所公開的技術(shù)涉及基于一個或多個隔室或外殼內(nèi)粒子的運(yùn)動和/或位置的感測。

背景技術(shù)：

1、磁場、物體和/或其他刺激可以在各種應(yīng)用中檢測到。感測磁場的系統(tǒng)或裝置可用于各種目的。某些磁場傳感器是用半導(dǎo)體制造工藝制造的，有些也可以通過在晶片制造后添加額外的層，或者通過在半導(dǎo)體上(或旁邊)附著、沉積或粘合額外的材料、結(jié)構(gòu)或?qū)訅喊?層(結(jié)合磁性材料)來構(gòu)建。這種磁場傳感器可以與其他半導(dǎo)體電路、小芯片等封裝在一起，以構(gòu)建功能封裝、模塊或系統(tǒng)級封裝(sip)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、權(quán)利要求中描述的創(chuàng)新都有幾個方面，其中沒有一個方面對其理想的屬性負(fù)全部責(zé)任。在不限制權(quán)利要求范圍的情況下，現(xiàn)在將簡要描述本公開的一些突出特征。

2、本公開的一個方面是一種方法，包括基于一個或多個隔室內(nèi)的粒子的位置生成第一測量和第二測量。至少有一些粒子會響應(yīng)外部刺激而移動。該方法包括基于至少將第一測量與第二測量進(jìn)行比較來提供比較測量。所述第一和第二測量與兩種或多種類型的粒子和/或兩個或多個隔室相關(guān)聯(lián)。

3、外部刺激可以是磁場，比較測量可以指示磁場。比較測量可以指示溫度在溫度范圍內(nèi)。比較測量可以指示施加到一個或多個隔室的力。

4、在某些情況下，多個隔室能夠監(jiān)測一系列值。隔室結(jié)構(gòu)的差異可以增加測量的粒度和/或系統(tǒng)的靈敏度?？梢曰趯Χ鄠€隔室的監(jiān)測來設(shè)置一個或多個閾值、警報(bào)和/或標(biāo)志。

5、根據(jù)特定應(yīng)用的規(guī)格，可以定位隔間以增強(qiáng)和/或最大限度地提高檢測能力。隔室可以正交、徑向和/或位于要監(jiān)測的區(qū)域。因此，可以有意地布置隔室以產(chǎn)生有用的結(jié)果。

6、在某些情況下，一個外殼可以分成不同的隔間。感測結(jié)構(gòu)可以合并到一個外殼的不同區(qū)域，以將一個外殼劃分為不同的區(qū)域。

7、粒子可以是磁敏感的，并且存在于至少一種流體中。粒子可以是磁敏感的，并嵌入至少一層薄膜中。粒子可以存在于至少一種磁敏流體中。

8、第一和第二測量可以與兩種或多種類型的粒子相關(guān)聯(lián)。兩種或多種類型的粒子具有不同的磁敏性。兩種或多種類型的粒子具有不同的尺寸和/或形狀。

9、該方法可以包括在生成第一測量之前重置粒子的位置。

10、第二測量可以基于在暴露于外部刺激后對至少一些粒子的光學(xué)檢測來產(chǎn)生。

11、第一和第二測量可以與兩個或多個隔室相關(guān)聯(lián)。兩個或多個隔室可以包括不同的流體通道。兩個或多個隔室可以包括不同的密封外殼。粒子可以包括兩個或多個隔室的不同相應(yīng)隔室中的不同類型的粒子。不同類型的粒子具有不同的磁敏性。不同類型的粒子可以具有不同的尺寸和/或形狀。兩個或多個隔室可以在兩個或多個隔室的不同相應(yīng)隔室中包括不同的介質(zhì)材料。不同的介質(zhì)材料可以響應(yīng)于溫度的變化而改變粘度。粒子可以在兩個或多個隔室中的每一個中的不同流體中。

12、一個或多個隔室可以包括集成感測結(jié)構(gòu)。一個或多個隔室可以包括配置為提供偏壓的集成磁性結(jié)構(gòu)。一個或多個隔室可以包括集成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

13、本公開的另一個方面是一種方法，包括基于一個或多個隔室內(nèi)的磁敏粒子的位置生成第一測量和第二測量，以及基于至少將第一測量與第二測量進(jìn)行比較來提供比較測量。所述第一和第二測量與兩種或多種類型的粒子和/或兩個或多個隔室相關(guān)聯(lián)。

