1.一種基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，該電路包括：柵極電壓檢測電路、功率源極電壓檢測電路、比較器電路、觸發(fā)器電路、隔離電路和高精度積分保持電路；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，還設(shè)置有用于sic?mosfet結(jié)溫監(jiān)測的補(bǔ)償校準(zhǔn)電路，所述電路包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，所述高精度積分保持電路由電阻r1、r2，電容c1，二極管d1和開關(guān)管s1組成，用于將脈沖寬度為ton,dyn的開通脈沖信號(hào)v3在時(shí)間尺度上進(jìn)行積分，從而將開通脈沖信號(hào)v3轉(zhuǎn)換為積分電壓信號(hào)v4，通過測量該積分電壓信號(hào)v4實(shí)現(xiàn)對(duì)sic?mosfet結(jié)溫的在線測量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，所述比較器1的參考電壓vref1的取值范圍在負(fù)幾百毫伏到0伏之間，所述比較器2的參考電壓vref2的取值范圍在0伏到幾百毫伏之間，所述開通脈沖信號(hào)的脈寬ton,dyn的范圍為幾納秒至幾十納秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，所述高精度積分保持電路中的二極管d1和開關(guān)管s1需選擇漏電流較小的元件，以避免影響該sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路的測量精度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測電路，其特征在于，所述柵極電壓檢測電路和功率源極電壓檢測電路的濾波電容的容量可以根據(jù)實(shí)際應(yīng)用中的脈沖寬度ton,dyn的要求進(jìn)行調(diào)節(jié)，以確保開通脈沖信號(hào)v3的穩(wěn)定性和精確性。
7.一種基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測方法，其特征在于，包括以下步驟：
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測方法，其特征在于，所述步驟5中，開通脈沖信號(hào)v3的積分通過高精度積分保持電路實(shí)現(xiàn)，該電路包括電阻、電容、二極管和開關(guān)管組成，積分過程通過脈沖寬度ton,dyn實(shí)現(xiàn)脈沖信號(hào)到積分電壓信號(hào)的轉(zhuǎn)換；所述步驟4中，開通脈沖信號(hào)v3的脈寬ton,dyn可以通過調(diào)節(jié)柵極電壓檢測電路中的濾波電容的容量來調(diào)整，以確保脈沖信號(hào)寬度的精確性，從而獲得更精確的結(jié)溫測量結(jié)果。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測方法，其特征在于，所述步驟3中的參考電壓vref1的取值范圍在負(fù)幾百毫伏到0伏之間，參考電壓vref2的取值范圍在0伏到幾百毫伏之間，以確保所生成的脈沖信號(hào)v1和v2能夠有效反映sic?mosfet的開通狀態(tài)；所述步驟5中使用漏電流較小的二極管和開關(guān)管，以提高高精度積分保持電路的精度，從而確保結(jié)溫測量的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于開通延遲積分器的sic?mosfet結(jié)溫在線監(jiān)測方法，其特征在于，還包括基于熱電偶的sic?mosfet結(jié)溫監(jiān)測補(bǔ)償校準(zhǔn)方法，包括以下步驟：