括高電子遷移率晶體管、驅(qū)動電阻r3、限流電阻r2和電流源im；

3、所述驅(qū)動電阻r3一端用于輸入第一工作電壓，所述驅(qū)動電阻r3另一端與所述高電子遷移率晶體管的柵極電連接；

4、所述限流電阻r2一端用于輸入第二工作電壓，所述限流電阻r2另一端與高電子遷移率晶體管的漏極電連接，高電子遷移率晶體管的源極用于分別與所述功率mosfet的漏極和柵極電連接，所述電流源im用于與所述功率mosfet的漏極和源極電連接，被配置于給功率mosfet的體二極管提供測試電流。

5、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括第一電源，所述第一電源與所述驅(qū)動電阻r3一端電連接，為驅(qū)動電阻r3一端提供第一工作電壓。

6、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括第二電源，所述第二電源與限流電阻r2一端電連接，為限流電阻r2一端提供第二工作電壓。

7、在某種實(shí)施方式中，所述高電子遷移率晶體管的柵極還通過泄流支路接地。

8、在某種實(shí)施方式中，所述泄流支路包括電阻r1，所述高電子遷移率晶體管的柵極通過電阻r1接地。

9、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括二極管d1，所述二極管d1的陰極與電阻r2一端電連接，所述二極管d2的陽極與電阻r2另一端電連接。

10、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括電容c1，所述二極管d1的陰極通過電容c1接地。

11、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括溫度檢測單元，所述溫度檢測單元用于測試所述功率mosfet的殼體溫度。

12、在某種實(shí)施方式中，本實(shí)用新型還包括電壓檢測單元，所述電壓檢測單元用于檢測所述功率mosfet的體二極管的正向壓降。

13、在某種實(shí)施方式中，所述電壓檢測單元為示波器。

14、本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的有益效果是：首先通過高電子遷移率晶體管可以快速關(guān)斷輸入到功率mosfet的加熱電流的通斷；其次通過將高電子遷移率晶體管的源極分別與功率mosfet的柵極和漏極電連接，可以使功率mosfet工作在飽和區(qū)，從而加熱功率mosfet，而且不需要額外的控制電壓源來控制功率mosfet的柵極，簡化了測試結(jié)構(gòu)；最后通過電流源向功率mosfet的體二極管持續(xù)施加測試電流，避免了熱量在電流切換過程中的散失，從而保證了結(jié)溫測量的準(zhǔn)確性。

技術(shù)特征：

1.一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，包括高電子遷移率晶體管、驅(qū)動電阻r3、限流電阻r2和電流源im；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括第一電源，所述第一電源與所述驅(qū)動電阻r3一端電連接，為驅(qū)動電阻r3一端提供第一工作電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括第二電源，所述第二電源與限流電阻r2一端電連接，為限流電阻r2一端提供第二工作電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，所述高電子遷移率晶體管的柵極還通過泄流支路接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，所述泄流支路包括電阻r1，所述高電子遷移率晶體管的柵極通過電阻r1接地。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括二極管d1，所述二極管d1的陰極與電阻r2一端電連接，所述二極管d2的陽極與電阻r2另一端電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括電容c1，所述二極管d1的陰極通過電容c1接地。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括溫度檢測單元，所述溫度檢測單元用于測試所述功率mosfet的殼體溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，還包括電壓檢測單元，所述電壓檢測單元用于檢測所述功率mosfet的體二極管的正向壓降。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種功率mosfet結(jié)溫測試裝置，其特征在于，所述電壓檢測單元為示波器。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及MOSFET測試技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種功率MOSFET結(jié)溫測試裝置，包括高電子遷移率晶體管、驅(qū)動電阻R3、限流電阻R2和電流源Im；驅(qū)動電阻R3另一端與高電子遷移率晶體管的柵極電連接；限流電阻R2另一端與高電子遷移率晶體管的漏極電連接，高電子遷移率晶體管的源極分別與功率MOSFET的漏極和柵極電連接，電流源Im與功率MOSFET的漏極和源極電連接，給功率MOSFET的體二極管提供測試電流；在實(shí)際使用時(shí)，本技術(shù)通過電流源向功率MOSFET的體二極管持續(xù)施加測試電流，避免了熱量在電流切換過程中的散失，從而保證了結(jié)溫測量的準(zhǔn)確性。

技術(shù)研發(fā)人員：朱袁正,劉震,胡偉,朱久桃,錢邁華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫電基集成科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231218
技術(shù)公布日：2025/1/9