14、本發(fā)明的另一個方面是一種系統(tǒng)，其包括包含一種或多種第一粒子的第一隔室、包含一種或多種第二粒子的第二隔室，以及測量電路，該測量電路被配置為基于比較與一種或多種第一粒子位置相關(guān)的第一測量和與一種或多種第二粒子位置相關(guān)的第二測量來產(chǎn)生測量。一種或多種第一粒子被配置為響應(yīng)于外部刺激而移動。

15、外部刺激可以是磁場，測量可以指示磁場。該測量可以指示溫度在溫度范圍內(nèi)。

16、一種或多種第一粒子可以在第一流體中，并且一種或多種第二粒子可以在第二流體中。第一流體可以是與第二流體不同類型的流體。在特定溫度下，一種或多種第一粒子在第一流體中的遷移率可能與一種或多種第二粒子在第二流體中的不同。

17、一種或多種第一粒子和一種或多種第二粒子可以具有不同的磁敏性。一種或多種第一粒子和一種或多種第二粒子可以具有不同的尺寸和/或形狀。

18、本公開的另一個方面是一種系統(tǒng)，包括包含至少兩種類型粒子的隔室和測量電路，該測量電路被配置為基于比較第一測量和第二測量來產(chǎn)生測量。第一測量與至少兩種類型的粒子的位置相關(guān)聯(lián)。第二測量與響應(yīng)于外部刺激而移動的至少兩種類型的粒子中的至少一些粒子相對于與第一測量相關(guān)聯(lián)的位置相關(guān)聯(lián)。

19、為了總結(jié)本公開，本文描述了創(chuàng)新的某些方面、優(yōu)點(diǎn)和新穎特征。應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)任何特定實(shí)施例，不一定可以實(shí)現(xiàn)所有這些優(yōu)點(diǎn)。因此，創(chuàng)新可以以實(shí)現(xiàn)或優(yōu)化本文所教導(dǎo)的一個或一組優(yōu)點(diǎn)的方式體現(xiàn)或?qū)嵤灰欢▽?shí)現(xiàn)本文所教導(dǎo)或建議的其他優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外部刺激是磁場，并且所述比較測量指示所述磁場。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述比較測量指示溫度在溫度范圍內(nèi)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述比較測量指示施加到所述一個或多個隔室的力。

5.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述粒子是磁敏的，并且存在于至少一種流體中。

6.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一和第二測量與所述兩種或多種類型的粒子相關(guān)聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述兩種或多種類型的粒子具有不同的磁敏性。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的方法，其中所述兩種或多種類型的粒子具有不同尺寸或不同形狀中的至少一種。

9.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，還包括在生成所述第一測量之前重置粒子的位置。

10.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述第一和第二測量與所述兩個或多個隔室相關(guān)聯(lián)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述兩個或多個隔室包括不同的流體通道。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其中所述兩個或多個隔室包括不同的密封外殼。

13.根據(jù)權(quán)利要求10至12中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述兩個或多個隔室在所述兩個或多個隔室的不同相應(yīng)隔室中包括不同的介質(zhì)材料，并且所述不同的介質(zhì)材料響應(yīng)于溫度的變化而改變粘度。

14.根據(jù)權(quán)利要求10至13中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述粒子在所述兩個或多個隔室的每一個中處于不同的流體中。

15.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的方法，其中所述一個或多個隔室包括集成感測結(jié)構(gòu)。

16.一種方法，包括:

17.一種系統(tǒng)，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述外部刺激是磁場，并且所述測量指示所述磁場。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，其中所述測量指示溫度在溫度范圍內(nèi)。

20.根據(jù)權(quán)利要求17至19中任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其中所述一種或多種第一粒子在第一流體中，所述一種或多種第二粒子在第二流體中，并且所述第一流體是與所述第二流體不同類型的流體。

技術(shù)總結(jié)
本公開的方面涉及基于一個或多個隔室(262A、262B、262C、262D)內(nèi)的粒子(14A、14B、14C、14D)的位置來生成測量。至少有一些粒子可以響應(yīng)外部刺激而移動?？梢曰诒容^測量來提供比較測量。測量可以與兩種或多種類型的粒子和/或兩個或多個隔室相關(guān)聯(lián)。

技術(shù)研發(fā)人員：A·J·奧唐奈,S·布萊德利,A·伯杜克,J·庫比克,J·施密特,S·約隆德科維奇,J·卡爾佩馬拉維拉,P·L·菲茲格拉德,G·P·考斯格拉維,M·P·林奇,E·E·恩格利什
受保護(hù)的技術(shù)使用者：亞德諾半導(dǎo)體國際無限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23