本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片測試方法及裝置。

背景技術(shù)：

1、隨著無線通訊設(shè)備的日益普及與技術(shù)的迭代升級，設(shè)備內(nèi)部功能器件的數(shù)量大幅增多，這些功能器件工作時(shí)會產(chǎn)生一定頻譜的電磁波，這些電磁波又會以相同的頻譜輻射其他的功能器件，產(chǎn)生電磁干擾(emi)。射頻模組(rf?module)器件須有效隔離自身工作時(shí)產(chǎn)生的電磁波，以限制它們對臨近功能器件的干擾，避免臨近功能器件性能的下降。

2、目前射頻模組的測試方式主要分為三類：托盤測試、轉(zhuǎn)塔測試以及基板測試，但以上工藝在微小尺寸電磁屏蔽模組的測試中存在低精度、低效率以及高質(zhì)量隱患等問題。

3、具體的，托盤測試可應(yīng)用于較大尺寸電磁屏蔽模組的測試，當(dāng)產(chǎn)品尺寸小于3mmx3mm時(shí)，測試精度、效率會明顯降低，并且最小尺寸僅支持2x2mm以上產(chǎn)品測試，設(shè)備的測試精度依賴于硬件調(diào)試，并且依靠測試板導(dǎo)向塊來限制接觸點(diǎn)的偏移量，精度為±20μm，測試精度較差。

4、轉(zhuǎn)塔測試可應(yīng)用于微小尺寸電磁屏蔽模組的測試，但散裝物料在導(dǎo)入過程中與會設(shè)備摩擦，存在電磁屏蔽罩損傷的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)，會導(dǎo)致測試良率降低，設(shè)備的測試精度依賴于硬件調(diào)試，并且依靠測試板導(dǎo)向塊來限制接觸點(diǎn)的偏移量，精度為±20μm，測試精度較差。

5、基板測試可應(yīng)用于微小尺寸模組的測試，測試前由相機(jī)精確定位，理論精度達(dá)到±2μm，但當(dāng)前工藝不支持物料的翻轉(zhuǎn)，因此不支持封裝的鍍膜工藝，無法對產(chǎn)品添加磁控屏蔽罩，無法使產(chǎn)品具有電磁屏蔽的功能，會導(dǎo)致測試良率降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體芯片測試方法及裝置，可以提高芯片的測試精度、測試良率和測試效率。

2、根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種半導(dǎo)體芯片測試方法，包括：

3、確定多個(gè)待測芯片中具有良品標(biāo)識的一個(gè)待測芯片；待測芯片包括相對設(shè)置的第一面和塑封面；多個(gè)待測芯片位于第一承載膜上，且多個(gè)待測芯片的第一面裸露；

4、將待測芯片進(jìn)行第一次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的塑封面裸露；

5、確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片的狀態(tài)；

6、在第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉(zhuǎn)移至第二承載膜；在第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片為次品；

7、在所有無缺陷的待測芯片轉(zhuǎn)移至第二承載膜后，將第二承載膜上的所有待測芯片的塑封面遠(yuǎn)離第一面的表面形成電磁屏蔽層；電磁屏蔽層覆蓋塑封面；

8、將具有電磁屏蔽層的一個(gè)待測芯片進(jìn)行第二次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的第一面裸露；

9、確定第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片的狀態(tài)；

10、在第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉(zhuǎn)移至第三承載膜；在第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片為次品；

11、在所有無缺陷的待測芯片轉(zhuǎn)移至第三承載膜后，對第三承載膜上的待測芯片進(jìn)行測試。

12、可選的，半導(dǎo)體芯片測試裝置包括傳送機(jī)構(gòu)和檢測相機(jī)；確定多個(gè)待測芯片中具有良品標(biāo)識的一個(gè)待測芯片之前，還包括：

13、將基板切割成多個(gè)待測芯片，記錄每一待測芯片的身份信息，身份信息包括良品標(biāo)識、次品標(biāo)識以及在基板上的位置信息；

14、將多個(gè)待測芯片放置于上料區(qū)；

15、通過傳送機(jī)構(gòu)將多個(gè)待測芯片轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)區(qū)。

16、可選的，半導(dǎo)體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機(jī)；將待測芯片進(jìn)行第一次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的塑封面裸露，包括：

17、將頂針臺固定至待測芯片的第一承載膜；

18、將分揀機(jī)中的吸嘴固定至待測芯片的第一面；

19、通過頂針臺將待測芯片與第一承載膜進(jìn)行分離；

20、通過分揀機(jī)中的吸嘴將待測芯片進(jìn)行第一次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的塑封面裸露。

21、可選的，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片的狀態(tài)，包括：

22、確定待測芯片的塑封面的狀態(tài)；

23、在待測芯片的塑封面無缺陷的情況下，確定待測芯片的位置；在待測芯片有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品；

24、在待測芯片的位置無偏移的情況下，確定待測芯片的側(cè)面的狀態(tài)；在待測芯片的位置有偏移的情況下，確定待測芯片為次品；

25、在待測芯片的側(cè)面無缺陷的情況下，確定待測芯片的第一面的狀態(tài)；在待測芯片的側(cè)面有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品；

26、在待測芯片的第一面無缺陷的情況下，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷；在待測芯片的第一面有缺陷的情況下，確定待測芯片為次品。

27、可選的，在第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉(zhuǎn)移至第二承載膜；在第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片為次品之后，還包括：

28、記錄待測芯片在第二承載膜上的位置信息。

29、可選的，將第二承載膜上的所有待測芯片的塑封面遠(yuǎn)離第一面的表面形成電磁屏蔽層，包括：

30、通過鍍膜工藝將第二承載膜上的待測芯片的塑封面遠(yuǎn)離第一面的表面形成電磁屏蔽層。

31、可選的，半導(dǎo)體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機(jī)；將具有電磁屏蔽層的一個(gè)待測芯片進(jìn)行第二次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的第一面裸露，包括：

32、將頂針臺固定至待測芯片的第二承載膜；

33、將分揀機(jī)中的吸嘴固定至待測芯片的電磁屏蔽層；

34、通過頂針臺將待測芯片與第二承載膜進(jìn)行分離；

35、通過分揀機(jī)中的吸嘴將待測芯片進(jìn)行第二次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的第一面裸露。

36、可選的，在通過頂針臺將待測芯片與第二承載膜進(jìn)行分離之后，還包括：

37、對待測芯片進(jìn)行清洗。

38、可選的，在所有無缺陷的待測芯片轉(zhuǎn)移至第三承載膜后，對第三承載膜上的待測芯片進(jìn)行測試之后，還包括：

39、記錄第三承載膜上的待測芯片的測試數(shù)據(jù)。

40、根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體芯片測試裝置，采用本發(fā)明任意實(shí)施例所述的半導(dǎo)體芯片測試方法進(jìn)行測試。

41、本發(fā)明實(shí)施例在現(xiàn)有基板測試的基礎(chǔ)上，在基板切割工序之后增加對待測芯片翻轉(zhuǎn)的步驟，使待測芯片的塑封面朝上，然后對塑封面進(jìn)行鍍膜工序，使得電磁屏蔽層覆蓋塑封面，并在鍍膜工序后再次翻轉(zhuǎn)待測芯片，使得待測芯片的第一面朝上，之后對待測芯片進(jìn)行測試，可以使得基板測試中的待測芯片具有電磁屏蔽的功能，可以提高測試芯片的測試良率，提升良率約38％；并且對每次翻轉(zhuǎn)的待測芯片的狀態(tài)進(jìn)行檢測，可以刷選出有缺陷的待測芯片，并且標(biāo)記為次品，可以提高待測芯片的測試效率，提升效率約28％，且測試的精度可以從±20μm提升至±2μm。

42、應(yīng)當(dāng)理解，本部分所描述的內(nèi)容并非旨在標(biāo)識本發(fā)明的實(shí)施例的關(guān)鍵或重要特征，也不用于限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，半導(dǎo)體芯片測試裝置包括傳送機(jī)構(gòu)和檢測相機(jī)；確定多個(gè)所述待測芯片中具有良品標(biāo)識的一個(gè)待測芯片之前，還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，半導(dǎo)體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機(jī)；將所述待測芯片進(jìn)行第一次翻轉(zhuǎn)，使得所述待測芯片的塑封面裸露，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的所述待測芯片的狀態(tài)，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，在第一次翻轉(zhuǎn)后的所述待測芯片無缺陷的情況下，將所述待測芯片轉(zhuǎn)移至第二承載膜；在第一次翻轉(zhuǎn)后的所述待測芯片有缺陷的情況下，確定第一次翻轉(zhuǎn)后的所述待測芯片為次品之后，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，將所述第二承載膜上的所有所述待測芯片的塑封面遠(yuǎn)離所述第一面的表面形成電磁屏蔽層，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片測試裝置包括頂針臺和分揀機(jī)；將具有電磁屏蔽層的一個(gè)所述待測芯片進(jìn)行第二次翻轉(zhuǎn)，使得所述待測芯片的第一面裸露，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，在通過頂針臺將所述待測芯片與所述第二承載膜進(jìn)行分離之后，還包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片測試方法，其特征在于，在所有無缺陷的待測芯片轉(zhuǎn)移至第三承載膜后，對所述第三承載膜上的所述待測芯片進(jìn)行測試之后，還包括：

10.一種半導(dǎo)體芯片測試裝置，其特征在于，采用權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片測試方法進(jìn)行測試。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片測試方法及裝置，測試方法包括：確定多個(gè)待測芯片中具有良品標(biāo)識的一個(gè)待測芯片；將待測芯片進(jìn)行第一次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的塑封面裸露；確定第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片的狀態(tài)；在第一次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉(zhuǎn)移至第二承載膜；將第二承載膜上的所有待測芯片的塑封面的表面形成電磁屏蔽層；將其中一個(gè)待測芯片進(jìn)行第二次翻轉(zhuǎn)，使得待測芯片的第一面裸露；確定第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片的第二狀態(tài)；在第二次翻轉(zhuǎn)后的待測芯片無缺陷的情況下，將待測芯片轉(zhuǎn)移至第三承載膜；對第三承載膜上的待測芯片進(jìn)行測試。本發(fā)明可以提高芯片的測試精度、測試良率和測試效率。

技術(shù)研發(fā)人員：董繼明,趙永欣,張永輝,高在旭,馬偉楠,王雪峰,王凱文,孫文斌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：威訊聯(lián)合半導(dǎo)體（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9