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磁場感測設備的制作方法

文檔序號:40543436發(fā)布日期:2025-01-03 11:02閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種用于確定區(qū)域中的磁場分布的磁場感測設備,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場感測設備,其中,在每個感測元件中,所述第一觸點(2)和第二觸點(3)中的一個基本上圍繞所述第一觸點(2)或第二觸點(3)的另一個。

3.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,所述多個感測元件以一維或二維陣列排列,并且其中,沿第一方向取向的第一平行導線(4)連接所述第一觸點(2),沿第二方向取向的第二平行導線(5)連接所述第二觸點(3)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁場感測設備,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的磁場感測設備,其中,所述測量單元經(jīng)由多路復用器(7)連接到所述第二導線(5)。

6.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,所述偏置元件(6)被控制為將未被選擇的感測元件的第一觸點(2)連接到地。

7.根據(jù)權(quán)利要求3至5所述的磁場感測設備,其中,所述偏置元件(6)被控制為向所述第一導線(4)中的每一條施加不同調(diào)制的偏置電壓。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁場感測設備,其中,所述測量單元包括至少一個鎖定放大器(9)。

9.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,還包括一組平行微波導線(10),其用于承載由所述至少一個微波源(13)產(chǎn)生的微波信號,所述微波線(10)形成在所述第一觸點(2)和/或所述第二觸點(3)上方,并且與所述第一觸點(2)、第二觸點(3)以及基板(1)電絕緣。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁場感測設備,其中,所述微波線(10)交替地連接到地,以限定一組共面微波帶或一組共面波導(10;11)。

11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的磁場感測設備,其中,所述一組平行微波導線(10;11)平行于所述第二導線(5)取向。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁場感測設備,其中,所述至少一個微波源(13)被控制為產(chǎn)生調(diào)制微波信號。

13.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,在照射的同時,控制所述至少一個微波源(13)以在預定頻率范圍內(nèi)掃頻。

14.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,所述第一觸點(2)和所述第二觸點(3)形成在所述基板(1)的同一表面上,并且由所述至少一個光源產(chǎn)生的光引導到相對表面(17),以照射所選感測元件。

15.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,所述照射遍及所述預定區(qū)域連續(xù)。

16.根據(jù)權(quán)利要求1至14所述的磁場感測設備,其中,所述照射遍及所述預定區(qū)域在空間上變化。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁場感測設備,其中,所述至少一個光源是聚焦激光束。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁場感測設備,其中,所述至少一個光源是線形激光束。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的磁場感測設備,其中,所述至少一個光源是發(fā)光二極管或激光器的一維或二維陣列。

20.根據(jù)前述任一權(quán)利要求所述的磁場感測設備,其中,所述測量單元被配置為從所測量的光電流中提取所選感測元件中每個感測元件的感測溫度值。

21.一種使用磁場感測設備確定區(qū)域中的磁場分布的方法,所述磁場感測設備包括金剛石氮空位中心基板(1)的預定區(qū)域,所述預定區(qū)域具有多個感測元件,所述多個感測元件中的每一個都具有與金剛石氮空位中心基板(1)的表面電接觸的第一觸點(2)和第二觸點(3),所述第二觸點(3)與所述第一觸點電隔離;其中,在每個感測元件中,所述第一觸點(2)和所述第二觸點(3)中的一個位于所述第一觸點(2)或所述第二觸點(3)中的另一個的內(nèi)里,所述方法包括以下步驟:


技術(shù)總結(jié)
描述了一種用于測量磁場分布的磁場感測設備和方法,包括金剛石氮空位中心基板的預定區(qū)域和控制器。預定區(qū)域具有可以被選擇性地激活和讀出的多個磁感測元件。為了使磁感測元件能夠在產(chǎn)生局部電場的同時感測磁場,將感測元件暴露于預定波長或波長范圍的光下,用預定頻率或頻率范圍的微波照射磁性元件,收集并測量產(chǎn)生的光電流,來允許從中提取感測磁場值。

技術(shù)研發(fā)人員:科恩·維爾瓦耶克
受保護的技術(shù)使用者:瑪格坎姆股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/1/2
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