本公開大體上涉及光學(xué)計量，且更特定來說，本公開涉及基于光學(xué)計量目標(biāo)的高分辨率評估的工藝控制。

背景技術(shù)：

1、光學(xué)計量可指基于使用光的計量，所述光通常包含紫外(uv)到紅外(ir)波長中的波長。許多光學(xué)計量技術(shù)依賴于具有經(jīng)設(shè)計以促進測量的特征的專用計量目標(biāo)的測量。然而，基于此類目標(biāo)的測量準(zhǔn)確度可響應(yīng)于制造工藝的偏差而變化。因此，需要開發(fā)系統(tǒng)及方法來評估光學(xué)計量目標(biāo)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的一或多個說明性實施例，公開一種計量系統(tǒng)。在一個說明性實施例中，所述系統(tǒng)包含耦合到光學(xué)計量子系統(tǒng)及額外計量子系統(tǒng)的控制器。在另一說明性實施例中，所述光學(xué)計量子系統(tǒng)可根據(jù)第一計量配方配置以產(chǎn)生一或多個樣本上的一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的光學(xué)計量測量，其中所述光學(xué)計量測量是基于與至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述光學(xué)計量目標(biāo)的特征。在另一說明性實施例中，所述額外計量子系統(tǒng)可根據(jù)第二計量配方配置以產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的額外計量測量，其中所述額外計量測量具有高于所述光學(xué)計量測量的分辨率。在另一說明性實施例中，所述額外計量子系統(tǒng)進一步測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差，其中所述偏差包含與所述至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述特征相對于所述參考設(shè)計的偏差。在另一說明性實施例中，所述控制器比較所述光學(xué)計量測量與所述額外計量測量以產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實施例中，所述控制器基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差而識別用于制造所述一或多個樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實施例中，所述控制器使所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實施例中，所述控制器基于所述相關(guān)性調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者。

2、根據(jù)本公開的一或多個說明性實施例，公開一種方法。在一個說明性實施例中，所述方法包含根據(jù)第一計量配方使用光學(xué)計量子系統(tǒng)產(chǎn)生一或多個樣本上的一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的光學(xué)計量測量，其中所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)包含與至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的特征，且其中所述光學(xué)計量測量是基于具有至少一個光學(xué)節(jié)距的所述光學(xué)計量目標(biāo)的所述特征。在另一說明性實施例中，所述方法包含使用可根據(jù)第二計量配方配置的額外計量子系統(tǒng)產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的額外計量測量，其中所述額外計量測量具有高于所述光學(xué)計量測量的分辨率。在另一說明性實施例中，所述方法包含比較所述光學(xué)計量測量與所述額外計量測量以產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實施例中，所述方法包含使用所述額外計量子系統(tǒng)測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差，其中所述偏差包含所述光學(xué)可分辨特征與所述參考設(shè)計的偏差。在另一說明性實施例中，所述方法包含基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差而識別用于制造所述一或多個樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實施例中，所述方法包含使所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實施例中，所述方法包含基于所述相關(guān)性而調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者。

3、根據(jù)本公開的一或多個說明性實施例，公開一種計量系統(tǒng)。在一個說明性實施例中，所述系統(tǒng)包含可根據(jù)第一計量配方配置以產(chǎn)生一或多個樣本上的一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的光學(xué)計量測量的光學(xué)計量子系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計量測量是基于與至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述光學(xué)計量目標(biāo)的特征。在另一說明性實施例中，所述系統(tǒng)包含可根據(jù)第二計量配方配置以產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的額外計量測量的額外計量子系統(tǒng)，其中所述額外計量測量具有高于所述光學(xué)計量測量的分辨率。在另一說明性實施例中，所述額外計量子系統(tǒng)進一步測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差，其中所述偏差包含與所述至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的所述特征相對于所述參考設(shè)計的偏差。在另一說明性實施例中，所述系統(tǒng)包含控制器。在另一說明性實施例中，所述控制器比較所述光學(xué)計量測量與所述額外計量測量以產(chǎn)生所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量。在另一說明性實施例中，所述控制器基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差而識別用于制造所述一或多個樣本的光刻工藝的變化。在另一說明性實施例中，所述控制器使所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的所述準(zhǔn)確度測量與基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差的所述光刻工藝的所述變化相關(guān)。在另一說明性實施例中，所述控制器基于所述相關(guān)性而調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者。

