本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法及碲鎘汞芯片。

背景技術(shù)：

1、碲鎘汞是一種制備紅外探測器的重要材料，由于其禁帶寬度可調(diào)，探測光譜范圍由短波波段一直延伸到甚長波波段，其具有光電探測效率高等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于預(yù)警探測、紅外偵察、成像制導(dǎo)等軍事和民事領(lǐng)域。

2、通常在碲鎘汞芯片的表面設(shè)置鈍化膜，比如采用硫化鋅材料在碲鎘汞芯片表面形成鍍層，覆蓋在芯片的表面，起到減少表面復(fù)合、提高芯片穩(wěn)定性、絕緣等作用。為了確保芯片的性能穩(wěn)定，形成含有硫化鋅材料的鈍化膜之后，需要對鈍化膜鈍化質(zhì)量進行檢測。

3、在現(xiàn)有技術(shù)中，為了檢測鈍化膜的鈍化質(zhì)量，一般采用膠帶拉扯法，即，采用膠帶粘貼鈍化膜，并采用傳統(tǒng)物理拉扯的形式，能夠反饋出鈍化膜附著力的好壞，從而能夠間接判斷鈍化膜的膜質(zhì)，但附著力的好壞無法完全代表鈍化膜的膜質(zhì)，且受到膠帶粘接性、拉扯力度等因素影響，會導(dǎo)致評判結(jié)果存在誤差。

4、需要說明的是，公開于該發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對本發(fā)明一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法及碲鎘汞芯片，以解決判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量時，由于受到膠帶粘接性、拉扯力度等因素影響，存在判斷誤差的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，包括：

3、將鈍化膜置于設(shè)定溫度下的腐蝕液中，浸泡設(shè)定的時間，觀察鈍化膜的腐蝕情況，當(dāng)鈍化膜表面無損失，則判定鈍化膜為合格，否則為不合格，其中，所述腐蝕液為堿液，或者堿液與雙氧水的混合液。

4、優(yōu)選地，所述腐蝕液為堿液，且堿液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50％。

5、優(yōu)選地，所述腐蝕液為堿液和雙氧水的混合液，其中，所述堿液與雙氧水的體積比為20:1～30:1。

6、優(yōu)選地，所述腐蝕液通過水浴加熱的方式設(shè)定在80～100℃。

7、優(yōu)選地，所述鈍化膜在腐蝕液中浸泡的時間為10～30min。

8、優(yōu)選地，所述鈍化膜為硫化鋅材料在芯片表面形成的鍍層。

9、優(yōu)選地，所述堿液為氫氧化鉀溶液。

10、基于相同的發(fā)明思想，本發(fā)明還提供了一種碲鎘汞芯片，包括：

11、在芯片的表面生長一層鈍化膜；

12、采用如上述所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法判定所述鈍化膜的鈍化質(zhì)量。

13、優(yōu)選地，所述鈍化膜的材料為硫化鋅。

14、優(yōu)選地，通過化學(xué)沉積的方式在碲鎘汞芯片的表面生長一層鈍化膜。

15、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法具有如下優(yōu)點：

16、本發(fā)明通過將鈍化膜置于設(shè)定溫度下的腐蝕液中，浸泡設(shè)定的時間，觀察鈍化膜的腐蝕情況，當(dāng)鈍化膜表面無損失，則判定鈍化膜為合格，否則為不合格，其中，腐蝕液為堿液，或者堿液與雙氧水的混合液，能夠排除人為因素對鈍化膜鈍化質(zhì)量判定的影響。通過觀察鈍化膜被腐蝕液腐蝕的情況，現(xiàn)象直觀，測試結(jié)果顯著，更為直接說明鈍化膜質(zhì)好壞，測試結(jié)果準(zhǔn)確。

17、本發(fā)明提供的碲鎘汞芯片與本發(fā)明提供的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法屬于同一發(fā)明構(gòu)思，因此，本發(fā)明提供的碲鎘汞芯片至少具有本發(fā)明提供的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法的所有優(yōu)點，能夠直觀判定處鈍化膜質(zhì)量的好壞，判定結(jié)果準(zhǔn)確，確保碲鎘汞芯片性能的穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述腐蝕液為堿液，且堿液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為50％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述腐蝕液為堿液和雙氧水的混合液，其中，所述堿液與雙氧水的體積比為20:1～30:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述腐蝕液通過水浴加熱的方式設(shè)定在80～100℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述鈍化膜在腐蝕液中浸泡的時間為10～30min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述鈍化膜為硫化鋅材料在芯片表面形成的鍍層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法，其特征在于，所述堿液為氫氧化鉀溶液。

8.一種碲鎘汞芯片，其特征在于，包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碲鎘汞芯片，其特征在于，所述鈍化膜的材料為硫化鋅。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的碲鎘汞芯片，其特征在于，通過化學(xué)沉積的方式在碲鎘汞芯片的表面生長一層鈍化膜。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法及碲鎘汞芯片，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。該判斷鈍化膜鈍化質(zhì)量的方法包括將鈍化膜置于設(shè)定溫度下的腐蝕液中，浸泡設(shè)定的時間，觀察鈍化膜的腐蝕情況，當(dāng)鈍化膜表面無損失，則判定鈍化膜為合格，否則為不合格，其中，腐蝕液為堿液，或者堿液與雙氧水的混合液。本發(fā)明通過將鈍化膜置于設(shè)定溫度下的腐蝕液中，浸泡設(shè)定的時間，觀察鈍化膜的腐蝕情況，當(dāng)鈍化膜表面無損失，則判定鈍化膜為合格，否則為不合格，其中，腐蝕液為堿液，或者堿液與雙氧水的混合液，能夠排除人為因素對鈍化膜鈍化質(zhì)量判定的影響。通過觀察鈍化膜被腐蝕液腐蝕的情況，現(xiàn)象直觀，測試結(jié)果顯著，更為直接說明鈍化膜質(zhì)好壞，測試結(jié)果準(zhǔn)確。

技術(shù)研發(fā)人員：丁俊毅,譚必松,宋魯霞,毛劍宏
受保護的技術(shù)使用者：浙江玨芯微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30