專利名稱:缺陷檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體檢測(cè)件缺陷檢測(cè)方法，特別是涉及一種于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的制作過(guò)程中，各種工藝的因素常常是環(huán)環(huán)相扣，也就是說(shuō)，前一個(gè)工藝步驟所產(chǎn)生的缺陷常常在下一個(gè)或是之后的工藝中也產(chǎn)生相對(duì)應(yīng)的缺陷，以至于造成最后產(chǎn)品成品率上的問(wèn)題。因此，能實(shí)時(shí)地對(duì)已產(chǎn)生的缺陷做出分析，找出缺陷發(fā)生的原因，并加以排除，便成為品保技術(shù)的核心能力之一。而隨著半導(dǎo)體元件尺寸不斷的縮小，由半導(dǎo)體工藝所引發(fā)并足以對(duì)成品率產(chǎn)生影響的缺陷尺寸，亦不斷地微小化。在此種趨勢(shì)之下，要對(duì)這些微小的缺陷做精確的橫切面分析已經(jīng)變得越來(lái)越不容易，因此各種顯微及失效分析(failure analysis，F(xiàn)A)技術(shù)不斷的產(chǎn)生，以期能通過(guò)對(duì)試片制備方法的改良、分析儀器精密度的提升、以及分析儀器與分析原理的交互運(yùn)用，來(lái)克服這個(gè)問(wèn)題。
請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一缺陷檢測(cè)方法10的流程示意圖。如圖1所示，首先進(jìn)行取樣12，選定一半導(dǎo)體晶片為樣本來(lái)進(jìn)行后續(xù)缺陷檢測(cè)與分析工作，接著進(jìn)行一缺陷檢測(cè)步驟14。一般而言，大多利用適當(dāng)?shù)娜毕輦蓽y(cè)機(jī)器以大范圍掃描的方式，來(lái)比對(duì)并偵測(cè)出此半導(dǎo)體晶片上的所有缺陷。由于半導(dǎo)體晶片上的缺陷數(shù)量多半相當(dāng)大，因此在實(shí)務(wù)上不可能一一以人工的方式進(jìn)行掃描式電子顯微鏡(SEM)再檢測(cè)，是以為了方便起見(jiàn)，現(xiàn)行大都是先進(jìn)行一人工缺陷分類16，建立起一缺陷數(shù)據(jù)庫(kù)，再由可偵測(cè)到的所有缺陷中，嚴(yán)選出一些較具有代表性的主要缺陷(killer defect)類型，最后再讓工程師以人工的方式對(duì)所選出的樣本來(lái)進(jìn)行缺陷再檢測(cè)(defect review)18，以進(jìn)一步對(duì)該些缺陷進(jìn)行缺陷原因分析(defect root cause analysis)20，期找出抑制或減少這些缺陷的方法。
在現(xiàn)有技術(shù)中，所遭遇到最大的問(wèn)題就是往往在缺陷檢測(cè)14中會(huì)發(fā)現(xiàn)大量的缺陷數(shù)量，例如可能一兩千個(gè)，但工程師往往也只能從中以抽樣的方式挑選出一部份的缺陷作為樣本，例如100個(gè)，來(lái)進(jìn)行缺陷再檢測(cè)18以及后續(xù)缺陷分析、排除的工作。一般而言，初期主要缺陷(killer defect)的選取幾乎是完全靠工程師的個(gè)人經(jīng)驗(yàn)判斷來(lái)進(jìn)行檢測(cè)分析外，大多數(shù)時(shí)間，也僅能從中隨機(jī)選取一些缺陷作為缺陷再檢測(cè)18的樣本，這將嚴(yán)重降造成時(shí)間與人力的耗費(fèi)，連帶影響后續(xù)缺陷分析的準(zhǔn)確度。
此外，在所有的缺陷當(dāng)中，除了大多數(shù)直接位于半導(dǎo)體晶片表面的缺陷，可以利用正面分析技術(shù)(front side analysis)來(lái)作失效分析(FA)，許多與工藝息息相關(guān)的缺陷還存在于半導(dǎo)體晶片的下層、底層與背面，而要檢測(cè)位于晶片底層的缺陷往往是工藝中極為困難的步驟，尤其是對(duì)于多層金屬導(dǎo)線的芯片(multi metal layers chip)而言。因此，目前便利用正面分析技術(shù)并輔助以背面分析技術(shù)(backside analysis)來(lái)作更精確的失效分析(FA)，而在檢測(cè)于半導(dǎo)體晶片的背面分析技術(shù)時(shí)，一般只能利用布局圖導(dǎo)向系統(tǒng)(1ayout navigationsystem)于半導(dǎo)體元件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)。然而，由于電路布局圖為各客戶的高度商業(yè)機(jī)密，并無(wú)法輕易得知，因此常導(dǎo)致晶片代工廠時(shí)的缺陷分析、排除時(shí)間的大幅延長(zhǎng)或是在量產(chǎn)時(shí)對(duì)電性效能(electrical performance)、可靠度(reliability)、成品率(yield rate)及產(chǎn)能(throughput)造成嚴(yán)重的影響。是以，目前迫切需要一種快速而有效率的缺陷檢測(cè)方法，以解決上述問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種缺陷檢測(cè)方法，以改善現(xiàn)有利用布局圖導(dǎo)向系統(tǒng)(layout navigation system)于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)所耗費(fèi)的成本與時(shí)間。
根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求
所揭露的一種缺陷檢測(cè)方法，首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷，然后利用一失效分析(FA)技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域(suspected area)，接著利用一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記，最后利用該些參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求
所揭露的另一種缺陷檢測(cè)方法，首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷，然后利用一失效分析(FA)技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域(suspected area)，接著利用一第一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)第一參考標(biāo)記，最后利用一第二物理能量及該些第一參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面形成多個(gè)第二參考標(biāo)記，以標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求
所揭露的另一種缺陷檢測(cè)方法，首先提提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷，然后利用一失效分析(FA)技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域(suspected area)，接著利用一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)第一參考標(biāo)記，最后利用一電壓對(duì)比異常(voltage contrast abnormal)及該些第一參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
有別于現(xiàn)有于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)的方法，本發(fā)明先利用失效分析(FA)技術(shù)，以于一半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面找出可疑異常區(qū)域的位置，然后在鎖定物理能量損壞信號(hào)之后，再利用一非接觸式的物理能量，以破壞性的方式于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的可疑異常區(qū)域的周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記，藉以標(biāo)定缺陷的位置，因此可有效改善現(xiàn)有利用布局圖導(dǎo)向系統(tǒng)于半導(dǎo)體元件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)所耗費(fèi)的成本與時(shí)間。



圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一缺陷檢測(cè)方法的流程示意圖。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例于一半導(dǎo)體檢測(cè)件背面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。
圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體檢測(cè)件正面的上視圖。
圖4至圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例于半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面、正面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。
圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例于一半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。
簡(jiǎn)單符號(hào)說(shuō)明10 缺陷檢測(cè)方法 12 取樣14 缺陷檢測(cè) 16 人工缺陷分類18 缺陷再檢測(cè) 20 缺陷原因分析100 半導(dǎo)體檢測(cè)件 102 正面
104 背面 106 缺陷120 激光發(fā)射裝置 122 參考標(biāo)記200 半導(dǎo)體檢測(cè)件 202 正面204 背面 206 缺陷220 激光發(fā)射裝置 222 參考標(biāo)記224 參考標(biāo)記 300 半導(dǎo)體檢測(cè)件302 正面 306 缺陷322 參考標(biāo)記具體實(shí)施方式
請(qǐng)參考圖2。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例于一半導(dǎo)體檢測(cè)件背面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。如圖2所示，首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件100，半導(dǎo)體檢測(cè)件100視應(yīng)用的工藝階段不同而可為一半導(dǎo)體晶片(wafer)、晶粒(die)、或芯片(chip)，在此以一半導(dǎo)體晶片為例，半導(dǎo)體檢測(cè)件100包含一正面102與一背面104，且半導(dǎo)體檢測(cè)件100中包括至少一缺陷106或一可疑異常點(diǎn)(suspected spot)。其中，缺陷106或可疑異常點(diǎn)可通過(guò)熱點(diǎn)(hot spot)分析、紅外線誘發(fā)阻抗變化分析(IR OBIRCH)、放射(emission)等失效分析(FA)技術(shù)來(lái)追蹤半導(dǎo)體檢測(cè)件100背面104所呈現(xiàn)的可疑異常信號(hào)(suspected signal)，進(jìn)而鎖定可疑異常區(qū)域(suspected area)的位置。
