專(zhuān)利名稱(chēng)：光記錄體及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄體，其中相應(yīng)于給定的信息塊的信息單元通過(guò)用能量束如光或熱輻照被形成在一基體上形成的一記錄層上，及制備所述的光記錄體的方法。
有兩種光記錄體，其中之一是通過(guò)用能量束輻照在一記錄層的某一部位形成物理變形部分如孔或凹面，且其中之另一是通過(guò)用能量束輻照在一記錄層的某一部位形成光學(xué)性質(zhì)如折射率和反射率變化的部分。
至今已知基本上由低熔點(diǎn)金屬如碲(Te)構(gòu)成的記錄層以?xún)煞N光記錄體的任何一種應(yīng)用(日本專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)71195/1983和9234/1983)。Te涂層，典型的低熔點(diǎn)金屬涂層通過(guò)運(yùn)用很低能量可在所希望的物理變形部分或光學(xué)性質(zhì)變化部分(本文后面通稱(chēng)“信息單元”)，且因此作為一高靈敏度材料是非常有用的。本文所用的靈敏度被定義為形成每單位表面積的信息單元所需的能量(毫瓦/平方厘米)。
但是，當(dāng)放置Te讓它與大氣接觸時(shí)，它被氧氣或潮氣氧化，因此其透明性增加且變成透明的。因?yàn)槠浔∪缂s幾百個(gè)埃(A)的薄的涂層，所以?xún)H用Te形成的記錄層，當(dāng)這樣一種薄的記錄層中含有的Te由于氧化而增加其透明性時(shí)，其靈敏度卻會(huì)顯著下降。即，當(dāng)氧化該僅由Te構(gòu)成的記錄層時(shí)，其熔融溫度和蒸發(fā)溫度增加，且同時(shí)，當(dāng)它變成透明時(shí)，其如光那樣的能量吸收變小，結(jié)果需要大量能量以形成信息單元，且因此該記錄層的靈敏度會(huì)顯著下降。例如，當(dāng)將在一基體上形成的Te涂層放置在70℃和85%相對(duì)溫度(RH)的環(huán)境中時(shí)，其靈敏度在約5小時(shí)內(nèi)下降約20%，在約15小時(shí)內(nèi)下降約50%。
為了解決上述這種問(wèn)題，采用各種方法以防止Te涂層的氧化。已知這些方法之一為T(mén)e涂層被涂在具有穩(wěn)定的無(wú)機(jī)物質(zhì)的表面上。盡管這方法在防止Te涂層被氧化方面是有效的，但是未付諸于實(shí)際應(yīng)用，因?yàn)樗芰鲜寡鯕饣虺睔馔耆珴B透比較容易，盡管塑料在這方面由于其低導(dǎo)熱性是有利的，但是它在獲得Te涂層的靈敏度方面卻是較差的。
為了解決上述這種問(wèn)題，日本專(zhuān)利公開(kāi)63038/1984揭示了具有基本上由Te構(gòu)成的且另外還含有鉻(Cr)的記錄層的光記錄體，如這公報(bào)所述，已知當(dāng)在基本上由Te構(gòu)成的一記錄層中含有Cr時(shí)，所產(chǎn)生的記錄層的抗氧化性的提高與在所述的記錄層中的Cr的含量成正比，且因此具有如上所述的這種記錄層的光記錄體的壽命可得以延長(zhǎng)。
但是，如上述專(zhuān)利公報(bào)中所揭示的，具有基本上由Te構(gòu)成的且另外還含有Cr的記錄層的光記錄體具有這樣一個(gè)缺點(diǎn)，當(dāng)在記錄層中含有大量Cr時(shí)，記錄靈敏度就降低。因此，如上述日本專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)63038/1984中所指出，從改進(jìn)抗氧化性和記錄靈敏度的立場(chǎng)出發(fā)，目前，通常的做法是，將在基本上由Te構(gòu)成的一記錄層中含有Cr的含量，根據(jù)在該記錄層中存在的Te，確定為5-15%重量(以在該記錄層中存在的總原子數(shù)為11-27個(gè)原子%為基礎(chǔ))。
但是，本發(fā)明已發(fā)現(xiàn)這事實(shí)，具有以Te為基礎(chǔ)含有5-15%重量Cr的Te記錄層的光記錄體與具有僅由Te構(gòu)成的一記錄層的一光記錄體相比其記錄靈敏度仍是低的。作為本發(fā)明人對(duì)這種具有基本上由Te構(gòu)成的且另外又含有Cr的記錄層的光記錄體進(jìn)行廣泛研究的結(jié)果，已了發(fā)現(xiàn)具有基本上由Te構(gòu)成的且另外含有特定量Cr的記錄層的光記錄體與具有含有大量Cr的Te記錄層的光記錄體相比具有極好的記錄靈敏度，且同時(shí)，其記錄幅度有時(shí)也增大了。
