專利名稱:一種掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及納米傳感器和納米測量儀，尤其涉及一種在商品化的AFM懸臂針尖上制作納米尺度熱感應(yīng)器的方法，屬于納米加工、納米尺度性能測量和電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
迄今為止，已有許多特征尺度在100納米以下的低維材料被制造出來，如碳納米管、各種金屬或半導(dǎo)體的納米線、石墨烯等。同時，隨著大規(guī)模集成電路制作工藝的不斷改善，傳統(tǒng)器件的特征尺寸也已經(jīng)縮小到幾十納米的量級。研究這些納米材料和納米器件的電子、聲子傳輸以及能量耗散是一項意義重大和非常有挑戰(zhàn)性的課題，例如研究大規(guī)模集成電路的熱量分布和耗散問題有很實際的用途。傳統(tǒng)的方法很難將溫度探測器的探測點做到1微米以下。
掃描熱顯微鏡SThM(scanning thermal microscopy)提供了一個研究亞微米尺度熱耗散的有力工具。SThM是基于原子力顯微鏡(AFM :atomic forcemicroscopy)技術(shù)的。 已經(jīng)報道的有兩種方法，一是利用在AFM懸臂上特殊加工的一個微型熱電偶來實現(xiàn)溫度測量，另一種是在針尖上集成一個熱電阻。由于AFM技術(shù)可以清晰地看清納米尺寸的樣品表面，所以從理論上講，SThM是可以探測納米尺度上的溫度以及熱傳導(dǎo)的。
目前有兩種方法可用來制備熱電偶型SThM針尖。
一種是利用微機電系統(tǒng)(MEMS)工藝，在成批制備AFM懸臂針尖的過程中也制備出尖端的微型納米熱電偶結(jié)構(gòu)[Y. X. Zhang, Y. W. Zhang, J. Blaser，Τ. S. Sriram, A. Enver and R. B. Marcus,Review of Scientific Instruments 69 (5),2081 (1998) ；L. Shi,0. Kwon, A. C. Miner, and A. Majumdar, Journal ofMicroelectromechanical Systems 10(3), 370(2001) ；G. Mills, H. Zhou, A. Midha, L. Donaldson, and J. M. R. Weaver, Appl. Phys. Lett. 72 (22)，2900 (1998)]。這類方法在制備過程中都用到化學(xué)氣相沉積、電子束曝光、真空蒸鍍等一系列半導(dǎo)體工藝，工藝復(fù)雜，需要有完善齊全的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，制備成本很高；但這類方法適合大規(guī)模生產(chǎn)。
第二種制備熱電偶型SThM針尖的方法是在已有的商品化AFM針尖上通過一些加工步驟在針尖尖端制作出微型熱電偶[K. Luo，Ζ. Shi, J. Varesi, and A. Majumdar，J. Vac. Sci. Technol. B 15 (2)，349 (1997)]。這種方法的優(yōu)點是比較靈活，可以做一些特殊結(jié)構(gòu)。但僅有的一篇文獻報道的具體方法也動用了反應(yīng)離子刻蝕等半導(dǎo)體工藝，仍然沒有擺脫過程復(fù)雜和需要貴重儀器的弊病。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，提出一種簡單的方法，通過該方法能在AFM懸臂針尖上制作微型熱電偶使之成為SThM針尖。本發(fā)明方法操作簡單、對硬件設(shè)備要求較低，并且可以將熱電偶的探測端做在針尖的正面，從而具有更高的靈敏度。用該方法制作出的SThM針尖能夠在幾十納米的尺度上表征材料的熱分布。[0008]本發(fā)明方法在市場上可以方便買到的AFM懸臂針尖(如圖1)的基礎(chǔ)上，利用簡單的加工步驟，在針尖上鍍上兩層互相絕緣的不同材料的金屬層，并使兩層金屬僅在AFM針尖的尖端處連接(其余部分絕緣)構(gòu)成微型熱電偶。這種微型熱電偶與相關(guān)測量電路連接即可進行納米尺度的溫度和熱測量。
具體來說，本發(fā)明方法包括以下步驟
a)在AFM懸臂針尖的正面(即有針尖的一面)制作第一金屬層； b)在所述第一金屬層上制作絕緣層；
c)除去針尖尖端上設(shè)定區(qū)域的絕緣層；
d)在所述絕緣層上制作第二金屬層，所述第二金屬層在所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)和所述第一金屬層接觸，所述第二金屬層和所述第一金屬層的材料組成不同。由于第一金屬層除了針尖尖端上的所述設(shè)定區(qū)域之外都被絕緣層覆蓋，因此第一金屬層和第二金屬層只在所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)接觸，因而構(gòu)成了熱電偶。
所述AFM懸臂針尖可以是普通的氮化硅接觸式AFM針尖，也可以是其它形式和材料的AFM懸臂針尖(其它的針尖有部分主體是導(dǎo)電材質(zhì)的，需要預(yù)先對該類型AFM針尖表面做絕緣層處理)。
優(yōu)選地，所述方法還包括在所述步驟a)和b)之間，在所述第一金屬層上制作一條或多條引線。在第一金屬層上預(yù)留引出線的設(shè)計可以簡化操作步驟，同時引出線可以采用預(yù)留2根或者更多的冗余設(shè)計，提高成品率。由于第一金屬層基本都被絕緣層包裹，其它常用的引出電極接觸點的方法不易將第一金屬層與外電路連接。此外，這一設(shè)計還容易更好的適配一些商品儀器原有的懸臂座，經(jīng)簡單的改造懸臂安裝座就可以實現(xiàn)熱電偶2根導(dǎo)線的引出和測量功能。
優(yōu)選地，所述方法還包括在所述步驟d)之后，在所述AFM懸臂針尖的背面(即沒有針尖的一面)上制作第三金屬層，所述第三金屬層可以平衡前面的工藝引起的懸臂的應(yīng)力，并可提高反射率。所述第三金屬優(yōu)選為金。
優(yōu)選地，所述步驟a)可通過下列方法實施如附圖2b所示，在所述AFM懸臂針尖的正面上放置第一擋板，所述第一擋板覆蓋所述正面的選定部分；通過真空鍍膜儀在所述正面的未覆蓋部分上鍍膜，形成具有設(shè)定形狀和厚度的所述第一金屬層。
由于本發(fā)明方法的第一金屬層可以做得比較大，因此擋板(包括此處的第一檔板和下述第二擋板)可通過簡單的手工制作來完成，例如可以簡單的剪切薄鋁片做成(當(dāng)然并不限于這一方法)，簡化了加工的條件，方便針尖的加工制作。
所述鍍膜過程可以采用各種真空鍍膜儀，例如熱蒸發(fā)鍍膜儀、濺射鍍膜機、電子束蒸發(fā)鍍膜儀等。
優(yōu)選地，所述步驟b)可通過下列方法實施通過原子層沉積方法在所述第一金屬層上制作絕緣層。事實上，生長絕緣層的辦法可使用很多辦法，本發(fā)明優(yōu)選原子層沉積方法的原因在于原子層沉積方法沉積的絕緣層對針尖的包裹非常均勻并且能覆蓋所有暴露的表面，不受AFM懸臂針尖表面起伏的影響，不像其它鍍膜方法可能會因表面起伏造成薄膜厚度的不均勻而產(chǎn)生漏電現(xiàn)象，這對于AFM針尖尖端這種起伏變化劇烈的樣品非常有意義；另外，原子層沉積方法可以精確控制沉積膜的厚度。
優(yōu)選地，所述步驟C)可通過下列多種方法實施，比如在裝有納米操縱器的掃描電子顯微鏡(SEM)中用微操縱器實現(xiàn)靜電擊穿；用聚焦離子束(FIB)技術(shù)打孔；利用在AFM懸臂針尖與樣品之間加電壓并結(jié)合表面摩擦的方式來去除絕緣層。
所述第一種方法可通過下列方法實施在掃描電子顯微鏡的視野中操作納米操縱器將鎢針尖(或其它導(dǎo)電針尖)靠近所述AFM懸臂針尖的尖端，在所述鎢針尖和所述AFM 懸臂針尖之間施加電壓，將所述尖端處的絕緣層擊穿。
所述第二種方法可通過下列方法實施采用聚焦離子束刻蝕所述尖端處的所述絕緣層的一部分，刻蝕深度大于所述絕緣層的厚度且小于所述絕緣層和所述第一金屬層的厚度之和。
所述第三種方法可通過下列方法實施在所述AFM懸臂針尖與一個導(dǎo)電樣品之間施加電壓，同時使AFM懸臂針尖的尖端在所述導(dǎo)電樣品的表面摩擦，直至除去所述尖端上的所述絕緣層。由于加了電壓，當(dāng)絕緣層被去除時針尖和導(dǎo)電樣品間的電流會有變化，以此可控制使尖端上的絕緣層被去除而第一金屬層被保留。
優(yōu)選地，所述步驟d)可通過下列方法實施如附圖池所示，在所述絕緣層上放置第二擋板，所述第二擋板覆蓋所述絕緣層的選定部分；通過真空鍍膜儀在所述絕緣層表面的未覆蓋部分上鍍膜，形成具有設(shè)定形狀和厚度的所述第二金屬層。
在本發(fā)明方法中，所述第一金屬和第二金屬(或者說第一金屬層和第二金屬層) 可以選自各種金屬，唯一的要求是兩種金屬之間的熱電性能差異比較顯著，即它們的塞貝克系數(shù)差比較大，超過設(shè)定的閾值，從而使這兩種金屬構(gòu)成的熱電偶可以獲得盡可能大的熱電信號。鈦、鈀、金、銀、鋁等很多材料都可以作為金屬層。
在本發(fā)明方法中，所述絕緣層可以選自各種絕緣材料。本發(fā)明方法對絕緣層的要求有兩點，一是絕緣性能要好，以保證兩個金屬層在不接觸的地方真正絕緣；二是可以用電擊穿或刻蝕等方法除去，以便可以在針尖尖端處打開絕緣層。優(yōu)選地，所述絕緣層的材料選自氧化鉿、氧化鋁或氧化鋯。
用本發(fā)明方法制作的熱電偶針尖，能夠表征幾十納米尺度的材料的熱分布狀態(tài)。 本發(fā)明的重要特性在于針尖制作的方便和簡易性。將熱電偶信號引出來并記錄后，經(jīng)過和已有的數(shù)據(jù)分析對比，就可以獲得要測量的樣品的納米尺度上的溫度分布。此外，本發(fā)明的簡單加工步驟同樣適用于在其它已有的微小器件上集成小型化的熱電偶傳感器，用于研究局域的熱效應(yīng)。比用傳統(tǒng)的光刻、鍍膜等半導(dǎo)體工藝在硅片上制備熱電偶的辦法具有工藝簡單和對設(shè)備依存低的優(yōu)點。


圖1是商品化AFM懸臂針尖的掃描電子顯微鏡(SEM)圖，其中圖la)為該懸臂針尖的頂視圖，懸臂上共有4個懸臂梁，每個懸臂梁的尖端處各有一個針尖(圖中顯示的尖端部分表示懸臂梁。本發(fā)明所述的針尖位于懸臂梁的尖端處。針尖的尺度較小，在本圖中未顯示)；圖lb)為一定觀察角度下的懸臂針尖一端的側(cè)視圖，可以看到2個懸臂梁(針尖的尺度較小，在本圖中未顯示)；圖Ic)為圖lb)圓形部分的放大圖，顯示了針尖在懸臂梁上的細(xì)節(jié)；
圖2是根據(jù)本發(fā)明方法制作熱電偶的流程示意圖，為簡化表達，圖中只顯示4個針尖中的1個；其中，I-AFM懸臂針尖；2-第一金屬層；3-絕緣層；4-第二金屬層；10-懸臂梁；11-懸臂主體；12-針尖；13-針尖尖端；15-第一擋板；16-第二擋板；21-引線；
圖3是根據(jù)本發(fā)明方法制作熱電偶的流程的懸臂針尖頂端的側(cè)視示意圖；圖3f中各層從上到下依次是針尖，第一金屬層，絕緣層和第二金屬層；
圖4是在裝有納米操縱器的SEM中利用電壓擊穿絕緣層前Ga)后Gb)的掃描電子顯微鏡圖；
圖5是使用FIB方式去除絕緣層后的掃描電子顯微鏡圖；
圖6是裝配在一種AFM針尖懸臂座上的掃描熱針尖的實物照片。
具體實施方式
下面通過具體實施例結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步描述，但不以任何方式限制本發(fā)明。
本實施例利用商品化的AFM接觸模式氮化硅針尖，選擇鈦和鈀作為熱電偶的2種金屬層材料，制成適用于VEECO D-3100型AFM儀器懸臂安裝座使用的微型熱電偶探針，具體步驟如下。
(a)選擇市場上可以方便買到的AFM懸臂針尖(型號DNP-20，VEECO，USA)(圖1)， 并在其中一個V字型懸臂針尖的尖端上制備微型熱電偶。圖2是制作熱電偶的流程示意圖， 為簡化表達，實際4個針尖只畫一個(如圖加所示)。在步驟a和c中，采用的金屬經(jīng)過選擇比較以及實驗確定，選擇了金屬鈦和鈀作為步驟a和c蒸鍍的金屬。選擇該兩種金屬的出發(fā)點是他們之間的熱電性能差異比較顯著，表現(xiàn)為他們的塞貝克系數(shù)的差距比較大，分別是9. 1(μν/Κ)和_10.0(μν/Κ)，這樣兩種金屬接觸能獲得很大的熱電信號。由于鈦容易被氧化，所以在蒸鍍的時候，將鈦作為第一層蒸鍍的金屬，它將被隨后鍍的絕緣層和第二層金屬保護起來，用這種制膜組合，可以有效防止氧化對熱電偶的破壞，保持熱電偶的長期有效性。
如圖2b所示，將針尖1和用薄鋁片裁制成的第一擋板15用導(dǎo)電膠簡單地粘貼在基片上后就可以放入鍍膜儀進行蒸鍍，先在氮化硅基底上鍍60納米的鈦。鍍膜過程中，擋板15充當(dāng)掩膜板。鍍膜結(jié)束后，在懸臂主體11，懸壁梁10和針尖12上形成第一金屬層2， 即一個鈦金屬電極。此步工藝結(jié)束后，針尖12處的側(cè)面如圖北所示。由于懸臂主體11的尺度在幾個毫米的量級，所以薄鋁片(第一檔板1 可以直接用手工來裁出想要的形狀。
(b)利用點焊的方法在第一金屬層2上焊上一根導(dǎo)線作為電極引線21 (為了保險， 可以引出2條或者更多以作為冗余)，結(jié)果見圖2b。
(c)為了隔絕兩種熱電偶金屬材料，用原子層沉積方法在AFM針尖基底上生長幾十納米的氧化鉿，這層氧化鉿將作為兩種金屬間的隔離層。先用導(dǎo)電膠將前述步驟制作的 AFM懸臂針尖固定到基片(材料不限)上，然后將基片并其上的AFM懸臂針尖放入原子層沉積儀的樣品室內(nèi)，抽真空后，在90-250°C的溫度范圍內(nèi)生長約40納米厚的氧化鉿，以水和 Tetrakis (Dimethylamido) Hafnium為前驅(qū)體。該流程結(jié)束后，針尖表面全部被一層厚度均勻的絕緣層3覆蓋，結(jié)果見示意圖2c，此時針尖12的側(cè)面如圖3c所示。
(d)本發(fā)明的關(guān)鍵步驟之一就是用簡單的辦法將針尖尖端13上的部分絕緣層3去除，如圖2d所示。
可以采用的方法有多種，如在裝有納米操縱器的SEM中用靜電擊穿的方法，或者用FIB，或者在AFM懸臂針尖-樣品上加電壓并結(jié)合表面摩擦的方式來去除絕緣層的一部分，將氧化鉿層打出一個小孔，露出金屬鈦，針尖12的側(cè)面示意圖如圖!Be。
在SEM中用靜電擊穿的方法具體為先將針尖放入裝有納米操縱器的SEM樣品室里，抽真空到規(guī)定的真空度，打開電子束進行掃描電鏡觀察，找到針尖后用納米操縱器將安裝在其上的鎢針尖靠近AFM針尖的尖端，在鎢針尖和AFM懸臂針尖鈦金屬層之間加合適的電壓將尖端的絕緣層擊穿(圖3d)。通過實驗確定，加在鎢針尖和AFM懸臂針尖鈦金屬層上的電壓超過一個閾值(35V-40V)的時候擊穿會發(fā)生，擊穿區(qū)域的直徑在百納米量級。擊穿區(qū)域的大小與所加電壓的大小關(guān)系不大，而且有時并不是加電壓的瞬間擊穿現(xiàn)象就發(fā)生。 鎢針尖與AFM針尖尖端不一定要接觸，在距離非常近的情況下，擊穿也會發(fā)生，圖4是擊穿前后的SEM照片。
利用FIB制備尖端上小孔的方法具體是先將針尖放入FIB樣品室內(nèi)，抽真空到規(guī)定值后打開電子束或離子束找到針尖并定義刻蝕區(qū)，采用聚焦離子束將針尖尖端刻蝕掉一部分，刻蝕掉的厚度要比絕緣層略微厚一點，但又不要穿透第一層金屬，以達到去除絕緣層又保留金屬層的效果。用FIB可以刻蝕出直徑幾十納米甚至十幾納米的小孔，而且孔的形狀規(guī)則；缺點是對設(shè)備要求高。圖5是用FIB在針尖尖端在絕緣層打孔后的照片。
第三種去除AFM懸臂針尖尖端處絕緣層的方法是利用商品化的AFM系統(tǒng)。使AFM 系統(tǒng)工作在導(dǎo)電AFM(C-AFM)模式，在針尖和導(dǎo)電樣品之間加上電壓并施加合適的力，讓針尖在導(dǎo)電樣品表面上以接觸模式小范圍掃描，同時實時監(jiān)測電流。在表面摩擦和電壓的共同作用下，針尖尖端處的絕緣層會被去掉。對于一個表面覆蓋有幾十納米氧化鉿層的導(dǎo)電 AFM針尖(針尖內(nèi)側(cè)蒸鍍有金屬)，導(dǎo)電樣品如果使用高定向裂解石墨(H0PG)，在針尖和樣品之間加大約10-20伏的電壓，以接觸模式小范圍掃描并保持若干時間(十幾秒到數(shù)分鐘范圍)就可以實現(xiàn)尖端處絕緣層的去除。監(jiān)測顯示流經(jīng)針尖和樣品之間的電流會發(fā)生跳變，表明尖端處的絕緣層已被去除。用這種方法形成的孔洞可在事后用SEM觀察。
上述辦法有的可以獲得更精細(xì)的孔洞，有的不需要掃描電鏡和復(fù)雜的納米操縱器，各有優(yōu)勢，從一個側(cè)面表明了本發(fā)明方法具有寬泛的適用性。
(e)在絕緣層3上鍍上60納米的金屬鈀作為熱電偶的另一個電極。首先準(zhǔn)備好一個薄鋁片擋板16(同樣可以用簡單的手工方法來制作，也可用步驟(a)中所用的擋板15。 擋板材料也可以是其它材料。)。如圖加所示放置擋板16并蒸鍍金屬。該步驟結(jié)束后的正面示意圖如圖2f，圖3f為針尖12的側(cè)面示意圖。
(f)為了解決一系列加工過程可能造成的AFM針尖應(yīng)力彎曲和反射率下降影響正常使用的問題，在AFM懸臂針尖1的背面鍍幾十納米厚的金。這一步驟也可以使用一個簡單的擋板在鍍膜過程中擋住針尖背面不需要鍍金的部分。
最終制成的AFM懸臂熱電偶針尖在懸臂座上的安裝情況和電極引線見圖6。熱電偶信號一端由預(yù)留的導(dǎo)線引出，另外一端由懸臂針尖基座上的導(dǎo)電壓簧片引出。前述制備熱電偶針尖過程中設(shè)計擋板時已經(jīng)考慮到該導(dǎo)電壓簧片的幾何尺寸和位置，預(yù)留導(dǎo)線的位置和鍍膜時擋板放置的位置也是根據(jù)基座上的導(dǎo)電壓簧片的位置而確定的。擋板的設(shè)計和放置位置及預(yù)留導(dǎo)線的位置都可以根據(jù)不同種類的AFM懸臂針尖基座的設(shè)計尺寸而重新調(diào)整，這也從一個側(cè)面表明本發(fā)明方法具有寬泛的適用性。
權(quán)利要求
1.一種掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，包括a)在AFM懸臂針尖的正面制作第一金屬層；b)在所述第一金屬層上制作絕緣層；c)除去針尖的尖端上設(shè)定區(qū)域的絕緣層；d)在所述絕緣層上制作第二金屬層，所述第二金屬層在所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)和所述第一金屬層接觸，所述第二金屬層和所述第一金屬層的材料組成不同。
2.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述方法還包括在所述步驟a)和b)之間，在所述第一金屬層上制作一條或多條引線。
3.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述方法還包括在所述步驟d)之后，在所述AFM懸臂針尖的背面上制作第三金屬層，所述第三金屬層平衡所述懸臂的應(yīng)力，并提高反射率。
4.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟a)通過下列方法實施在所述AFM懸臂針尖的正面放置第一擋板，所述第一擋板覆蓋所述正面的選定部分；通過真空鍍膜儀在所述正面的未覆蓋部分上鍍膜，形成具有設(shè)定形狀和厚度的所述第一金屬層。
5.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟b)通過下列方法實施通過原子層沉積方法在所述第一金屬層上制作絕緣層。
6.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟c)通過下列方法實施在掃描電鏡中利用微操縱器通過電擊穿方式將所述尖端處的絕緣層擊穿。
7.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟c)通過下列方法實施采用聚焦離子束刻蝕所述尖端處的所述絕緣層的一部分，刻蝕深度大于所述絕緣層的厚度且小于所述絕緣層和所述第一金屬層的厚度之和。
8.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟c)通過下列方法實施在所述AFM懸臂針尖與一導(dǎo)電樣品之間施加電壓，同時使AFM 懸臂針尖的尖端在所述導(dǎo)電樣品的表面摩擦，直至除去所述尖端上的部分絕緣層。
9.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述步驟d)通過下列方法實施在所述絕緣層上放置第二擋板，所述第二擋板覆蓋所述絕緣層的選定部分；通過真空鍍膜儀在所述絕緣層表面的未覆蓋部分上鍍膜，形成具有設(shè)定形狀和厚度的所述第二金屬層。
10.如權(quán)利要求
1所述的掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，其特征在于，所述第一金屬和第二金屬的塞貝克系數(shù)差超過設(shè)定閾值。
專利摘要
本發(fā)明公開了一種掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法，屬于納米加工、納米尺度性能測量和電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域：
。所述掃描熱顯微鏡微型熱電偶探針的制備方法包括a)在AFM懸臂針尖的正面制作第一金屬層；b)在所述第一金屬層上制作絕緣層；c)除去針尖的尖端上設(shè)定區(qū)域的絕緣層；d)在所述絕緣層上制作第二金屬層，所述第二金屬層在所述設(shè)定區(qū)域內(nèi)和所述第一金屬層接觸，所述第二金屬層和所述第一金屬層的材料組成不同。本發(fā)明可用于納米加工、納米尺度性能測量等技術(shù)領(lǐng)域：
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文檔編號G01Q60/58GKCN102175894SQ201010606034
公開日2011年9月7日 申請日期2010年12月24日
發(fā)明者李思然, 陳清, 高崧 申請人:北京大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan