本申請涉及新能源,尤其涉及到一種測試裝置與測試方法。
背景技術(shù):
1、隨著世界工業(yè)的高度發(fā)展,傳統(tǒng)化石能源的需求和消耗急劇增大,能源短缺問題成為每個(gè)國家不得不面對的問題之一。水合物由于儲(chǔ)量巨大,能量密度高等特點(diǎn),受到世界各國的廣泛關(guān)注。
2、在水合物應(yīng)用技術(shù)的基礎(chǔ)中,水合物生長和溶解是重要的研究部分。相關(guān)技術(shù)中,大多是基于溫度、壓力變化對水合物生成與溶解進(jìn)程中的宏觀定性描述,難以對關(guān)鍵性參數(shù)(如生成速率、溶解速率)進(jìn)行定量化測量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、鑒于以上內(nèi)容,有必要提供一種測試裝置與測試方法,能夠解決難以對水合物的生成速率與溶解速率進(jìn)行定量化測量的技術(shù)問題。
2、第一方面,本申請實(shí)施例提供一種測試裝置,所述測試裝置包括微米級的反應(yīng)腔、溫度控制設(shè)備、壓力控制設(shè)備以及相態(tài)采集設(shè)備,所述反應(yīng)腔連接所述溫度控制設(shè)備與所述壓力控制設(shè)備;所述反應(yīng)腔用于容納生成水合物的反應(yīng)物質(zhì),所述溫度控制設(shè)備用于控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度,所述壓力控制設(shè)備用于控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,其中,所述溫度控制設(shè)備包括冷熱臺(tái)與溫度控制組件:所述冷熱臺(tái),用于裝載所述反應(yīng)腔;所述溫度控制組件,與所述冷熱臺(tái)連接,用于依據(jù)所述冷熱臺(tái)控制所述反應(yīng)腔的溫度;所述相態(tài)采集設(shè)備,用于采集所述反應(yīng)腔內(nèi)水合物的相態(tài)信息,使得依據(jù)所述相態(tài)信息確定所述水合物的生成速率與溶解速率。
3、在一種可行的實(shí)施例中,所述溫度控制組件包括溫度控制部件與液氮存儲(chǔ)部件,所述液氮存儲(chǔ)部件連接所述冷熱臺(tái)與所述溫度控制部件;所述液氮存儲(chǔ)部件用于存儲(chǔ)液氮,所述溫度控制部件用于控制所述液氮存儲(chǔ)部件釋放液氮至所述冷熱臺(tái),降低所述冷熱臺(tái)的溫度;由所述冷熱臺(tái)傳遞熱量至所述反應(yīng)腔,降低所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度。
4、在一種可行的實(shí)施例中,所述冷熱臺(tái)包括加熱組件,所述加熱組件用于產(chǎn)生熱量,升高所述冷熱臺(tái)的溫度;所述冷熱臺(tái)傳遞熱量至所述反應(yīng)腔,實(shí)現(xiàn)升高所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度。
5、在一種可行的實(shí)施例中,所述壓力控制設(shè)備包括注射組件、控壓組件與高壓管路,所述注射組件用于向所述反應(yīng)腔注射第一液體,所述高壓管路用于連接所述控壓組件與所述反應(yīng)腔,所述高壓管路內(nèi)存儲(chǔ)第二液體;所述控壓組件用于通過控制所述高壓管路內(nèi)的第二液體,控制所述反應(yīng)腔的壓力。
6、在一種可行的實(shí)施例中,所述相態(tài)采集設(shè)備包括拉曼光譜儀、激光器與處理器,所述拉曼光譜儀與所述處理器連接;所述激光器用于照射所述反應(yīng)腔內(nèi)的水合物以產(chǎn)生拉曼光譜,所述拉曼光譜儀用于采集所述拉曼光譜,所述處理器用于依據(jù)所述拉曼光譜確定所述反應(yīng)腔內(nèi)水合物的相態(tài)信息,并依據(jù)所述相態(tài)信息確定所述水合物的生成速率與溶解速率。
7、第二方面,本申請實(shí)施例提供一種測試方法,應(yīng)用于測試裝置,所述測試裝置包括反應(yīng)腔,所述反應(yīng)腔用于容納生成水合物的反應(yīng)物質(zhì),所述反應(yīng)物質(zhì)包括反應(yīng)氣體,所述方法包括:控制所述反應(yīng)腔內(nèi)初始水合物解離為目標(biāo)晶體;控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,使得所述目標(biāo)晶體生長,直至達(dá)到相平衡狀態(tài),得到目標(biāo)水合物;采集所述目標(biāo)晶體的第一相態(tài)信息,并依據(jù)所述第一相態(tài)信息確定所述目標(biāo)晶體的生成速率,以及確定所述反應(yīng)腔內(nèi)所述反應(yīng)氣體的溶解速率,依據(jù)所述溶解速率確定所述反應(yīng)氣體對應(yīng)的進(jìn)籠速率;控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,使得解離所述目標(biāo)水合物;采集所述目標(biāo)水合物的第二相態(tài)信息,并依據(jù)所述第二相態(tài)信息確定所述目標(biāo)水合物的溶解速率。
8、在一種可行的實(shí)施例中,所述測試裝置包括冷熱臺(tái)、液氮存儲(chǔ)部件與加熱組件,所述冷熱臺(tái)用于裝載所述反應(yīng)腔,所述液氮存儲(chǔ)部件與所述冷熱臺(tái)連接,所述控制所述反應(yīng)腔內(nèi)初始水合物解離為目標(biāo)晶體,包括:確定所述反應(yīng)腔的第一控溫速率與第二控溫速率;依據(jù)所述第一控溫速率確定所述液氮存儲(chǔ)部件對應(yīng)的液氮通量,以及依據(jù)所述第二控溫速率確定加熱組件的加熱信息;依據(jù)所述液氮通量,控制所述液氮存儲(chǔ)部件釋放液氮至所述冷熱臺(tái),將所述反應(yīng)腔依據(jù)所述第一控溫速率降溫,使得所述反應(yīng)腔內(nèi)生成所述初始水合物;依據(jù)所述加熱信息,通過所述加熱組件調(diào)節(jié)所述冷熱臺(tái)的溫度,將所述反應(yīng)腔依據(jù)所述第二控溫速率升溫,使得所述初始水合物解離為所述目標(biāo)晶體。
9、在一種可行的實(shí)施例中,所述控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,使得所述目標(biāo)晶體生長,直至達(dá)到相平衡狀態(tài),得到目標(biāo)水合物,包括:向所述反應(yīng)腔內(nèi)注射第一液體;依據(jù)所述第一液體控制所述反應(yīng)腔的壓力,使得所述目標(biāo)晶體生長,直至達(dá)到相平衡狀態(tài),得到目標(biāo)水合物。
10、在一種可行的實(shí)施例中,所述相態(tài)采集設(shè)備包括拉曼光譜儀、激光器與處理器,所述采集所述目標(biāo)晶體的第一相態(tài)信息,并依據(jù)所述第一相態(tài)信息確定所述目標(biāo)晶體的生成速率,包括:通過所述激光器照射所述反應(yīng)腔內(nèi)的目標(biāo)晶體以產(chǎn)生拉曼光譜;通過所述拉曼光譜儀獲取所述拉曼光譜;基于所述拉曼光譜確定所述目標(biāo)晶體的第一相態(tài)信息,并依據(jù)所述第一相態(tài)信息確定所述目標(biāo)晶體的生成速率。
11、在一種可行的實(shí)施例中,所述相態(tài)采集設(shè)備還包括顯微鏡,所述方法還包括:通過所述顯微鏡確定所述反應(yīng)腔內(nèi)的晶體視頻;基于預(yù)設(shè)的圖像識(shí)別模型,確定所述晶體視頻中所述目標(biāo)晶體的生長速率,以及確定所述晶體視頻中所述目標(biāo)水合物的溶解速率。
12、在一種可行的實(shí)施例中,所述確定所述晶體視頻中所述目標(biāo)晶體的生長速率,包括:基于所述圖像識(shí)別模型,確定所述晶體視頻中每幀晶體圖像對應(yīng)所述目標(biāo)晶體的晶體輪廓,得到多個(gè)晶體輪廓;依據(jù)所述多個(gè)晶體輪廓,確定所述目標(biāo)晶體的生長速率。
13、在一種可行的實(shí)施例中,在所述依據(jù)所述多個(gè)晶體輪廓,確定所述目標(biāo)晶體的生長速率之前,所述方法還包括:確定所述反應(yīng)腔的結(jié)構(gòu)信息;若所述結(jié)構(gòu)信息為預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu),則依據(jù)所述多個(gè)晶體輪廓,確定所述目標(biāo)晶體的生長速率;若所述結(jié)構(gòu)信息不為所述預(yù)設(shè)結(jié)構(gòu),則基于所述多個(gè)晶體輪廓,確定多個(gè)晶體體積,并依據(jù)所述多個(gè)晶體體積,確定所述目標(biāo)晶體的生長速率。
14、在本實(shí)施例的測試裝置中,在對反應(yīng)腔內(nèi)溫度進(jìn)行控制時(shí),通過將反應(yīng)腔置于冷熱臺(tái)中,依據(jù)冷熱臺(tái)控制反應(yīng)腔的溫度,由于冷熱臺(tái)的傳熱性能較好,能夠提高溫度控制精度與速率,實(shí)現(xiàn)對水合物生成與溶解過程的精確控制,提高生成速率與溶解速率確定的準(zhǔn)確性;此外,本申請依據(jù)相態(tài)采集設(shè)備采集反應(yīng)腔內(nèi)水合物的相態(tài)信息,之后結(jié)合反應(yīng)腔內(nèi)的溫度壓力等信息,能夠?qū)崿F(xiàn)對水合物的生成速率與溶解速率進(jìn)行定量化測量。
1.一種測試裝置,其特征在于,所述測試裝置包括微米級的反應(yīng)腔、溫度控制設(shè)備、壓力控制設(shè)備以及相態(tài)采集設(shè)備,所述反應(yīng)腔連接所述溫度控制設(shè)備與所述壓力控制設(shè)備;所述反應(yīng)腔用于容納生成水合物的反應(yīng)物質(zhì),所述溫度控制設(shè)備用于控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度,所述壓力控制設(shè)備用于控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,其中,所述溫度控制設(shè)備包括冷熱臺(tái)與溫度控制組件:
2.如權(quán)利要求1所述的測試裝置,其特征在于,所述溫度控制組件包括溫度控制部件與液氮存儲(chǔ)部件,所述液氮存儲(chǔ)部件連接所述冷熱臺(tái)與所述溫度控制部件;所述液氮存儲(chǔ)部件用于存儲(chǔ)液氮,所述溫度控制部件用于控制所述液氮存儲(chǔ)部件釋放液氮至所述冷熱臺(tái),降低所述冷熱臺(tái)的溫度;由所述冷熱臺(tái)傳遞熱量至所述反應(yīng)腔,降低所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度。
3.如權(quán)利要求1所述的測試裝置,其特征在于,所述冷熱臺(tái)包括加熱組件,所述加熱組件用于產(chǎn)生熱量,升高所述冷熱臺(tái)的溫度;所述冷熱臺(tái)傳遞熱量至所述反應(yīng)腔,實(shí)現(xiàn)升高所述反應(yīng)腔內(nèi)的溫度。
4.如權(quán)利要求1所述的測試裝置,其特征在于,所述壓力控制設(shè)備包括注射組件、控壓組件與高壓管路,所述注射組件用于向所述反應(yīng)腔注射第一液體,所述高壓管路用于連接所述控壓組件與所述反應(yīng)腔,所述高壓管路內(nèi)存儲(chǔ)第二液體;所述控壓組件用于通過控制所述高壓管路內(nèi)的第二液體,控制所述反應(yīng)腔的壓力。
5.如權(quán)利要求1所述的測試裝置,其特征在于,所述相態(tài)采集設(shè)備包括拉曼光譜儀、激光器與處理器,所述拉曼光譜儀與所述處理器連接;所述激光器用于照射所述反應(yīng)腔內(nèi)的水合物以產(chǎn)生拉曼光譜,所述拉曼光譜儀用于采集所述拉曼光譜,所述處理器用于依據(jù)所述拉曼光譜確定所述反應(yīng)腔內(nèi)水合物的相態(tài)信息,并依據(jù)所述相態(tài)信息確定所述水合物的生成速率與溶解速率。
6.一種測試方法,應(yīng)用于測試裝置,其特征在于,所述測試裝置包括微米級的反應(yīng)腔,所述反應(yīng)腔用于容納生成水合物的反應(yīng)物質(zhì),所述反應(yīng)物質(zhì)包括反應(yīng)液體與反應(yīng)氣體,所述方法包括:
7.如權(quán)利要求6所述的測試方法,其特征在于,所述測試裝置包括冷熱臺(tái)、液氮存儲(chǔ)部件與加熱組件,所述冷熱臺(tái)用于裝載所述反應(yīng)腔,所述液氮存儲(chǔ)部件與所述冷熱臺(tái)連接,所述控制所述反應(yīng)腔內(nèi)初始水合物解離為目標(biāo)晶體,包括:
8.如權(quán)利要求6所述的測試方法,其特征在于,所述控制所述反應(yīng)腔內(nèi)的壓力,使得所述目標(biāo)晶體生長,直至達(dá)到相平衡狀態(tài),得到目標(biāo)水合物,包括:
9.如權(quán)利要求6所述的測試方法,其特征在于,所述測試裝置包括相態(tài)采集設(shè)備,所述相態(tài)采集設(shè)備包括拉曼光譜儀、激光器與處理器,所述采集所述目標(biāo)晶體的第一相態(tài)信息,并依據(jù)所述第一相態(tài)信息確定所述目標(biāo)晶體的生成速率,包括:
10.如權(quán)利要求6所述的測試方法,其特征在于,所述測試裝置包括相態(tài)采集設(shè)備,所述相態(tài)采集設(shè)備還包括顯微鏡,所述方法還包括:
11.如權(quán)利要求10所述的測試方法,其特征在于,所述確定所述晶體視頻中所述目標(biāo)晶體的生長速率,包括:
12.如權(quán)利要求11所述的測試方法,其特征在于,在所述依據(jù)所述多個(gè)晶體輪廓,確定所述目標(biāo)晶體的生長速率之前,所述方法還包括: