1.一種基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述步驟s1中光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移為面內(nèi)光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移或面外光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移；
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述入射光水平偏振分量的反射系數(shù)rp和入射光垂直偏振分量的反射系數(shù)rs通過(guò)菲涅爾方程得到：
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述確定出被測(cè)薄膜的折射率和厚度的方法為：計(jì)算理論數(shù)據(jù)和測(cè)量數(shù)據(jù)的殘差平方和，將理論數(shù)據(jù)和測(cè)量數(shù)據(jù)的殘差平方和最小時(shí)對(duì)應(yīng)的薄膜厚度和折率作為被測(cè)薄膜厚度和折率的測(cè)量值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述某入射角為0°至90°中的任一角度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述前選擇角為-90°至90°中的任一偏振角度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述后選擇角為-180°至180°中的任一偏振角度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述薄膜為任意材質(zhì)薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述薄膜為單層或多層結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基于光子自旋分裂弱測(cè)量放大位移測(cè)量薄膜厚度和折射率的方法，其特征在于，所述測(cè)量被測(cè)薄膜的折射率和厚度的一種弱測(cè)量系統(tǒng)包括：激光器(1)、半波片(2)、偏振片ⅰ(3)、聚焦透鏡(4)、樣品臺(tái)(6)、偏振片ⅱ(7)、成像裝置(8)、計(jì)算機(jī)(9)，其中，激光器(1)、半波片(2)、偏振片ⅰ(3)、聚焦透鏡(4)的中心處于同一直線且在樣品臺(tái)(6)的入射光線上，偏振片ⅱ(7)設(shè)置在樣品臺(tái)(6)的反射光線上且與成像裝置(8)的中心處于同一直線，成像裝置(8)與計(jì)算機(jī)(9)連接。