4、應(yīng)理解，前述一般描述及以下詳細描述兩者均僅為示范性及解釋性且不一定限制所主張的發(fā)明。并入且構(gòu)成說明書的一部分的附圖說明本發(fā)明的實施例且與一般描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種計量系統(tǒng)，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)進一步包含與小于所述至少一個光學(xué)節(jié)距的精細節(jié)距相關(guān)聯(lián)的特征，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)包括以一或多個節(jié)距分布的特征，其中基于所述額外測量來測量所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差來識別用于制造所述一或多個樣本的所述光刻工藝的變化包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述一或多個樣本包含兩個或更多個樣本，其中基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)與所述參考設(shè)計的所述偏差來識別用于制造所述一或多個樣本的所述光刻工藝的變化包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的計量系統(tǒng)，其中調(diào)整所述第一計量配方以降低所述光學(xué)計量測量對偏移的敏感度包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、所述光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計量子系統(tǒng)基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的一或多個圖像來產(chǎn)生所述光學(xué)計量測量。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計量子系統(tǒng)基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的一或多個散射測量測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計量測量。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述至少一個光學(xué)節(jié)距包含單個光學(xué)節(jié)距，其中所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)包含在至少兩個層上具有所述單個光學(xué)節(jié)距的特征。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述至少一個光學(xué)節(jié)距包含第一光學(xué)節(jié)距及第二光學(xué)節(jié)距。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的計量系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)節(jié)距及所述第二光學(xué)節(jié)距能夠使用所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述一或多個光學(xué)目標(biāo)包含具有第一節(jié)距及第二節(jié)距的特征，其中所述第一節(jié)距或所述第二節(jié)距中的至少一者不能使用所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨，其中所述光學(xué)節(jié)距包括基于所述第一節(jié)距及所述第二節(jié)距的莫爾節(jié)距且能夠由所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計量系統(tǒng)，其中所述額外計量子系統(tǒng)包括：

19.一種方法，其包括：

20.一種計量系統(tǒng)，其包括：

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計量子系統(tǒng)基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的一或多個圖像來產(chǎn)生所述光學(xué)計量測量。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述光學(xué)計量子系統(tǒng)基于所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)的一或多個散射測量測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計量測量。

23.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述至少一個光學(xué)節(jié)距包含單個光學(xué)節(jié)距，其中所述一或多個光學(xué)計量目標(biāo)包含在至少兩個層上具有所述單個光學(xué)節(jié)距的特征。

24.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述至少一個光學(xué)節(jié)距包含第一光學(xué)節(jié)距及第二光學(xué)節(jié)距。

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的計量系統(tǒng)，其中所述第一光學(xué)節(jié)距及所述第二光學(xué)節(jié)距能夠使用所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨。

26.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述一或多個光學(xué)目標(biāo)包含具有第一節(jié)距及第二節(jié)距的特征，其中所述第一節(jié)距或所述第二節(jié)距中的至少一者不能使用所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨，其中所述光學(xué)節(jié)距包括基于所述第一節(jié)距及所述第二節(jié)距的莫爾節(jié)距且能夠由所述光學(xué)計量子系統(tǒng)來分辨。

27.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計量系統(tǒng)，其中所述額外計量子系統(tǒng)包括：

技術(shù)總結(jié)
一種計量系統(tǒng)可包含：光學(xué)計量子系統(tǒng)，其用于基于與至少一個光學(xué)節(jié)距相關(guān)聯(lián)的光學(xué)計量目標(biāo)的特征來產(chǎn)生光學(xué)計量的光學(xué)計量測量；及額外計量子系統(tǒng)，其用于產(chǎn)生所述光學(xué)計量目標(biāo)的額外計量測量，其中所述額外計量測量具有高于所述光學(xué)計量測量的分辨率，且其中所述額外計量子系統(tǒng)進一步測量所述光學(xué)計量目標(biāo)與參考設(shè)計的偏差。所述系統(tǒng)可進一步包含控制器，以基于所述測量來產(chǎn)生所述光學(xué)計量目標(biāo)的準(zhǔn)確度測量，基于所述偏差來識別光刻工藝的變化，使所述準(zhǔn)確度測量與所述變化相關(guān)，且基于所述相關(guān)性來調(diào)整所述光學(xué)計量子系統(tǒng)、光刻工具或所述參考設(shè)計中的至少一者。

技術(shù)研發(fā)人員：N·古特曼,D·克萊因,S·切爾卡斯,Y·西蒙,F·拉斯克,M·維特克特爾
受保護的技術(shù)使用者：科磊股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9