本發(fā)明屬于薄膜測試領(lǐng)域，涉及一種確定sacvd薄膜q-time的方法。

背景技術(shù)：

1、sa?usg/bpsg作為第一層物理介質(zhì)相關(guān)子層以及金屬層間介電層在集成電路制造中有著廣泛的應(yīng)用。二氧化硅原有的有序網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)由于硼磷雜質(zhì)(b2o3、p2o5)的加入而變得疏松，在高溫條件下某種程度上具有像液體一樣的流動能力。因此，bpsg薄膜具有卓越的填孔能力，并且能夠提高整個硅片表面的平坦化，從而為光刻及后道工藝提供更大的工藝范圍應(yīng)用。但是正因usg/bpsg?膜質(zhì)疏松多孔，長時間暴露在空氣中，會迅速吸水造成薄膜性能出現(xiàn)大的偏差，因此要在短時間內(nèi)對usg/bpsg薄膜進(jìn)行處理。目前業(yè)界對該“短時間（q-time）”還沒有明確定義，q-time時間過長會導(dǎo)致薄膜失效，過短會導(dǎo)致機(jī)臺連續(xù)出貨延遲以及停機(jī)成本提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本申請?zhí)峁┮环N確定sacvd薄膜q-time的方法，該方法可以為sacvd薄膜的q-time進(jìn)行量化，準(zhǔn)確確定q-time的數(shù)值，從而對sacvd薄膜的處理時機(jī)進(jìn)行指導(dǎo)，避免生產(chǎn)過程中sacvd薄膜失效，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

2、為達(dá)到上述技術(shù)效果，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案。

3、本發(fā)明提供一種確定sacvd（次常壓化學(xué)氣相沉積）薄膜q-time的方法，該方法包括：

4、（1）使用sacvd制備薄膜后，對薄膜進(jìn)行第一應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第一靜置；

5、（2）第一靜置后進(jìn)行第二應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第二靜置；

6、（3）第二靜置后進(jìn)行第三應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第三靜置；

7、依此類推，第n靜置后，進(jìn)行第n應(yīng)力測試，n≥2，n≥3；第n應(yīng)力測試后，繪制應(yīng)力隨時間變化曲線，根據(jù)該曲線確定q-time；

8、根據(jù)所述曲線確定q-time的方法包括根據(jù)不同靜置時間下的應(yīng)力變化數(shù)據(jù)，確定應(yīng)力波動在±20mpa所對應(yīng)時間即為q-time。

9、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，使用sacvd制備的薄膜包括sa?usg（未摻雜硅玻璃）薄膜或sa?bpsg（硼磷硅玻璃）薄膜。

10、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，薄膜制備完成后，立即對薄膜進(jìn)行第一應(yīng)力測試，第一應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t1=0。

11、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，惰性氣氛包括氮?dú)?、氬氣或氦氣中的任意一種或至少兩種的組合。

12、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，記錄第一靜置的時間τ1，第二應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t2=τ1。

13、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，記錄第二靜置的時間τ2，所述第三應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t3=τ1+τ2。

14、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，記錄第n靜置的時間τn，第n應(yīng)力測試對應(yīng)的時間tn=τ1+τ2+……+τn。

15、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，第一應(yīng)力測試至所第n應(yīng)力測試使用的應(yīng)力測試方法相同。

16、作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，第一靜置至所第n靜置的惰性氣氛環(huán)境相同。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明至少具有以下有益效果。

18、本發(fā)明提供一種確定sacvd薄膜q-time的方法，該方法可以為sacvd薄膜的?q-time進(jìn)行量化，準(zhǔn)確確定q-time的數(shù)值，從而對sacvd薄膜的處理時機(jī)進(jìn)行指導(dǎo)，避免生產(chǎn)過程中sacvd薄膜失效，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)特征：

1.一種確定sacvd薄膜q-time的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，使用sacvd制備的所述薄膜包括sa?usg薄膜或sa?bpsg薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜制備完成后，立即對所述薄膜進(jìn)行第一應(yīng)力測試，所述第一應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t1=0。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述惰性氣氛包括氮?dú)?、氬氣或氦氣中的任意一種或至少兩種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，記錄所述第一靜置的時間τ1，所述第二應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t2=τ1。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，記錄所述第二靜置的時間τ2，所述第三應(yīng)力測試對應(yīng)的時間t3=τ1+τ2。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，記錄所述第n靜置的時間τn，所述第n應(yīng)力測試對應(yīng)的時間tn=τ1+τ2+……+τn。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一應(yīng)力測試至所述第n應(yīng)力測試使用的應(yīng)力測試方法相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一靜置至所述第n靜置的惰性氣氛環(huán)境相同。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種確定SACVD薄膜Q?time的方法，該方法包括：使用SACVD制備薄膜后，對薄膜進(jìn)行第一應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第一靜置；第一靜置后進(jìn)行第二應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第二靜置；第二靜置后進(jìn)行第三應(yīng)力測試，完成后將薄膜置于惰性氣氛環(huán)境中進(jìn)行第三靜置；第n靜置后，進(jìn)行第N應(yīng)力測試，n≥2，N≥3；第N應(yīng)力測試后，繪制應(yīng)力隨時間變化曲線，根據(jù)該曲線確定Q?time。該方法可以為SACVD薄膜的Q?time進(jìn)行量化，準(zhǔn)確確定Q?time的數(shù)值，從而對SACVD薄膜的處理時機(jī)進(jìn)行指導(dǎo)，避免生產(chǎn)過程中SACVD薄膜失效，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：石義,李康康,穆洪楊,劉丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無錫邑文微電子科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26