本技術(shù)涉及電子電路，尤其涉及一種控制電路、芯片及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、電可編程熔絲(electrically?programmable?fuse，efuse)通常為應(yīng)用于集成電路的一次性可編程存儲(chǔ)器。電可編程熔絲(以下簡(jiǎn)稱電熔絲)處于未編程狀態(tài)(未熔斷狀態(tài))時(shí)的阻值較小，而電熔絲處于已編程狀態(tài)(已熔斷狀態(tài))時(shí)的阻值較大，因此可以通過熔斷電熔絲來修改集成電路的標(biāo)識(shí)、功能和電氣特性等。例如，將未熔斷狀態(tài)的電熔絲的低阻值狀態(tài)作為邏輯狀態(tài)“0”，將已熔斷狀態(tài)的電熔絲的高阻值狀態(tài)作為邏輯狀態(tài)“1”，基于電熔絲的熔斷前后的邏輯狀態(tài)可對(duì)偏離芯片指標(biāo)范圍外的參數(shù)進(jìn)行修正等。

2、目前，通常通過將電熔絲與一個(gè)參考電阻進(jìn)行阻值比較以確定電熔絲的熔斷狀態(tài)。例如，當(dāng)電熔絲的阻值大于該參考電阻的阻值時(shí)，可以確定該電熔絲處于已熔斷狀態(tài)；相反若電熔絲的阻值小于該參考電阻的阻值時(shí)，則可以確定該電熔絲處于未熔斷狀態(tài)。

3、然而，由于制造工藝的波動(dòng)或熔斷能量的不穩(wěn)定，電熔絲在熔斷過程可能處于未完全熔斷狀態(tài)，導(dǎo)致在將電熔絲與參考電阻進(jìn)行阻值比較時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)誤結(jié)果，不利于芯片設(shè)計(jì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本技術(shù)實(shí)施例提供了一種控制電路、芯片及電子設(shè)備。

2、第一方面，本技術(shù)提供了一種控制電路，包括：參考模塊和比較模塊，其中，參考模塊包括串聯(lián)連接的第一電阻單元和第二電阻單元，比較模塊包括與第一電阻單元和第二電阻單元并聯(lián)連接的可變電阻單元；比較模塊用于在可變電阻單元的阻值變化為待測(cè)目標(biāo)阻值時(shí)，基于參考電流流經(jīng)可變電阻單元產(chǎn)生第一壓降，以及基于參考電流流經(jīng)第一電阻單元和第二電阻單元產(chǎn)生第二壓降，并基于第一壓降和第二壓降的大小關(guān)系輸出第一輸出結(jié)果；比較模塊用于在第一輸出結(jié)果表征第一壓降大于第二壓降時(shí)，基于參考電流流經(jīng)可變電阻單元產(chǎn)生第一壓降，以及基于參考電流流經(jīng)第一電阻單元產(chǎn)生第三壓降，并基于第一壓降和第三壓降的大小關(guān)系輸出第二輸出結(jié)果，其中，第二輸出結(jié)果表征第一壓降大于第三壓降。

3、在本技術(shù)實(shí)施例中，上述可變電阻單元的待測(cè)目標(biāo)阻值可以是電熔絲完全熔斷(已熔斷狀態(tài))后的阻值，也可以是未完全熔斷(未完全熔斷狀態(tài))后的阻值。在將電熔絲rfuse(可變電阻單元)與參考電阻r01(第一電阻單元)進(jìn)行阻值比較前，即在處于測(cè)試模式時(shí)，先確定電熔絲rfuse的待測(cè)目標(biāo)阻值大于參考電阻r01與參考電阻r02(第二電阻單元)的阻值之和，以使得控制電路判定電熔絲為完全熔斷的電熔絲(第一輸出結(jié)果表征第一壓降大于第二壓降)。隨后，在用戶模式時(shí)，僅將電熔絲rfuse與參考電阻r01進(jìn)行阻值比較，確保電熔絲rfuse的待測(cè)目標(biāo)阻值大于參考電阻r01的阻值。也就是說，通過上述控制電路可以確保在經(jīng)過測(cè)試模式篩選后的電熔絲，在用戶模式下被準(zhǔn)確的判定為完全熔斷的電熔絲(第二輸出結(jié)果表征第一壓降大于第三壓降)，確保通過熔斷電熔絲實(shí)現(xiàn)對(duì)電路參數(shù)的修正。

4、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，第一電阻單元的阻值大于或等于第二電阻單元的阻值。

5、在本技術(shù)實(shí)施例中，由于電熔絲rfuse的待測(cè)目標(biāo)阻值大于參考電阻r01與參考電阻r02的阻值之和，以及參考電阻r02的阻值等于或大于參考電阻r01的阻值；即電熔絲rfuse的待測(cè)目標(biāo)阻值不僅大于參考電阻r01的阻值，且與參考電阻r0至少相差參考電阻r02的阻值大小，有效預(yù)留出由于電路失調(diào)電壓而造成的誤差范圍。

6、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述可變電阻單元包括電熔絲，待測(cè)目標(biāo)阻值為電熔絲進(jìn)行熔斷后的阻值。