以利用光子顯微鏡(photo-emission microscope)來(lái)進(jìn)行一激光束誘發(fā)阻抗變化分析(OBIRCH)的方式為例。首先，利用激光束在半導(dǎo)體檢測(cè)件100的背面104進(jìn)行掃描。在掃描過(guò)程中，激光束的部分能量則會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量。如果在半導(dǎo)體檢測(cè)件100上存在著任何缺陷或者空洞，這些區(qū)域附近的熱量傳導(dǎo)將會(huì)不同于其它的完整區(qū)域，而引起局部溫度變化，形成可疑異常信號(hào)。除此之外，亦可利用一固定電壓導(dǎo)通半導(dǎo)體檢測(cè)件100兩端，并通過(guò)該電壓所提供的電流變化的大小與所成影像的像素亮度對(duì)應(yīng)，而像素的位置則與電流發(fā)生變化時(shí)來(lái)與激光掃描到的位置相對(duì)應(yīng)。如此，就可以產(chǎn)生OBIRCH像來(lái)確定缺陷位置。藉此，本發(fā)明可尋找半導(dǎo)體檢測(cè)件100中的缺陷，以有效地對(duì)電路中缺陷定位，諸如線條中的空洞、通孔下的空洞等，并有效的檢測(cè)短路或漏電位置。
接著提供一非接觸式的物理能量(physical energy)，以破壞性的方式于半導(dǎo)體檢測(cè)件100的背面104的可疑異常區(qū)域(suspected area)的周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記122。換句話說(shuō)，本發(fā)明是先利用前述的熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化、放射(emission)等失效分析(FA)裝置(未顯示)找出半導(dǎo)體檢測(cè)件100背面104的可疑異常區(qū)域(suspected area)的位置，然后在鎖定物理能量損壞信號(hào)(physical energy damage signal)之后，便利用一激光發(fā)射裝置120直接在背面104的缺陷106周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記122，藉以標(biāo)定缺陷106的位置。
值得注意的是，形成于背面104的缺陷106周圍的參考標(biāo)記122需可由半導(dǎo)體檢測(cè)件100的正面102來(lái)觀察之。請(qǐng)參考圖3，圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體檢測(cè)件100正面102的上視圖。一般而言，半導(dǎo)體晶片的厚度介于9000埃()至14000埃中間，而為了能于半導(dǎo)體檢測(cè)件100的正面102辨別出參考標(biāo)記122的正確位置，使用者可調(diào)整激光束光源的強(qiáng)度，以有效于半導(dǎo)體檢測(cè)件100的背面104形成多個(gè)破壞性受損點(diǎn)，亦即前述的參考標(biāo)記122，且該些參考標(biāo)記122需可由半導(dǎo)體檢測(cè)件100的正面102來(lái)觀察之。
最后再利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡由半導(dǎo)體檢測(cè)件100的正面102來(lái)檢視，并視實(shí)際狀況需要配合物理性(如等離子體蝕刻)方法或是化學(xué)性(如溶液的作用)的去除膜層(delayer)技術(shù)來(lái)分析，終而找出缺陷106位置及發(fā)生原因，加以排除。
而根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，本發(fā)明又可利用至少一非接觸式的物理能量(physical energy)分別于半導(dǎo)體檢測(cè)件的正、反兩面各形成多個(gè)破壞性受損點(diǎn)，并通過(guò)該些受損點(diǎn)來(lái)判斷出缺陷的正確位置。請(qǐng)參照?qǐng)D4至圖6，圖4至圖6為本發(fā)明另一實(shí)施例于半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面、正面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。
如同先前所述的第一實(shí)施例，首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件200，半導(dǎo)體檢測(cè)件200包含一正面202與一背面204，且半導(dǎo)體檢測(cè)件200中包括至少一缺陷206或一可疑異常點(diǎn)。接著利用前述的熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化、放射等失效分析(FA)裝置(未顯示)由半導(dǎo)體檢測(cè)件200背面204找出可疑異常區(qū)域(suspected area)的位置，然后在鎖定物理能量損壞信號(hào)(physical energydamage signal)之后，隨即利用一激光發(fā)射裝置220直接在背面204的缺陷206周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記222，藉以標(biāo)定缺陷206的位置，如圖5所示。然后再利用激光發(fā)射裝置220于半導(dǎo)體檢測(cè)件200的正面202另形成多個(gè)參考標(biāo)記224，并視實(shí)際狀況，可重復(fù)上述步驟，以使正面202的參考標(biāo)記224趨近(approach)背面204的各參考標(biāo)記222，終使參考標(biāo)記222的位置與半導(dǎo)體檢測(cè)件200背面204參考標(biāo)記的位置相互重迭，如圖6所示。
同樣地，最后再利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡由半導(dǎo)體檢測(cè)件200的正面202來(lái)檢視，并視實(shí)際狀況需要配合物理性方法或是化學(xué)性的去除膜層技術(shù)來(lái)分析，終而找出缺陷206位置即發(fā)生原因，加以排除。
此外，本發(fā)明亦可直接利用一固定電壓導(dǎo)通半導(dǎo)體檢測(cè)件，并通過(guò)該電壓所產(chǎn)生的電流變化而于半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出缺陷的位置。請(qǐng)參照?qǐng)D7，圖7為本發(fā)明又一實(shí)施例于一半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面檢視暨標(biāo)定缺陷的示意圖。首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件300，半導(dǎo)體檢測(cè)件300包含一正面302與一背面(圖未示)，且半導(dǎo)體檢測(cè)件300中包括至少一缺陷306或一可疑異常點(diǎn)。接著利用前述的熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化、放射等失效分析(FA)裝置(未顯示)找出半導(dǎo)體檢測(cè)件300背面的可疑異常區(qū)域的位置，然后在鎖定物理能量損壞信號(hào)之后，便利用一激光發(fā)射裝置(未顯示)直接在背面的缺陷306周圍形成多個(gè)標(biāo)記322。
接著提供一固定電壓，并利用該電壓形成多條電流導(dǎo)通半導(dǎo)體檢測(cè)件300，其中半導(dǎo)體檢測(cè)件300的一端連接一電壓源Vcc，另一端則接地(ground)。由于在激光束掃描過(guò)程中，激光束的部分能量則會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量，因此如果在半導(dǎo)體檢測(cè)件上存在著任何缺陷，這些缺陷附近的熱量傳導(dǎo)將會(huì)不同于其它的完整區(qū)域，引起局部溫度變化而造成破壞性受損點(diǎn)。因此在破壞性受損點(diǎn)形成后，便可利用該固定電壓導(dǎo)通半導(dǎo)體檢測(cè)件300，然后經(jīng)由缺陷306附近的電壓對(duì)比異常(voltage contrast abnormal)而由半導(dǎo)體檢測(cè)件300的正面302標(biāo)定出缺陷306的所在位置。
相較于現(xiàn)有用來(lái)檢測(cè)半導(dǎo)體缺陷的方法，本發(fā)明先利用失效分析(FA)技術(shù)，以于一半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面找出可疑異常區(qū)域的位置，然后在鎖定物理能量損壞信號(hào)之后，再利用一非接觸式的物理能量，以破壞性的方式于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的可疑異常區(qū)域的周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記，藉以標(biāo)定缺陷的位置。接著可再利用激光標(biāo)記或電壓對(duì)比異常(voltage contrast abnormal)等方式，于半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面還形成多個(gè)相對(duì)應(yīng)的參考標(biāo)記或凸顯缺陷的所在位置。最后再利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡由半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面來(lái)檢視，并配合物理性方法或是化學(xué)性的去除膜層技術(shù)來(lái)分析缺陷位置及發(fā)生原因，加以排除。如此一來(lái)，不僅可以解決現(xiàn)有利用布局圖導(dǎo)向系統(tǒng)的困難性，又可改善現(xiàn)有利用該系統(tǒng)以于半導(dǎo)體檢測(cè)件背面進(jìn)行缺陷檢測(cè)所耗費(fèi)的成本與時(shí)間。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求
所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種缺陷檢測(cè)方法，該缺陷檢測(cè)方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷；利用一失效分析技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域；利用一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記；以及利用該些參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
2.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該半導(dǎo)體檢測(cè)件包含半導(dǎo)體晶片、晶?；蛐酒?br>3.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該失效分析技術(shù)利用熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化分析、放射等失效分析裝置來(lái)施行。
4.如權(quán)利要求
3所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該些失效分析裝置會(huì)于該缺陷的相對(duì)位置而于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面產(chǎn)生一可疑異常信號(hào)，進(jìn)而檢測(cè)出該可疑異常區(qū)域的位置。
5.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該物理能量為激光。
6.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置的步驟利用電壓對(duì)比異常方法來(lái)實(shí)施。
7.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置的步驟利用電射標(biāo)記方法來(lái)實(shí)施。
8.如權(quán)利要求
1所述的缺陷檢測(cè)方法，其中于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置之后，該缺陷檢測(cè)方法還包括一檢視步驟。
9.如權(quán)利要求
8所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該檢視步驟利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡來(lái)檢視該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面。
10.如權(quán)利要求
9所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該檢視步驟還配合有至少一物理性方法或是化學(xué)性的去除膜層技術(shù)來(lái)分析該缺陷的位置。
11.一種缺陷檢測(cè)方法，該缺陷檢測(cè)方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷；利用一失效分析技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域；利用一第一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)第一參考標(biāo)記；以及利用一第二物理能量及該些第一參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面形成多個(gè)第二參考標(biāo)記，以標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
12.如權(quán)利要求
11所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該半導(dǎo)體檢測(cè)件包含半導(dǎo)體晶片、晶?；蛐酒?br>13.如權(quán)利要求
11所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該失效分析技術(shù)利用熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化分析、放射等失效分析裝置來(lái)施行，且該些失效分析裝置會(huì)于該缺陷的相對(duì)位置而于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面產(chǎn)生一可疑異常信號(hào)，進(jìn)而檢測(cè)出該可疑異常區(qū)域的位置。
14.如權(quán)利要求
11所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該些物理能量為激光。
15.如權(quán)利要求
11所述的缺陷檢測(cè)方法，其中于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置之后，該缺陷檢測(cè)方法還包括一利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡來(lái)檢視該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面的檢視步驟。
16.如權(quán)利要求
15所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該檢視步驟還配合有至少一物理性方法或是化學(xué)性的去除膜層技術(shù)來(lái)分析該缺陷的位置。
17.一種缺陷檢測(cè)方法，該缺陷檢測(cè)方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷；利用一失效分析技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域；利用一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)第一參考標(biāo)記；以及利用一電壓對(duì)比異常及該些第一參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
18.如權(quán)利要求
17所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該半導(dǎo)體檢測(cè)件包含半導(dǎo)體晶片、晶?；蛐酒?。
19.如權(quán)利要求
17所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該失效分析技術(shù)利用熱點(diǎn)、紅外線誘發(fā)阻抗變化分析、放射等失效分析裝置來(lái)施行，且該些失效分析裝置會(huì)于該缺陷的相對(duì)位置而于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面產(chǎn)生一可疑異常信號(hào)，進(jìn)而檢測(cè)出該可疑異常區(qū)域的位置。
20.如權(quán)利要求
17所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該些物理能量為激光。
21.如權(quán)利要求
17所述的缺陷檢測(cè)方法，其中于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置之后，該缺陷檢測(cè)方法還包括一利用光學(xué)顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡或是聚焦離子束顯微鏡來(lái)檢視該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面的檢視步驟。
22.如權(quán)利要求
21所述的缺陷檢測(cè)方法，其中該檢視步驟還配合有至少一物理性方法或是化學(xué)性的去除膜層技術(shù)來(lái)分析該缺陷的位置。
專利摘要
本發(fā)明提供一種缺陷檢測(cè)方法。首先提供一半導(dǎo)體檢測(cè)件，且該半導(dǎo)體檢測(cè)件中包括至少一缺陷，然后利用一失效分析(FA)技術(shù)，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的背面檢測(cè)出至少一可疑異常區(qū)域(suspected area)，接著利用一物理能量，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件背面的該可疑異常區(qū)域周圍形成多個(gè)參考標(biāo)記，最后利用該些參考標(biāo)記，于該半導(dǎo)體檢測(cè)件的正面標(biāo)定出該缺陷的相對(duì)位置。
文檔編號(hào)G01Q80/00GKCN1877292SQ200510076355
公開(kāi)日2006年12月13日 申請(qǐng)日期2005年6月10日
發(fā)明者林坤 申請(qǐng)人:聯(lián)華電子股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan