本技術(shù)涉及電子，尤其涉及一種直流電流測試結(jié)構(gòu)以及電子器件。

背景技術(shù)：

1、直流電流測試結(jié)構(gòu)是根據(jù)檢測直流電流通過電阻時在電阻兩端產(chǎn)生電壓的原理構(gòu)建的，屬于直接式檢測法,測量電流的上限一般不能太大,電阻上直接得到的電信號是量值很小的模擬信號,還需外接放大電路將信號放大,再通過a/d轉(zhuǎn)換電路將其轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，直流電流測試結(jié)構(gòu)包括合金電阻體以及位于合金電阻體兩側(cè)的紫銅，紫銅上的采樣點設(shè)于紫銅的中部，采樣點處的電流較為密集，且途徑紫銅后的電流引入量較大，容易產(chǎn)生溫漂。

3、上述內(nèi)容僅用于輔助理解本實用新型的技術(shù)方案，并不代表承認上述內(nèi)容是現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的主要目的在于提供了一種直流電流測試結(jié)構(gòu)以及電子器件，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中直流電流測試結(jié)構(gòu)采樣點處的電流較為密集，且途徑紫銅后的電流引入量較大，容易產(chǎn)生溫漂。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種直流電流測試結(jié)構(gòu)，所述直流電流測試結(jié)構(gòu)包括：

3、合金電阻結(jié)構(gòu)；

4、第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)，分別安裝在所述合金電阻結(jié)構(gòu)沿橫向的兩側(cè)，所述第一固定結(jié)構(gòu)和所述第二固定結(jié)構(gòu)具有邊緣角區(qū)域，所述第一固定結(jié)構(gòu)和所述第二固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域靠近所述合金電阻結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述第一固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域和所述第二固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域分別設(shè)有第一采樣點和第二采樣點，所述第一固定結(jié)構(gòu)的第一采樣點和所述第二固定結(jié)構(gòu)的第二采樣點沿橫向?qū)ΨQ設(shè)置；

5、第一止擋結(jié)構(gòu)和第二止擋結(jié)構(gòu)，分別貫穿所述第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)，所述第一止擋結(jié)構(gòu)和所述第二止擋結(jié)構(gòu)均包括沿橫向延伸的第一段、以及與所述第一段連接且沿縱向延伸的第二段，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段、以及所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段分別對應(yīng)圍設(shè)在所述第一采樣點和所述第二采樣點的外圍，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段、以及所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段分別設(shè)于所述第一采樣點和所述第二采樣點靠近內(nèi)側(cè)的一側(cè)。

6、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段的長度為c1，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第二段的長度為b1，5mm≤b1≤6mm，5mm≤c1≤6mm。

7、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段的長度為c2，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第二段的長度為b2，5mm≤b2≤6mm，5mm≤c2≤6mm。

8、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處的頂部與所述第一采樣點的中心距離為a1，6.5mm≤a1≤7.5mm。

9、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處倒圓角。

10、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段沿縱向的寬度為d1，1.5≤d1≤2mm。

11、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處的頂部與所述第二采樣點的中心距離為a2，6.5mm≤a2≤7.5mm。

12、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處倒圓角。

13、優(yōu)選地，在所述直流電流測試結(jié)構(gòu)中，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段沿縱向的寬度為d2，1.5≤d2≤2mm。

14、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型還提供一種電子器件，該電子器件包括上述的直流電流測試結(jié)構(gòu)。

15、本實用新型至少具有如下有益效果：

16、本實用新型通過所述第一固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域和所述第二固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域分別設(shè)有第一采樣點和第二采樣點，所述第一固定結(jié)構(gòu)的第一采樣點和所述第二固定結(jié)構(gòu)的第二采樣點沿橫向?qū)ΨQ設(shè)置；第一止擋結(jié)構(gòu)和第二止擋結(jié)構(gòu)分別貫穿所述第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)，所述第一止擋結(jié)構(gòu)和所述第二止擋結(jié)構(gòu)均包括沿橫向延伸的第一段、以及與所述第一段連接且沿縱向延伸的第二段，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段、以及所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段分別對應(yīng)圍設(shè)在所述第一采樣點和所述第二采樣點的外圍，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段、以及所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段分別設(shè)于所述第一采樣點和所述第二采樣點靠近內(nèi)側(cè)的一側(cè)，如此可以改變直流電流測試結(jié)構(gòu)電流流經(jīng)途徑，減少經(jīng)過第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)后的電流引入量，使采樣點區(qū)域的電流稀疏，降低直流電流測試結(jié)構(gòu)隨著溫度提高而產(chǎn)生的漂移量。

17、進一步地，本實用新型通過第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段、以及所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段分別對應(yīng)圍設(shè)在所述第一采樣點和所述第二采樣點的外圍，相較三面圍設(shè)在第一采樣點和第二采樣點中間采樣區(qū)容易發(fā)生變形的方案，本實用新型的兩面圍設(shè)在第一采樣點和第二采樣點的方案可以實現(xiàn)批量沖壓、且中間采樣區(qū)不會發(fā)生變形。

技術(shù)特征：

1.一種直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段的長度為c1，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第二段的長度為b1，5mm≤b1≤6mm，5mm≤c1≤6mm。

3.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段的長度為c2，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第二段的長度為b2，5mm≤b2≤6mm，5mm≤c2≤6mm。

4.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處的頂部與所述第一采樣點的中心距離為a1，6.5mm≤a1≤7.5mm。

5.如權(quán)利要求4所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處倒圓角。

6.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一止擋結(jié)構(gòu)的第一段沿縱向的寬度為d1，1.5≤d1≤2mm。

7.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處的頂部與所述第二采樣點的中心距離為a2，6.5mm≤a2≤7.5mm。

8.如權(quán)利要求7所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段和第二段的連接處倒圓角。

9.如權(quán)利要求1所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二止擋結(jié)構(gòu)的第一段沿縱向的寬度為d2，1.5≤d2≤2mm。

10.一種電子器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任意一項所述的直流電流測試結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種直流電流測試結(jié)構(gòu)以及電子器件，所述直流電流測試結(jié)構(gòu)包括合金電阻結(jié)構(gòu)、第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)、以及第一止擋結(jié)構(gòu)和第二止擋結(jié)構(gòu)，第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)分別安裝在所述合金電阻結(jié)構(gòu)沿橫向的兩側(cè)，所述第一固定結(jié)構(gòu)和所述第二固定結(jié)構(gòu)具有邊緣角區(qū)域，所述第一固定結(jié)構(gòu)和所述第二固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域靠近所述合金電阻結(jié)構(gòu)設(shè)置，所述第一固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域和所述第二固定結(jié)構(gòu)的邊緣角區(qū)域分別設(shè)有第一采樣點和第二采樣點，所述第一固定結(jié)構(gòu)的第一采樣點和所述第二固定結(jié)構(gòu)的第二采樣點沿橫向?qū)ΨQ設(shè)置；第一止擋結(jié)構(gòu)和第二止擋結(jié)構(gòu)分別貫穿所述第一固定結(jié)構(gòu)和第二固定結(jié)構(gòu)。

技術(shù)研發(fā)人員：李智德,胡紫陽,嚴濤
受保護的技術(shù)使用者：深圳市業(yè)展電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240312
技術(shù)公布日：2025/1/2