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磁傳感器裝置的制作方法

文檔序號:40442969發(fā)布日期:2024-12-24 15:17閱讀:15來源:國知局
磁傳感器裝置的制作方法

本公開涉及磁傳感器裝置。


背景技術(shù):

1、具有利用粘接劑將在傳感器基板上設(shè)置有磁檢測元件的傳感器芯片粘接于支承基板的磁傳感器裝置。例如,在專利文獻(xiàn)1中公開有如下磁傳感器裝置:分別準(zhǔn)備包含生成檢測信號的磁傳感器的第一芯片及第二芯片、和包含用于對檢測信號進(jìn)行處理的專用集成電路(asic)的支承體,利用粘接劑將第一芯片及第二芯片與支承體接合。

2、在這種磁傳感器裝置中,優(yōu)選以從傳感器基板的粘接面稍微露出的方式涂布粘接劑。如果粘接劑的涂布量不足,則容易以未涂布粘接劑的部位為起點產(chǎn)生剝離,粘接強度可能降低。如果粘接劑的涂布量過量,則從傳感器基板露出的粘接劑附著于asic等表面的電極,連接可靠性可能降低。

3、如果在傳感器基板的粘接面上形成有底孔或貫通孔,則即使涂布量稍微變化,通過表面張力,從傳感器芯片露出的粘接劑的量也不易變化。因為粘接層變厚,所以粘接強度也提高。在專利文獻(xiàn)2中公開一種半導(dǎo)體裝置,雖然不是磁傳感器裝置,但經(jīng)由粘接層將半導(dǎo)體元件搭載于支承體上,其中,在面向支承基板的半導(dǎo)體元件的背面上形成凹部。

4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

5、專利文獻(xiàn)

6、專利文獻(xiàn)1:日本特開2023-10557號公報

7、專利文獻(xiàn)2:日本特開2010-205893號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、但是,磁傳感器裝置與專利文獻(xiàn)2所記載的半導(dǎo)體裝置不同,具備由磁性材料構(gòu)成的磁檢測元件。當(dāng)對磁性材料施加外力時,由于逆磁致伸縮效應(yīng),相對于磁場的響應(yīng)會變動。特別是隧道磁阻效應(yīng)元件具有mr比大的優(yōu)異的輸出特性,另一方面,輸出特性容易因外力而變動。而且,當(dāng)在傳感器基板上形成有底孔或貫通孔時,傳感器基板的板厚局部變化,因此,傳感器基板由于溫度變化而膨脹或收縮時的熱變形變得不均等,可能對磁檢測元件作用熱應(yīng)力。

3、本公開是鑒于這種情況而研發(fā)的,其目的在于,提供能夠在支承基板上適當(dāng)固定傳感器基板、且輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

4、用于解決問題的技術(shù)方案

5、本公開的一方式提供一種磁傳感器裝置,其具備支承基板、和固定于支承基板的傳感器基板。傳感器基板具有面向支承基板的第一面、和位于與第一面相反的一側(cè)的第二面,即設(shè)置有包含多個磁檢測元件的功能膜的所述第二面,在第一面形成有孔部,孔部的輪廓包含至少一個拐角,至少一個拐角在沿著從第二面朝向第一面的法線方向觀察的俯視時包含與多個磁檢測元件的至少一個重疊的第一拐角,該第一拐角的曲率半徑形成為5μm以上。

6、根據(jù)該方式,在傳感器基板上形成有孔部,因此,與不形成孔部的情況相比,即使粘接劑的涂布量變化,從傳感器基板的下表面露出的粘接劑的量也不易變化。粘接層變厚,粘接強度也提高。因此,能夠在支承基板上適當(dāng)粘接傳感器基板??撞靠梢允菑牡谝幻娉虻诙姘枷莸挠械卓祝部梢允菑牡谝幻尕炌ㄖ恋诙娴呢炌?。在俯視時,如果孔部的輪廓的拐角的曲率半徑較小,則容易在與該拐角重疊的位置受到熱應(yīng)力的影響。根據(jù)該方式,能夠以與曲率半徑為5μm以上的第一拐角重疊的方式配置磁檢測元件。與必須避開所有孔部的拐角的情況相比,對磁檢測元件的排列的制約少,設(shè)計的自由度優(yōu)異。與曲率半徑為5μm以上的拐角重疊的位置比不與拐角重疊的位置稍微容易受到熱應(yīng)力的影響,但相較于與曲率半徑低于5μm的拐角重疊的位置時,熱應(yīng)力的影響充分小,因此,能夠提供輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

7、在所述方式中,也可以是,傳感器基板使用粘接劑固定于所述支承基板上,在孔部填充有粘接劑。

8、根據(jù)該方式,能夠利用粘接劑在支承基板上適當(dāng)固定傳感器基板。

9、在所述方式中,也可以是,至少一個拐角為多個拐角,輪廓是使多個拐角全部帶有曲率半徑為5μm以上的r角的多邊形。

10、根據(jù)該方式,無論將磁檢測元件配置于哪一拐角,熱應(yīng)力的影響也較小,因此,不需要留意不能配置磁檢測元件的拐角。設(shè)計的自由度優(yōu)異。

11、在所述方式中,也可以是,在俯視時,多個磁檢測元件包含被配置為與輪廓重疊的至少一個第一磁檢測元件、和被配置為不與輪廓重疊的多個第二磁檢測元件,多個第二磁檢測元件的一部分在俯視時配置于輪廓的內(nèi)側(cè),多個第二磁檢測元件的剩余部分在俯視時配置于輪廓的外側(cè)。在所述方式中,也可以是,多個磁檢測元件還包含在俯視時配置為不與輪廓重疊的至少一個第二磁檢測元件,至少一個第二磁檢測元件的全部在俯視時配置于輪廓的內(nèi)側(cè)。至少一個第二磁檢測元件的全部也可以在俯視時配置于所述輪廓的外側(cè)。

12、根據(jù)這些方式,能夠使與輪廓重疊的第一磁檢測元件和不與輪廓重疊的第二磁檢測元件混合存在,跨越輪廓的內(nèi)外地配置第二磁檢測元件,也能夠僅在輪廓的內(nèi)側(cè)配置第二磁檢測元件,還可以僅在輪廓的外側(cè)配置第二磁檢測元件。對磁檢測元件的排列的制約少,設(shè)計的自由度優(yōu)異。

13、在所述方式中,也可以是,孔部是從第一面朝向第二面凹陷的有底孔,有底孔的深度在法線方向上為傳感器基板的板厚的一半以下。

14、孔部越深,板厚的差在孔部和孔部以外越大,在傳感器基板由于溫度變化而膨脹或收縮時,磁檢測元件越容易受到熱應(yīng)力的影響。根據(jù)該方式,孔部和孔部以外的差為板厚的一半以下,因此,能夠提供熱應(yīng)力的影響不易過大、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

15、在所述方式中,也可以是,還具備配線層,該配線層在法線方向上設(shè)置于比功能膜更遠(yuǎn)離支承基板的層,在俯視時,多個磁檢測元件中的每一個配置于配線層的輪廓的內(nèi)側(cè)。

16、當(dāng)將磁檢測元件配置于配線層的輪廓的內(nèi)側(cè)時,與沒有配線層的情況相比,磁檢測元件不易受到熱應(yīng)力的影響。

17、在所述方式中,也可以是,孔部具有相對于法線方向傾斜的內(nèi)表面,多個磁檢測元件中的每一個被配置為在俯視時不與內(nèi)表面重疊。

18、與傾斜的內(nèi)表面重疊的位置容易受到熱應(yīng)力的影響。根據(jù)該方式,多個磁檢測元件中的每一個不與傾斜的內(nèi)表面重疊,因此,能夠提供不易受到熱應(yīng)力的影響、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。

19、在所述方式中,也可以是角度傳感器具備磁傳感器裝置,也可以是磁羅盤具備磁傳感器裝置,也可以是電流傳感器具備磁傳感器裝置,還可以是攝像機模塊的自動聚焦機構(gòu)和/或光學(xué)式抖動校正機構(gòu)具備磁傳感器裝置。

20、根據(jù)這些方式,能夠?qū)⒋艂鞲衅餮b置應(yīng)用于各種目的。

21、發(fā)明效果

22、根據(jù)本公開,能夠提供能夠在支承基板上適當(dāng)固定傳感器基板、輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。



技術(shù)特征:

1.一種磁傳感器裝置,其具備:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置,其中,

10.一種角度傳感器,其具備權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置。

11.一種磁羅盤,其具備權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置。

12.一種電流傳感器,其具備權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置。

13.一種攝像機模塊,其包含具備權(quán)利要求1所述的磁傳感器裝置的自動聚焦機構(gòu)和/或光學(xué)式抖動校正機構(gòu)。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供能夠在支承基板上適當(dāng)固定傳感器基板、且輸出特性穩(wěn)定的磁傳感器裝置。磁傳感器裝置(1)具備支承基板(2)、和固定于支承基板(2)上的傳感器基板(10)。傳感器基板(10)具有面向支承基板(2)的第一面(10B)、和位于與第一面(10B)相反的一側(cè)的第二面(10A)即設(shè)置有包含多個磁檢測元件(E)的功能膜(20)的第二面(10A),在第一面(10B)上形成有孔部(11),孔部(11)的輪廓(O11)包含至少一個拐角(C1、C2、C3…),在沿著從第二面(10A)朝向第一面(10B)的法線方向(Z)觀察的俯視時,至少一個拐角(C1、C2、C3…)包含與多個磁檢測元件(E)的至少一個重疊的第一拐角(C1),該第一拐角(C1)的曲率半徑形成為5μm以上。

技術(shù)研發(fā)人員:山脅和真
受保護(hù)的技術(shù)使用者:TDK株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/23
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