本發(fā)明屬于電力電纜金屬護(hù)層檢測(cè),特別是涉及一種單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)方法及裝置。
背景技術(shù):
1、現(xiàn)有技術(shù)通常都是通過(guò)測(cè)量高壓電壓信號(hào),測(cè)量頻率,測(cè)量脈沖數(shù)量,測(cè)量脈寬等方法進(jìn)行核相測(cè)試,他們都屬于測(cè)量電壓信號(hào),缺點(diǎn)是長(zhǎng)距離傳輸信號(hào)有衰減。電壓信號(hào)的傳輸距離較近,一般要求距離5m,線(xiàn)路電阻值小于1ω,這是因?yàn)殡妷盒盘?hào)易受到傳輸電纜容性的影響而產(chǎn)生遲滯和失真,以及由于沿線(xiàn)的電阻影響產(chǎn)生信號(hào)值衰減失真。盡管電壓信號(hào)傳輸在某些情況下可能更為方便,但由于其局限性,特別是在需要長(zhǎng)距離傳輸或?qū)π盘?hào)質(zhì)量要求較高的應(yīng)用中,電流信號(hào)傳輸通常是更優(yōu)的選擇。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本發(fā)明使用的測(cè)電阻法屬于測(cè)量電流信號(hào),電流信號(hào)傳輸?shù)膬?yōu)點(diǎn)包括抗干擾性強(qiáng)、無(wú)衰減、無(wú)遲滯、適合長(zhǎng)距離傳輸,一般距離可達(dá)500m甚至1000m,且對(duì)電纜的容性和沿線(xiàn)電阻的影響非常小,對(duì)負(fù)載的變化不敏感。此外,電流信號(hào)傳輸還克服了電壓信號(hào)傳輸?shù)囊恍┫拗疲珉妷盒盘?hào)易受到傳輸電纜容性的影響而產(chǎn)生遲滯和失真,以及由于沿線(xiàn)的電阻影響產(chǎn)生信號(hào)值衰減失真。本發(fā)明提供一種單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,具有高電子集成化的、高可靠性的、方便攜帶的、低成本的優(yōu)勢(shì)。
2、本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案。
3、本發(fā)明第一方面提供了單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)方法,
4、在被測(cè)三相電纜三相線(xiàn)頭尾兩端串聯(lián)測(cè)量電阻;通過(guò)信號(hào)發(fā)生與控制單元發(fā)出24v電壓信號(hào)傳輸至被測(cè)三相電纜中,由信號(hào)測(cè)量單元測(cè)量被測(cè)三相電纜的電流值,計(jì)算被測(cè)電纜三相線(xiàn)的電阻值,根據(jù)電阻值判斷核相結(jié)果。
5、優(yōu)選地,被測(cè)三相電纜同一相線(xiàn)的頭尾兩端測(cè)量電阻阻值相同,不同相線(xiàn)之間測(cè)量電阻阻值不同。
6、優(yōu)選地,串聯(lián)在被測(cè)三相電纜頭尾兩端的電阻滿(mǎn)足所有正確相序和所有錯(cuò)誤相序所測(cè)得的電阻阻值不同的條件。
7、本發(fā)明第二方面提供了一種采用上述單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)方法的核相檢測(cè)裝置,包括:
8、中央處理器單元,與其連接的電源單元,以及同時(shí)與中央處理器單元和電源單元連接的信號(hào)發(fā)生與控制單元、信號(hào)測(cè)量單元和顯示單元;中央處理器單元用于控制、接收和處理數(shù)據(jù),電源單元用于為核相檢測(cè)裝置供電,信號(hào)發(fā)生與控制單元用于發(fā)出測(cè)量電阻的電壓信號(hào),信號(hào)測(cè)量單元用于測(cè)量電阻阻值,顯示單元用于顯示測(cè)量結(jié)果;
9、中央處理器單元包括中央處理器電路,電源單元包括電源電路,信號(hào)發(fā)生與控制單元包括信號(hào)發(fā)生電路和信號(hào)控制電路,信號(hào)發(fā)生電路與信號(hào)控制電路連接,信號(hào)測(cè)量單元包括信號(hào)測(cè)量電路,顯示單元包括顯示電路;信號(hào)測(cè)量電路包括測(cè)量電阻和運(yùn)放,測(cè)量電阻與運(yùn)放的輸入端串接。
10、優(yōu)選地,中央處理器電路包括單片機(jī),以及與其連接的晶振電路、復(fù)位電路和通信接口電路;晶振電路用于為單片機(jī)提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),確保單片機(jī)各部分的同步運(yùn)行;復(fù)位電路用于當(dāng)系統(tǒng)出現(xiàn)異?;蛐枰匦聠?dòng)時(shí),使單片機(jī)回到初始狀態(tài);通信接口電路用于允許單片機(jī)與其他電路進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)間的通信。
11、優(yōu)選地,電源電路包括開(kāi)關(guān)電路和電源轉(zhuǎn)換電路,開(kāi)關(guān)電路與電源轉(zhuǎn)換電路連接,開(kāi)關(guān)電路用于控制核相檢測(cè)裝置的電源通斷,電源轉(zhuǎn)換電路用于將開(kāi)關(guān)電路中提供的電壓轉(zhuǎn)換為所需數(shù)值。
12、優(yōu)選地,開(kāi)關(guān)電路包括開(kāi)關(guān)三極管、mos管和供電電池,開(kāi)關(guān)三極管集電極與mos管柵極連接,mos管源極與供電電池連接,mos管漏極輸出第一供電電壓,開(kāi)關(guān)三極管用于控制mos管的導(dǎo)通與關(guān)斷。
13、優(yōu)選地,電源轉(zhuǎn)換電路包括電源轉(zhuǎn)換芯片,電源轉(zhuǎn)換芯片輸入端與mos管漏極連接,由mos管漏極提供第一供電電壓,電源轉(zhuǎn)換芯片輸出端用于輸出第二供電電壓。
14、優(yōu)選地,信號(hào)發(fā)生電路包括驅(qū)動(dòng)芯片、光耦和直流隔離電源,驅(qū)動(dòng)芯片與光耦連接;光耦與直流隔離電源連接。
15、優(yōu)選地,信號(hào)測(cè)量電路包括測(cè)量電阻和運(yùn)放,測(cè)量電阻與運(yùn)放的輸入端串接;
16、顯示電路包括通信芯片和屏幕,通信芯片與屏幕電連接,通信芯片用于傳輸數(shù)據(jù)。本發(fā)明的有益效果在于,與現(xiàn)有技術(shù)相比,
17、本發(fā)明采用了測(cè)量電流信號(hào)的技術(shù),通過(guò)信號(hào)發(fā)生電路產(chǎn)生24v的電壓信號(hào),通過(guò)信號(hào)控制電路分別將電壓信號(hào)送入被測(cè)電纜中,首先將被測(cè)電纜的護(hù)層接地全部斷開(kāi),在電纜的輸入端分別串聯(lián)三個(gè)不同阻值的電阻,輸出端也串聯(lián)三個(gè)不同的電阻,經(jīng)過(guò)交叉互聯(lián)后,測(cè)得經(jīng)過(guò)三相電纜中的電流,計(jì)算出電阻,從而達(dá)到核相的目的,由于電流信號(hào)傳輸干擾性強(qiáng)、無(wú)衰減、無(wú)遲滯、適合長(zhǎng)距離傳輸,極大避免外界干擾,測(cè)量準(zhǔn)確度高達(dá)100%。
1.一種單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè),其特征在于:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核相檢測(cè)方法,其特征在于:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的核相檢測(cè)方法,其特征在于:
4.采用權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)方法的核相檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于:
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于:
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于:
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單芯電纜金屬護(hù)層連接核相檢測(cè)裝置,其特征在于: