本申請涉及半導體檢測，特別是涉及一種閾值電壓變化量確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、隨著半導體制造技術(shù)不斷提高，集成電路向著高集成度，高性能，低功耗和多功能的方向發(fā)展。這得益于構(gòu)成其基本單元的mosfet（metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）器件特征尺寸的不斷縮小。然而隨著mosfet器件尺寸的減小，柵氧化層中的電場強度逐漸增大，導致mosfet器件的nbti效應（negative?bias?temperature?instability，負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應）越來越嚴重。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，可通過在線測量法實現(xiàn)獲取目標設備對應的檢測電流值，但是，由于測量得到的檢測電流值已經(jīng)是nbti應力退化后的結(jié)果，因此，檢測電流值的準確性較低，無法準確獲取目標設備針對負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應nbti退化的閾值電壓變化量。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述技術(shù)問題，提供一種能夠準確獲取目標設備針對負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應nbti退化的閾值電壓變化量的閾值電壓變化量確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环N閾值電壓變化量確定方法。所述方法包括：

3、將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓；

4、根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量。

5、在其中一個實施例中，所述候選電壓包括應力電壓；

6、所述將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓，包括：

7、將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至應力電壓；

8、在所述目標設備的柵極電壓達到所述應力電壓后對所述目標設備進行電流檢測，得到所述測試電壓對應的檢測電流值中的第一電流值；

9、將所述目標設備的柵極電壓從所述應力電壓恢復至放電電壓。

10、在其中一個實施例中，所述根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量，包括：

11、根據(jù)所述檢測電流值中的第一電流值進行閾值電壓分析，得到目標設備針對負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應nbti退化的閾值電壓變化量。

12、在其中一個實施例中，所述候選電壓包括至少一個測試電壓；

13、所述將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓，包括：

14、按照各所述測試電壓由小到大的順序，分別將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至各所述測試電壓，并在所述目標設備的柵極電壓達到各所述測試電壓后對所述目標設備進行電流檢測，得到各所述測試電壓對應的檢測電流值中的至少一個第二電流值；

15、在得到第二電流值后將所述目標設備的柵極電壓從相應的所述測試電壓恢復至放電電壓。

16、在其中一個實施例中，所述按照各所述測試電壓由小到大的順序，分別將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至各所述測試電壓，并在所述目標設備的柵極電壓達到各所述測試電壓后對所述目標設備進行電流檢測，得到各所述測試電壓對應的檢測電流值中的至少一個第二電流值，包括：

17、若存在未確定第二電流值的測試電壓，則按照各所述測試電壓由小到大的順序，將未確定第一電流值的最小測試電壓作為目標電壓，并將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至目標電壓；

18、在所述目標設備的柵極電壓達到所述目標電壓后對所述目標設備進行電流檢測，得到所述目標電壓對應的第二電流值。

19、在其中一個實施例中，所述應力電壓大于至少一個測試電壓中的最大測試電流。

20、第二方面，本申請還提供了一種閾值電壓變化量確定裝置。所述裝置包括：

21、第一確定模塊，用于將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓；

22、第二確定模塊，用于根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量。

23、第三方面，本申請還提供了一種計算機設備。所述計算機設備包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)以下步驟：

24、將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓；

25、根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量。

26、第四方面，本申請還提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì)。所述計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)以下步驟：

27、將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓；

28、根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量。

29、第五方面，本申請還提供了一種計算機程序產(chǎn)品。所述計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)以下步驟：

30、將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將所述目標設備的柵極電壓從所述候選電壓恢復至放電電壓；

31、根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量。

32、上述閾值電壓變化量確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)，通過將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，以實現(xiàn)獲取檢測電流值，并且本申請在確定檢測電流值后，會將目標設備的柵極電壓從候選電壓恢復至放電電壓，因此，使得本申請在最終獲取應力電壓對應的電流值時，減少了受到缺陷充電的影響，提高了檢測電流值確定的準確性，防止出現(xiàn)檢測電流值被低估的情況，為后續(xù)確定閾值電壓變化量提供準確的數(shù)據(jù)基礎；進而，本申請在通過根據(jù)檢測電流值，確定目標設備對應的閾值電壓變化量后，使得閾值電壓變化量能夠準確反應負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應退化情況，使得nbti退化更符合目標設備的實際情況。

技術(shù)特征：

1.一種閾值電壓變化量確定方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述候選電壓包括應力電壓；

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述檢測電流值，確定所述目標設備對應的閾值電壓變化量，包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述候選電壓包括至少一個測試電壓；

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述按照各所述測試電壓由小到大的順序，分別將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至各所述測試電壓，并在所述目標設備的柵極電壓達到各所述測試電壓后對所述目標設備進行電流檢測，得到各所述測試電壓對應的檢測電流值中的至少一個第二電流值，包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，應力電壓大于至少一個測試電壓中的最大測試電流。

7.一種閾值電壓變化量確定裝置，其特征在于，所述裝置包括：

8.一種計算機設備，包括存儲器和處理器，所述存儲器存儲有計算機程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

9.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

10.一種計算機程序產(chǎn)品，包括計算機程序，其特征在于，該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及半導體檢測技術(shù)領域，特別是涉及一種閾值電壓變化量確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。方法包括：將目標設備的柵極電壓從放電電壓增加至候選電壓，確定目標設備的柵極電壓達到候選電壓后對應的檢測電流值，并將目標設備的柵極電壓從候選電壓恢復至放電電壓；根據(jù)檢測電流值，確定目標設備對應的閾值電壓變化量。本申請獲取應力電壓對應的電流值時，減少了受到缺陷充電的影響，提高了檢測電流值確定的準確性，防止出現(xiàn)檢測電流值被低估的情況，為后續(xù)確定閾值電壓變化量提供準確的數(shù)據(jù)基礎，使得閾值電壓變化量能夠準確反應負偏壓溫度不穩(wěn)定性效應退化情況，使得NBTI退化更符合目標設備的實際情況。

技術(shù)研發(fā)人員：高汭,李潮,章曉文,何玉娟,林曉玲,王力緯
受保護的技術(shù)使用者：中國電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗研究所（（工業(yè)和信息化部電子第五研究所）（中國賽寶實驗室））
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2