1.一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.根據權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述真空紫外光電子能譜系統(tǒng)所用光源為紫外光，能量為21.22?ev；所述反光電子能譜系統(tǒng)的所用電子加速電壓可調連續(xù)能量為5~50?ev。
3.根據權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述校準完后的費米能級ef為0?ev，正方向指向芯能級。
4.根據權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述標定步驟中的所述標準樣品為純金屬ni。
5.根據權利要求2所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述測試步驟中，應用真空紫外光電子能譜系統(tǒng)，采集待測半導體薄膜材料的紫外光電子能譜譜圖，進行二次電子截止邊位置的測定時施加-5~-10?ev的偏壓p。
6.根據權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述測試步驟中獲得其相對于費米能級ef的二次電子截止邊能量位置ecut-off，包括：
7.根據權利要求5所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述功函數wf為電子從費米能級到達真空能級evac所需最小能量，wf=21.22-[ecut-off-p]。
8.根據權利要求1所述的一種測量半導體薄膜材料第一電子親和勢的方法，其特征在于，所述測試步驟中獲得其相對于費米能級ef的導帶底位置ecbm或最低未占據分子軌道位置elumo；包括：