進(jìn)一步講，本發(fā)明人對(duì)具有含有Te和Cr(Cr的含量無(wú)特別限制)的記錄層的光記錄體進(jìn)行了廣泛的研究，且最后發(fā)現(xiàn)含有Te和Cr的一記錄層在一基體上形成，且然后進(jìn)行熱處理，因此記錄幅度增大，且記錄靈敏度進(jìn)一步改善。本文所用的“記錄幅度”是指用于形成一預(yù)定形狀的信息單元的激光輸出的一寬度幅度，當(dāng)這記錄幅度較寬時(shí)，甚至當(dāng)激光輸出變化時(shí)，仍能形成均一形狀的信息單元，結(jié)果在信息記錄時(shí)有用的激光輸出的幅度和因此所產(chǎn)生的光記錄層將排除所用的激光輸出等的不規(guī)則性的影響。
本發(fā)明已以如上得到的這樣一種新技術(shù)信息為基礎(chǔ)上完成，且本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供光記錄體，其中其記錄層的抗氧化性提高，特別是，在高溫和高濕度環(huán)境下，所述的光記錄體的壽命延長(zhǎng)，且同時(shí)，信息可通過(guò)應(yīng)用小能量來(lái)記錄，而且進(jìn)一步講，記錄靈敏度高及記錄幅度寬，并提供了制備上述光記錄體的方法。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的光記錄體包括一基體和在其上形成的一記錄層，其中信息通過(guò)用能量束輻照形成相應(yīng)于該信息的信息單元來(lái)記錄。
上述記錄層包括Te、Cr，其中以構(gòu)成該記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)，Cr的比例為0.1-10個(gè)原子%。
根據(jù)上述光記錄體，因?yàn)槠浠旧嫌蒚e構(gòu)成的記錄層是這樣設(shè)計(jì)的以致于它包括Cr，所以該記錄層抗氧化性提高，且可希望該光記錄體延長(zhǎng)其壽命。進(jìn)一步講，在本發(fā)明中，該記錄層具有極好的記錄靈敏度，因?yàn)樵谠撚涗泴又械腃r的含量與在一般的Te記錄層中的Cr的含量相比顯示為這樣一個(gè)較低的值0.1-10個(gè)原子%。
制備本發(fā)明的光記錄體的方法，所述的光記錄體包括一基體和在其上形成的一記錄層，其中信息通過(guò)用能量束輻照形成相應(yīng)于該信息的信息單元，包在所述的基體上形成所述的含有Te和Cr的記錄層，且然后因此對(duì)所形成的記錄層進(jìn)行熱處理。
上述熱處理較好地在一70-300℃的溫度下進(jìn)行至少5秒，較好地為5秒鐘-10小時(shí)，更好地為5分鐘-2小時(shí)。在通過(guò)制備本發(fā)明的光記錄體的方法形成的記錄層中，以構(gòu)成該記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)，在所述的記錄層中含有的Cr的比例為0.1-40個(gè)原子%，較好地為0.1-10個(gè)原子，且更好地為1-4個(gè)原子%。
根據(jù)上述制備本發(fā)明的光記錄體的方法，對(duì)所形成的記錄層進(jìn)行熱處理，盡管其壽命延長(zhǎng)，但所產(chǎn)生的光記錄體記錄靈敏度進(jìn)一步提高。進(jìn)一步講，在讀出記錄信息時(shí)擴(kuò)大記錄幅度和提高C/N值成為可能。
進(jìn)一步講，“記錄幅度窄”指記錄能量輸出的范圍窄，以在讀出時(shí)得到大于預(yù)定值的C/N值(該意思將在下文應(yīng)用)。換句話(huà)說(shuō)，它指C/N值根據(jù)記錄能量輸出的變化而變化。進(jìn)一步講，C/N值用作為在讀出信息時(shí)所產(chǎn)生的刺耳的噪聲的程度的指數(shù)，且一C/N值越大，噪聲越小。
下面參照伴有所示附圖的具體實(shí)例詳細(xì)描述本發(fā)明。


圖1為本發(fā)明的光記錄體的一個(gè)具體實(shí)例的剖面草圖。
圖2-5分別為顯示本發(fā)明的光記錄體和已有技術(shù)的光記錄體之間在作用和效果方面的不同的曲線(xiàn)圖。
如圖1所示，一光記錄體10包括一基體11和在其上形成的一記錄層12。
用于制備該基體11的材料可為無(wú)機(jī)材料如玻璃或鋁，且可為有機(jī)材料如聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯和聚苯乙烯的聚合物合金、如美國(guó)專(zhuān)利說(shuō)明第4，614，778號(hào)中所揭示的無(wú)規(guī)聚烯烴、聚-4-甲基-1-戊烯、環(huán)氧樹(shù)脂、聚醚砜、聚砜、聚醚酰亞胺和乙烯/四環(huán)十二碳烯共聚物等。該基體11的厚度可以對(duì)該基體賦予足夠的剛性，例如，較好地為0.5-2.5毫米，更好地為約1-1.5毫米。
本發(fā)明的記錄層12基本上由Te構(gòu)成，且含有Cr，且這記錄層可含有除了Te之外的低熔點(diǎn)元素或其它組分?？苫旌现猎撚涗泴?2中的除Te之外的元素可包括，例如，鈦(Ti)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鋯(Zr)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鋁(Al)、鉑(Pt)、釤(Sm)、鉍(Bi)、銦(Zn)、硒(Se)、鉛(Pb)、鈷(Co)、硅(Si)、鈀(Pd)、錫(Sn)和鋅(Zn)等。
在該記錄層12中含有的Cr的比例以在該記錄層中含有的總原子數(shù)為基礎(chǔ)，較好地為0.1-10個(gè)原子%，更好地為1-4個(gè)原子%。這是因?yàn)?，該記錄?2，特別是其記錄靈敏度通過(guò)將上述范圍內(nèi)的Cr混合至該記錄層中可提高。在制備本發(fā)明的光記錄體的方法中，盡管不限于上述范圍，但在該記錄層中Cr的含量以在該記錄層中存在的總原子數(shù)為基礎(chǔ)為0.1-40個(gè)原子%，較好的為0.1-10個(gè)原子%，且更好地為1-4個(gè)原子%。
在該記錄層12中含有的元素的量，例如，金屬元素，由感應(yīng)耦合等離子體(ICP)發(fā)射光譜分析來(lái)確定。
在記錄信息中，在具有如上所述的這種組成的該記錄層12中，所希望的給定的信息塊的記錄可通過(guò)用能量束如根據(jù)將被記錄的信息塊調(diào)制的激光束輻照該記錄層，且在該記錄層的輻照過(guò)的部分上形成相應(yīng)的信息單元來(lái)進(jìn)行。該信息單元可為物理變形的如孔或凹面，或可為該記錄層的這種部分，其中光學(xué)性質(zhì)如折射率和反射率已通過(guò)用能量束輻照而變化的部分。
如上所述的該記錄層12其厚度必須大至這樣一個(gè)范圍以致于因此可得到足夠的光反射，且同時(shí)，其厚度必須小至這樣一個(gè)范圍以致于不影響其靈敏度。具體地說(shuō)，當(dāng)物理變形部分如孔在該記錄層12中形成時(shí)，該記錄層的膜厚為約100埃-1微米，較好地為約100-5000埃，且更好地為約150-500埃。當(dāng)其中光學(xué)性質(zhì)已變化的部分在該記錄層12中形成時(shí)，該記錄層的膜厚為約100埃-1微米，較好地為約100-5000埃，且更好地為約200-2000埃。
如上所述的該記錄層12與通過(guò)僅用一低熔點(diǎn)金屬如Te形成的記錄層相比其抗氧化性和記錄靈敏度已顯著提高。
例如，如圖2所示，已證實(shí)從制備基本上由Te構(gòu)成的且含有Cr的一記錄層經(jīng)過(guò)100小時(shí)之后，在該記錄層的反射率中的變化隨著在所述的記錄層中含有的Cr的量的增加而變小，且因此本發(fā)明的該記錄層(Cr含量X＝0.1-10個(gè)原子%)與Te記錄層(Cr含量X＝0)相比其抗氧化性提高，當(dāng)Cr的含量用Te100-xCrx來(lái)表示時(shí)，所述的Cr含量為原子數(shù)%。
進(jìn)一步講，用例子來(lái)證實(shí)，如圖3所示，本發(fā)明的該記錄層(Cr含量X＝0.1-10個(gè)原子%，特別是X＝1-4個(gè)原子%)需要一較小的記錄能量輸出，且具有經(jīng)提高的記錄靈敏度。
下面詳細(xì)描述制備本發(fā)明的光記錄體的方法。該記錄層12，例如，通過(guò)下列步驟可在該基體11上形成。通過(guò)應(yīng)用Te和作為金屬源的Cr，且運(yùn)用一般已知的層形成方法，如真空蒸鍍、陰極濺鍍或電子束或電子束淀積，該記錄層12可在該基體11上形成。
在該基體11上形成該記錄層12可，Te和Cr可用作為獨(dú)立的源，但Te和Cr的合金也可用作為一金屬源。
在本發(fā)明的一方法中，用上述方法在該基體11上形成該記錄層12之后，使這記錄層12在含有一惰性氣體的還原性氣體或氧氣的氣氛中進(jìn)行熱處理，在那種情況下所用的熱處理溫度必須比在該記錄層中含有的Te的熔點(diǎn)低，且較好地為70-300℃，特好地為90-150℃。所用的該加熱時(shí)間較好地為至少5秒鐘，較好地為5秒鐘-10小時(shí)，更好地為5分鐘-2小時(shí)。
根據(jù)用現(xiàn)在所述的方法在該基體11上形成所述的層之后該記錄層12的熱處理，在所述的記錄層中的記錄靈敏度有時(shí)會(huì)提高。例如，如圖4中曲線(xiàn)B所示，已證實(shí)與具有Cr含量X＝0(原子數(shù)%)且未經(jīng)熱處理的一Te記錄層(如圖4A點(diǎn)所示)相比，一記錄能量輸出可以是非常小的，且在100℃溫度下進(jìn)行熱處理20分鐘、具有膜厚250埃的本發(fā)明的該記錄層中，記錄靈敏度提高。進(jìn)一步講，已證實(shí)通過(guò)熱處理已達(dá)到上述這種效果，在已進(jìn)行熱處理的本發(fā)明的該記錄層中，不考慮Cr的含量，在信息記錄時(shí)所形成的信息單元的形狀比未經(jīng)過(guò)熱處理的記錄層上所形成的信息單元的形狀小，且同時(shí)可在該記錄層上形成形狀均勻的信息單元，因此可得到寬幅度的記錄能量輸出(該記錄幅度變寬)。
如圖4中的曲線(xiàn)B所示，已證實(shí)本發(fā)明的記錄層，特別是當(dāng)它具有0.1-3個(gè)原子%的Cr的含量時(shí)，需要少量的記錄能量輸出，且提高了記錄靈敏度。
根據(jù)本發(fā)明，如圖5所示，已證實(shí)從制備基本上由Te構(gòu)成的且含有Cr的一記錄層在70℃和85% RH的環(huán)境下經(jīng)過(guò)100小時(shí)之后，該記錄層的反射率的變化隨著在所述的記錄層中的Cr的含量的增加而變小，且因此本發(fā)明的該記錄層與Te記錄層(Cr含量X＝0)相比其抗氧化性提高，當(dāng)Cr的含量用Te100-xCrx表示時(shí)，所述的Cr含量為原子數(shù)%。
本發(fā)明不局限于圖1所示的具體實(shí)例，但應(yīng)解釋為在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的變化和改進(jìn)可以是有效的。
例如，一內(nèi)層可層壓在該基體11和該記錄層12之間。用于那種情況下的該內(nèi)層包括，例如，氟化物如氟化鎂(Mg F)膜、硅化合物如氧化硅(Si O2，Si O)或氮化硅(Si3N4)膜、由鈦(Ti)、鎳(Ni)、Cr、Al或Ni-Cr構(gòu)成的金屬膜、氟取代烴類(lèi)化合物如聚四氟乙烯(PTFE)膜和/或其聚合物膜和Cr-C-H膜(含有Cr、C和H的膜)。該內(nèi)層通常具有膜厚10-1000埃，較好地為50-500埃，盡管該膜厚可根據(jù)用作該內(nèi)層的材料而變化。根據(jù)上述膜厚，上述這些內(nèi)層可保持其透明性，且同時(shí)，可顯示作為該內(nèi)層的各種特性。
如上所述該內(nèi)層可用與形成該記錄層12的情況相同的方法，通過(guò)磁控(電子)管陰極濺鍍、蒸氣相生長(zhǎng)、等離子體氣相生長(zhǎng)、真空蒸鍍或施涂層(spincoat)方法，在該基體11的表面上形成。
提供上述在該基體11和該記錄層12之間的內(nèi)層的導(dǎo)致在某些環(huán)境下該記錄幅度本身的一進(jìn)一步擴(kuò)大。
進(jìn)一步講，根據(jù)本發(fā)明，一表面層可在該光記錄體10的該記錄層12的表面上形成，如圖1和4所示。用可形成該表面層的材料包括用于該記錄層的元素，Si和Ti等的氧化物，氮化物和金屬。該表面層具有膜厚5-100埃，較好地為10-50埃，盡管該膜厚可根據(jù)用于形成該表面層的材料而變化。
下面參照實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明，但應(yīng)解釋為本發(fā)明不限于那些實(shí)施例。
實(shí)施例1在對(duì)一真空容器抽真空之后，將氬(Ar)氣導(dǎo)入該容器中，且調(diào)整在該容器中的一內(nèi)壓為6×10-3乇(Torr)。在該容器中，當(dāng)控制施加于各對(duì)陰極的電壓時(shí)，同時(shí)對(duì)分別用作對(duì)陰極的Te和Cr進(jìn)行陰極濺鍍，因此得到由Te98Cr2構(gòu)成的層。同時(shí)，控制該陰極濺鍍時(shí)間以在由無(wú)規(guī)聚烯烴構(gòu)成的基體上得到具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例2重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到在Te95Cr5構(gòu)成且具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例3重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到由Te92Cr8構(gòu)成且具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例4除了用Te/Cr合金作為對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到由Te91Cr9構(gòu)成且具有膜厚 210埃的記錄層。
對(duì)照實(shí)施例1除了僅用Te作為對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到具有膜厚250埃的Te記錄層。
對(duì)照實(shí)施例2重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到由Te71Cr23構(gòu)成且具有膜厚 250埃的記錄層。
實(shí)施例5除了用一Te和Ni的合金對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到由Te87Ni7Cr6構(gòu)成且具有膜厚 230埃的記錄層。
實(shí)施例6除了用一Te和Cr的合金對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例1的步驟以在該基體上得到TeCr構(gòu)成且具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例7在對(duì)一真空容器抽真空之后，將氬氣導(dǎo)入該容器中，且調(diào)整一內(nèi)壓為6×10-3乇。在這容器中，當(dāng)控制施加于各對(duì)陰極的電壓時(shí)，同時(shí)對(duì)分別用作對(duì)陰極的Te和Cr進(jìn)行陰極濺鍍，以在該基體上得到由Te98Cr2構(gòu)成的記錄層。同時(shí)，通過(guò)用一開(kāi)關(guān)控制該陰極濺鍍時(shí)間以在該基體上得到具有膜厚250埃的該記錄層。然后，在溫度100℃下對(duì)因此得到的該記錄層進(jìn)行熱處理20分鐘。
實(shí)施例8
重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到由Te95Cr5構(gòu)成且膜厚為250埃的記錄層。
實(shí)施例9重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到由Te92Cr8構(gòu)成且具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例10除了用Te和Cr的合金作為對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到由Te94Cr6構(gòu)成且具有膜厚200埃的一記錄層。
實(shí)施例11除了用Te和Ni的合金對(duì)陰極和Cr的對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到Te87Ni7Cr6構(gòu)成且具有膜厚 230埃的記錄層。
實(shí)施例12除了用Te和In的合金對(duì)陰極及Cr對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到由Te84In9Cr7構(gòu)成且具有膜厚250埃的記錄層。
實(shí)施例13除了用Te和Se的合金對(duì)陰極和Cr對(duì)陰極之外，重復(fù)實(shí)施例7的步驟以在該基體上得到由Te92Se5Cr3構(gòu)成且具有膜厚 240埃的記錄層。(1)通過(guò)應(yīng)用在實(shí)施例1-13和對(duì)照實(shí)施例1-2中得到的各光記錄體，用頻率為3.7兆赫的激光束實(shí)施信息記錄以研空其必需的記錄能量輸出。在對(duì)照實(shí)施例1的光記錄體中所需的該記錄能量輸出確定為1.0作為其它(記錄能量輸出)的標(biāo)準(zhǔn)，以每加、減0.5來(lái)顯示差別。所得到的結(jié)果在表1和2中顯示。在這些表中，記錄幅度是指用于在該記錄層上形成一預(yù)定形狀的信息單元的激光輸出的幅度。當(dāng)該幅度變寬時(shí)，可形成相同形狀的信息單元而不受該激光輸出的變化的影響。
表1實(shí)施例記錄輸出幅度(毫瓦)10.950.521.050.731.051.140.902.451.02.860.953.0對(duì)照實(shí)施例11.00.521.00.7表2實(shí)施例記錄輸出幅度(毫瓦)70.91.681.151.891.12.0100.92.0111.02.7121.11.8131.01.6對(duì)照實(shí)施例11.00.521.00.7(2┰謔乖謔凳├ -6和對(duì)照實(shí)施例1-2中所得到的各光記錄體在70℃和85% RH的環(huán)境下放置500小時(shí)之后所測(cè)得的反射率R與原反射率R0比較所得到的結(jié)果如表3所示。
表3實(shí)施例反射率的百分變化(R0-R)×100R0121%214%39%49%53%610%對(duì)照實(shí)施例141%25%(3)表4顯示通過(guò)取在實(shí)施例7-9中所得到的各光記錄體中所測(cè)得的反射率和對(duì)照實(shí)施例1為R100及原反射率為R0所得到的反射率百分變化值(R0-R100)×100/R。
表4實(shí)施例反射率的百分變化(R0-R100)×100/R0717%811%95%對(duì)照實(shí)施例132%
權(quán)利要求
1.一種光記錄體，包括一基體和在其上形成的一記錄層，其中該記錄層用能量束輻照以在其上形成相應(yīng)于給定的信息的信息單元，并因此記錄該信息，所述的記錄層包括Te和Cr，且在所述的記錄層中含有的Cr的比例以構(gòu)成記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)為0.1-10原子%。
2.一種光記錄體，包括一基體和在其上形成的一記錄層，其中該記錄層用能量束輻照以在其上形成相應(yīng)于給定的信息的信息單元，并因此記錄該信息，所述的記錄層包括Te和Cr，且在所述的記錄層中含有的Cr的比例以構(gòu)成該記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)為1-4原子%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光記錄體，其特征在于其中可在所述的基體和所述的記錄層之間層壓成一內(nèi)層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光記錄體，其特征在于其中所述的內(nèi)層包括至少一種選自氟化物膜、硅化合物膜、金屬膜、氟取代烴類(lèi)化合物和/或其聚合物膜及Cr-C-H膜的膜。
5.一種制備一光記錄體，包括一基體和在其上形成的一記錄層，其中該記錄層用能量束輻照以在其上形成相應(yīng)于給定的信息塊的信息單元，并因此記錄該信息塊的方法，包括在所述的基體上形成含有Te和Cr的記錄層，且然后對(duì)因此所形成的記錄層進(jìn)行熱處理。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備一光記錄體的方法，其特征在于其中在所述的記錄層中含有Cr的比例以構(gòu)成該記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)為0.1-40原子%。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備一種光記錄體的方法，其特征在于其中在所述的記錄層中含有的Cr的比例以構(gòu)成該記錄層的總原子數(shù)為基礎(chǔ)為0.1-10原子%。
8.根據(jù)權(quán)利要求5、6和7中任何一個(gè)所述的制備一種光記錄體的方法，其特征在于其中所述的熱處理在一溫度70-300℃下進(jìn)行至少5秒鐘。
全文摘要
光記錄體包括基體和在其上形成的記錄層，其中記錄層用能量束輻照以在其上形成相應(yīng)于給定的信息塊的信息單元并因此記錄該信息塊。記錄層包括Te和Cr，以構(gòu)成記錄層的總原子數(shù)為基其中Cr的比為0.1—10原子％。制備上述光記錄體的方法包括在基體上形成包括Te和Cr的記錄層及然后對(duì)其熱處理。該層的抗氧化性提高且可希望延長(zhǎng)其壽命，具有極好的記錄靈敏度。根據(jù)上述方法，該記錄體記錄靈敏度更高且擴(kuò)大記錄幅度成為可能。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1038178SQ8910340
公開(kāi)日1989年12月20日 申請(qǐng)日期1989年5月20日 優(yōu)先權(quán)日1988年5月20日
發(fā)明者樋端久治, 黑巖光之, 藤堂昭 申請(qǐng)人:三井石油化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社