7、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，還包括：控制模塊，控制模塊包括與第二電阻單元并聯(lián)連接的第一開關(guān)單元；控制模塊用于在可變電阻單元的阻值變化為待測(cè)目標(biāo)阻值時(shí)，驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)單元處于斷開狀態(tài)，以使參考電流可流經(jīng)第一電阻單元和第二電阻單元；以及，控制模塊用于在第一輸出結(jié)果表征第一壓降大于第二壓降時(shí)，驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)單元處于導(dǎo)通狀態(tài)，以使參考電流僅流經(jīng)第一電阻單元。

8、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，還包括：偏置模塊，偏置模塊包括第一鏡像單元以及與第一鏡像單元串聯(lián)連接的參考電流源，且參考電流源的電流為參考電流，參考模塊還包括第二鏡像單元，比較模塊還包括第三鏡像單元，其中，第一鏡像單元與第二鏡像單元形成第一電流鏡支路，偏置模塊基于第一電流鏡支路向參考模塊提供參考電流；第一鏡像單元與第三鏡像單元形成第二電流鏡支路，偏置模塊基于第二電流鏡支路向比較模塊提供參考電流。

9、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第二鏡像單元與第一電阻單元和第二電阻單元串聯(lián)連接，第三鏡像單元與可變電阻單元串聯(lián)連接；參考電流流經(jīng)可變電阻單元產(chǎn)生的第一壓降以使得流經(jīng)第三鏡像單元的電流為第一電流，且第一電流作為比較模塊中的目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的上拉電流；參考電流流經(jīng)第一電阻單元和第二電阻單元產(chǎn)生第二壓降以使得流經(jīng)第二鏡像單元的電流為第二電流，且第二電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流；或，參考電流流經(jīng)第一電阻單元產(chǎn)生第三壓降以使得流經(jīng)第二鏡像單元的電流為第三電流，且第三電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流；比較模塊基于目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的上拉電流和下拉電流的大小關(guān)系輸出第一輸出結(jié)果或第二輸出結(jié)果。

10、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述比較模塊基于以下方式確定第一輸出結(jié)果或第二輸出結(jié)果：當(dāng)待測(cè)目標(biāo)阻值大于第一電阻單元與第二電阻單元的阻值之和時(shí)，第一壓降大于第二壓降，且上拉電流小于下拉電流，第一輸出結(jié)果為低電平信號(hào)；或，當(dāng)待測(cè)目標(biāo)阻值大于第一電阻單元的阻值時(shí)，第一壓降大于第三壓降，且上拉電流小于下拉電流，第二輸出結(jié)果為低電平信號(hào)。

11、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一鏡像單元包括第一mos管，第二鏡像單元包括第二mos管，第三鏡像單元包括第三mos管，偏置模塊包括第三電阻單元和第四電阻單元，第三電阻單元與第一電阻單元的阻值相等，第四電阻單元與第二電阻單元的阻值相等，控制模塊包括第二開關(guān)單元，第二開關(guān)單元與第四電阻單元并聯(lián)連接，且第二開關(guān)單元與第一開關(guān)單元的斷開或閉合狀態(tài)一致；第三電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，第二電阻單元的另一端與第四電阻單元的一端連接，第四電阻單元的另一端與第一mos管的源極連接，第一電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，第一電阻單元的另一端與第二電阻單元的一端連接，第二電阻單元的另一端與第二mos管的源極連接，可變電阻單元的一端與供電電壓的輸出端連接，可變電阻單元的另一端與第三mos管的源極連接，以及第一mos管的源極與第一mos管的柵極端接，且第一mos管的柵極分別與第二mos管的柵極和第三mos管的柵極連接，以使得第一mos管與第二mos管形成第一電流鏡支路并通過第一電流鏡支路向偏置模塊提供參考電流，以及使得第一mos管與第三mos管形成第二電流鏡支路并通過第二電流鏡支路向比較模塊提供參考電流。

12、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述參考模塊包括第四mos管和第五mos管，比較模塊包括第六mos管和第七mos管；第四mos管的漏極與第二mos管的漏極連接，第四mos管的源極與第五mos管的漏極連接，第五mos管的源極與接地端連接，第六mos管的漏極與第三mos管的漏極連接，第六mos管的源極與第七mos管的漏極連接，第七mos管的源極與接地端連接，以及第四mos管的柵極與第六mos管的柵極連接，且第四mos管的柵極與第六mos管的柵極設(shè)有第二驅(qū)動(dòng)電壓，第五mos管的柵極與第七mos管的柵極連接，且第五mos管的柵極和第七mos管的柵極均與第四mos管的漏極連接，以使得第四mos管、第五mos管、第六mos管和第七mos管形成第三電流鏡支路，參考模塊通過第三電流鏡支路向比較模塊提供第二電流或第三電流，以使第二電流或第三電流作為目標(biāo)節(jié)點(diǎn)的下拉電流。

13、在上述第一方面的一種可能的實(shí)現(xiàn)中，上述第一mos管、第二mos管和第三mos管為pmos管，第四mos管、第五mos管、第六mos管和第七mos管為nmos管。

14、第二方面，提供了一種芯片，芯片中形成有如第一方面任一項(xiàng)所述的電路。

15、第三方面，提供了一種電子設(shè)備，該電子設(shè)備包括芯片，芯片中形成有如第一方面任一項(xiàng)所述的電路。