本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，特別是涉及一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法及相關(guān)產(chǎn)品。

背景技術(shù)：

1、碳化硅是一種具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高熱導(dǎo)率、高電子飽和率以及強(qiáng)抗輻射能力的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于高溫、高頻以及大功率電子器件的制造。碳化硅拋光片是通過對(duì)碳化硅晶棒進(jìn)行切割、研磨和拋光等多道工序生成的，工藝本身生產(chǎn)周期長(zhǎng)且成本較高，還常常伴隨著崩邊。

2、現(xiàn)有的碳化硅拋光片的檢測(cè)方法多為人工目檢，由人工持片在強(qiáng)光燈下進(jìn)行目視檢測(cè)，常常會(huì)因?yàn)槿藛T目檢時(shí)的持片角度不同，而造成缺陷的漏檢和誤檢，且人肉眼在高強(qiáng)光下長(zhǎng)時(shí)間工作容易產(chǎn)生視覺疲勞，從而導(dǎo)致檢測(cè)效率和檢測(cè)精度較低的問題。

3、因此，如何提高碳化硅拋光片崩邊檢測(cè)的檢測(cè)效率和檢測(cè)精度，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于上述問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法及相關(guān)產(chǎn)品，基于崩邊檢測(cè)模型對(duì)碳化硅拋光片進(jìn)行全自動(dòng)的崩邊檢測(cè)，解決了人工目視時(shí)對(duì)人眼帶來危害的同時(shí)，提高了檢測(cè)效率和檢測(cè)精度。

2、第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法，包括：

3、將待檢測(cè)拋光片的第一平面朝上放置在載片臺(tái)上；

4、基于光源對(duì)所述第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像；

5、基于崩邊檢測(cè)模型，將所述第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄。

6、可選的，所述基于光源對(duì)所述第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像，包括：

7、控制照射所述檢測(cè)拋光片的明場(chǎng)光源和透射光源進(jìn)行頻閃；

8、按照預(yù)設(shè)算法采樣步長(zhǎng)，在每次曝光時(shí)利用高精度相機(jī)對(duì)所述第一平面的不同區(qū)域進(jìn)行圖像采集，并將采集到的圖像集作為第一待測(cè)圖像。

9、可選的，所述崩邊檢測(cè)模型是通過人工智能，利用崩邊圖像進(jìn)行訓(xùn)練得到的；

10、所述崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中記錄了不同真實(shí)崩邊的崩邊圖像以及各個(gè)真實(shí)崩邊對(duì)應(yīng)的崩邊特征。

11、可選的，所述基于崩邊檢測(cè)模型，將所述第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄，包括：

12、從所述第一待測(cè)圖像中篩選處于外圍，且包含所述待檢測(cè)拋光片邊緣的圖像作為目標(biāo)待測(cè)圖像；

13、基于崩邊檢測(cè)模型提取所述目標(biāo)檢測(cè)圖像的特征信息；

14、將所述特征信息與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中預(yù)存的崩邊圖像的崩邊特征進(jìn)行特征比對(duì)，并得到比對(duì)結(jié)果；

15、基于所述比對(duì)結(jié)果，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊，并進(jìn)行記錄。

16、可選的，所述方法還包括：

17、通過明場(chǎng)與透射通道成像確定所述第一真實(shí)崩邊的位置；

18、所述位置包括第一平面和第二平面；所述第二平面為所述第一平面的另一面。

19、可選的，所述方法還包括：

20、基于像素?cái)?shù)法計(jì)算所述第一真實(shí)崩邊的尺寸，并將所述尺寸進(jìn)行記錄。

21、可選的，所述方法還包括：

22、確定所述待檢測(cè)拋光片對(duì)應(yīng)的崩邊數(shù)量；

23、基于所述崩邊數(shù)量以及所述第一真實(shí)崩邊的尺寸，結(jié)合預(yù)設(shè)尺寸和數(shù)量閾值為所述待檢測(cè)拋光片劃分等級(jí)。

24、第二方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)裝置，包括：

25、搬運(yùn)模塊，用于將待檢測(cè)拋光片的第一平面朝上放置在載片臺(tái)上；

26、采集模塊，用于基于光源對(duì)所述第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像；

27、檢測(cè)模塊，用于基于崩邊檢測(cè)模型，將所述第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄。

28、第三方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)設(shè)備，包括：

29、存儲(chǔ)器，用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)程序；

30、處理器，用于執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)如上所述碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法的步驟。

31、第四方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上所述碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法的步驟。

32、從以上技術(shù)方案可以看出，相較于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

33、本申請(qǐng)首先將待檢測(cè)拋光片的第一平面朝上放置在載片臺(tái)上。然后基于光源對(duì)第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像。最后基于崩邊檢測(cè)模型，將第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄。如此，基于崩邊檢測(cè)模型對(duì)碳化硅拋光片進(jìn)行全自動(dòng)的崩邊檢測(cè)，解決了人工目視時(shí)對(duì)人眼帶來危害的同時(shí)，提高了檢測(cè)效率和檢測(cè)精度。

技術(shù)特征：

1.一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于光源對(duì)所述第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像，包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述崩邊檢測(cè)模型是通過人工智能，利用崩邊圖像進(jìn)行訓(xùn)練得到的；

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于崩邊檢測(cè)模型，將所述第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄，包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

8.一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)裝置，其特征在于，包括：

9.一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)設(shè)備，其特征在于，包括：

10.一種可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其特征在于，所述可讀存儲(chǔ)介質(zhì)上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了一種碳化硅拋光片崩邊的檢測(cè)方法及相關(guān)產(chǎn)品，可應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：將待檢測(cè)拋光片的第一平面朝上放置在載物臺(tái)上；基于光源對(duì)所述第一平面進(jìn)行圖像采集，得到第一待測(cè)圖像；基于崩邊檢測(cè)模型，將所述第一待測(cè)圖像與崩邊數(shù)據(jù)庫(kù)中的崩邊圖像進(jìn)行特征比對(duì)，確定并抓取所述待檢測(cè)拋光片上的第一真實(shí)崩邊進(jìn)行記錄。如此，基于崩邊檢測(cè)模型對(duì)碳化硅拋光片進(jìn)行全自動(dòng)的崩邊檢測(cè)，解決了人工目視時(shí)對(duì)人眼帶來危害的同時(shí)，提高了檢測(cè)效率和檢測(cè)精度。

技術(shù)研發(fā)人員：萬(wàn)巧巧,佘宗靜,鄒宇,張平,婁艷芳,王波,彭同華,楊建
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9